检索结果-内蒙古大学图书馆

硅酸盐学报 2022年第7期50卷 1852-1864页

作者：赵继文郝晓斌赵柯臣李一村张森刘康代兵郭怀新韩杰才朱嘉琦哈尔滨工业大学特种环境复合材料技术国家级重点实验室哈尔滨150080 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210006 哈尔滨工业大学微系统与微结构制造教育部重点实验室哈尔滨150080

随着第3代半导体的应用,电子器件向高功率、小型化发展,由此带来的“热”问题逐渐凸显,金刚石由于其超高的热导率及稳定的性质,被认为是最优的散热材料之一。简要介绍了微波等离子体化学气相沉积装备的原理及发展历程,对比分析了不同种... 详细信息

随着第3代半导体的应用,电子器件向高功率、小型化发展,由此带来的“热”问题逐渐凸显,金刚石由于其超高的热导率及稳定的性质,被认为是最优的散热材料之一。简要介绍了微波等离子体化学气相沉积装备的原理及发展历程,对比分析了不同种类生长设备的差异,对单晶、多晶及纳米晶金刚石在器件散热应用中的现状进行总结,结合第3代半导体总结了金刚石增强散热产业化过程中将面临的性能与尺寸方面的瓶颈问题及金刚石材料“大、纯、快”的发展方向,并对散热应用的未来研究方向做出展望。

关键词：金刚石微波等离子体化学气相沉积散热氮化镓器件

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

大功率器件及材料的热特性表征技术研究进展

引用

中国材料进展 2018年第12期37卷 1017-1023,1047页

作者：郭怀新黄语恒黄宇龙陶鹏孔月婵李忠辉陈堂胜南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室江苏南京210016 上海交通大学材料科学与工程学院金属基复合材料国家重点实验室上海200240

以氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体高功率密度的发展受限于自身热积累效应引起器件结温升高问题,严重导致器件性能和可靠性的下降。因此,器件的热管理已成为大功率器件研发和应用领域的一个重要研究方向,而器件本身及其材料的热特性表... 详细信息

以氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体高功率密度的发展受限于自身热积累效应引起器件结温升高问题,严重导致器件性能和可靠性的下降。因此,器件的热管理已成为大功率器件研发和应用领域的一个重要研究方向,而器件本身及其材料的热特性表征贯穿于功率器件散热技术开发的整个过程,是评估和指导热管理研发的重要途径。为此,综述了国内外正在开展的器件芯片级热特性表征技术研究进展,系统分析了器件结温、外延薄膜热导率、界面热阻等热性能表征技术的优势及局限性,并阐述了这些热性能表征技术对芯片级热管理开发提供的技术指导及其面临的技术挑战。

关键词：功率器件热管理结温热导率界面热阻

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

4 bit相位量化ADC设计与实现

引用

固体电子学研究与进展 2014年第3期34卷 206-210页

作者：张敏张有涛李晓鹏陈新宇杨磊南京电子器件研究所南京210016 南京国博电子有限公司南京210016 微波毫米波单片集成电路与模块国家重点实验室南京210016

分析了应用于DRFM系统的4bit相位ADC原理并介绍了一种4bit相位ADC电路结构,该电路采用类似于幅度ADC的Flash拓扑在标准半导体工艺下设计并实现,芯片面积2.3mm×1.7mm,功耗620mW,数字输出满足LVDS电平标准。测试结果显示该ADC瞬时带... 详细信息

分析了应用于DRFM系统的4bit相位ADC原理并介绍了一种4bit相位ADC电路结构,该电路采用类似于幅度ADC的Flash拓扑在标准半导体工艺下设计并实现,芯片面积2.3mm×1.7mm,功耗620mW,数字输出满足LVDS电平标准。测试结果显示该ADC瞬时带宽高于1GHz,动态范围大于26dB。

关键词：模数转换器相位量化数字射频存储器瞬时带宽

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

664GHz接收前端技术研究

引用

微波学报 2015年第S1期31卷 14-17页

作者：姚常飞周明罗运生魏翔张君直南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室南京210016 南京电子器件研究所微波毫米波模块电路事业部南京210016

基于X波段源,通过9×2×2次倍频链实现了输出约1-2m W的320-356GHz全固态倍频源。该信号源作为本振信号驱动664GHz接收前端的二次谐波混频器,该混频器采用了有源偏置技术以降低混频器的本振驱动功率和接收机的噪声温度。仿真结... 详细信息

基于X波段源,通过9×2×2次倍频链实现了输出约1-2m W的320-356GHz全固态倍频源。该信号源作为本振信号驱动664GHz接收前端的二次谐波混频器,该混频器采用了有源偏置技术以降低混频器的本振驱动功率和接收机的噪声温度。仿真结果表明,混频二极管在0.3m W本振驱动功率及0.35V直流偏置下,在650-680GHz带宽内,仿真得到的单边带变频损耗小于12d B,666GHz最小损耗为10.8d B。

关键词： GaAs肖特基二极管太赫兹倍频谐波混频

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

大功率低插损氮化镓单刀双掷射频开关

引用

微电子学 2024年

作者：周英杰侯文杰张翼杨磊南京邮电大学集成电路科学与工程学院南京国博电子股份有限公司射频集成与微组装技术国家地方联合工程实验室东南大学毫米波国家重点实验室微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室

基于0.25 μm GaN HEMT工艺设计了工作在0.4 GHz～6 GHz的单刀双掷(SPDT)射频开关芯片。为降低插入损耗，设计中通过在端口添加电感的方式进行端口电容补偿；为减小芯片面积，采用金丝键合等效电感的方式，同时版图设计中去除了传统的... 详细信息

基于0.25 μm GaN HEMT工艺设计了工作在0.4 GHz～6 GHz的单刀双掷(SPDT)射频开关芯片。为降低插入损耗，设计中通过在端口添加电感的方式进行端口电容补偿；为减小芯片面积，采用金丝键合等效电感的方式，同时版图设计中去除了传统的传输线连接，串管与并管均直接连接到同一个信号焊盘，有效降低了传输线造成的损耗，也大幅度减小了芯片的面积。此外，并管使用管芯叠加的方式，通过平均分压增加了芯片的功率容量。芯片流片测试结果表明：插入损耗小于0.5 dB，隔离度大于21 dB，回波损耗大于20 dB，功率容量P-0.1dB为48 dBm，脉冲测试下P-0.1 dB为52 dBm，面积仅为1 mm2。

关键词：大功率低插损单刀双掷射频开关氮化镓高电子迁移率晶体管

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

柔性热管的研究进展与展望

引用

中国材料进展 2018年第12期37卷 1025-1032,1047页

作者：陶鹏常超郭怀新陈寰贝尚文邓涛上海交通大学材料科学与工程学院金属基复合材料国家重点实验室上海200240 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室江苏南京210016 南京电子器件研究所江苏南京210016

现代电子设备的大功率化、高度集成化、微型化、柔性化发展趋势对先进的热管理材料和技术提出了迫切需求。基于气液相变的热管技术是一种高效的热管理手段,然而传统的刚性热管满足不了复杂结构、狭小空间的微型电子元器件以及可折叠电... 详细信息

现代电子设备的大功率化、高度集成化、微型化、柔性化发展趋势对先进的热管理材料和技术提出了迫切需求。基于气液相变的热管技术是一种高效的热管理手段,然而传统的刚性热管满足不了复杂结构、狭小空间的微型电子元器件以及可折叠电子器件的高性能散热需要,发展新型柔性热管技术有望克服上述问题,具有重要意义。系统介绍了柔性热管的基础理论、结构设计、材料加工、器件制备等方面的研究进展,以及其在航空航天、电子产品等领域的实际应用。基于柔性热管的发展历程和研究现状,对该领域今后的研究和发展方向做出了展望。

关键词：柔性热管气液相变热阻导热率

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

一种改进的增强型GaNHEMT大信号模型

引用

半导体技术 2015年第12期40卷 904-910页

作者：陈秋芬李文钧刘军陆海燕韩春林杭州电子科技大学教育部射频电路与系统重点实验室杭州310037 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路国家级重点实验室南京210016

提出一种改进的增强型GaN HEMT器件建模大信号模型。模型沟道电流方程和电荷方程均连续且高阶可导,栅电荷模型满足电荷守恒原则。提出的沟道电流模型可精确拟合实际器件正、反向区、截止区以及亚阈值区的直流特性。根据GaN HEMT器件特... 详细信息

提出一种改进的增强型GaN HEMT器件建模大信号模型。模型沟道电流方程和电荷方程均连续且高阶可导,栅电荷模型满足电荷守恒原则。提出的沟道电流模型可精确拟合实际器件正、反向区、截止区以及亚阈值区的直流特性。根据GaN HEMT器件特有的物理结构和电学特性,器件的自热效应、电流崩塌效应以及跨导频率分布效应在模型中进行了考虑。模型采用Verilog-A语言进行描述,并编译、链接入Agilent ADS工具。验证结果表明,模型仿真和测试数据在宽的偏压和频率范围内得到很好地吻合。

关键词：增强型GaN HEMT 大信号模型沟道电流模型栅电荷模型 Verilog-A语言

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺的4GS/s、14 bit数模转换器

引用

南京邮电大学学报（自然科学版） 2024年第3期44卷 42-47页

作者：张翼戚骞张有涛韩春林王洋张长春郭宇锋南京邮电大学集成电路科学与工程学院江苏南京210023 射频集成与微组装技术国家地方联合工程实验室江苏南京210023 东南大学毫米波国家重点实验室江苏南京210096 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室江苏南京210016 南京国博电子股份有限公司江苏南京210016 南京工业职业技术大学电子信息工程学院、集成电路学院江苏南京210023

基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺,设计了超高速高精度数模转换器(DAC),其时钟采样率为4 GS/s、精度为14 bit。为满足4 GHz处理速度,该DAC中所有电路均采用异质结晶体管(HBTs)搭建。为了降低功耗和节约面积,本设计采用10+4分段译码的方式,... 详细信息

基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺,设计了超高速高精度数模转换器(DAC),其时钟采样率为4 GS/s、精度为14 bit。为满足4 GHz处理速度,该DAC中所有电路均采用异质结晶体管(HBTs)搭建。为了降低功耗和节约面积,本设计采用10+4分段译码的方式,其中低10位电流舵使用R-2R梯形电阻网络,而高4位使用温度计码结构。仿真结果表明,所设计DAC的DNL、INL分别为0.54 LSB和0.39 LSB,全奈奎斯特频域内的无杂散动态范围均大于82 dBc。在3.3 V和5 V混合电源供电下,整个DAC的平均功耗为2.39 W。芯片总面积为11.22 mm^(2)。

关键词：数模转换器 SiGe HBT 电流模逻辑电流舵

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

基于InP HBT工艺的12位8GSps超高速数模转换器设计

引用

电子元件与材料 2018年第1期37卷 77-83页

作者：叶庆国张有涛李晓鹏张翼南京电子器件研究所江苏南京210016 南京国博电子有限公司江苏南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室江苏南京210016 南京邮电大学电子科学与工程学院江苏南京210046 东南大学毫米波国家重点实验室江苏南京210096

设计了一种基于0.7μm的In P HBT工艺设计的12位8GSps的电流舵型数模转换器(DAC)。采用双采样技术,将输出采样率提高为时钟频率的两倍。并且将双采样开关与电流开关分离以减小码间串扰。借鉴常开电流源法改进了电流源开关结构。新的结... 详细信息

设计了一种基于0.7μm的In P HBT工艺设计的12位8GSps的电流舵型数模转换器(DAC)。采用双采样技术,将输出采样率提高为时钟频率的两倍。并且将双采样开关与电流开关分离以减小码间串扰。借鉴常开电流源法改进了电流源开关结构。新的结构增大了输出阻抗和稳定性,抑制了谐波失真,提高了芯片动态性能。通过仿真结果得到,这款芯片功耗2.45 W,实现了0.4 LSB的微分非线性误差(DNL)和0.35 LSB的积分非线性误差(INL)。低频下无杂散动态范围(SFDR)为71.53 d Bc,信号频率接近奈奎斯特频率时最差的SFDR为50.54 d Bc。在整个第一奈奎斯特域内,SFDR都大于50 d Bc,满足高端测试仪器的应用要求。

关键词：超高速数模转换器 InPHBT 双采样技术无杂散动态范围总谐波失真(THD) 电流舵

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

基于0.7μm InP HBT工艺的10GS/s宽带Σ-Δ模数转换器设计

引用

中北大学学报（自然科学版） 2022年第6期43卷 554-559页

作者：张翼刘坤韩春林王洋张有涛李晓鹏杨磊郭宇锋南京邮电大学集成电路科学与工程学院江苏南京210023 射频集成与微组装技术国家地方联合工程实验室江苏南京210023 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室江苏南京210016 东南大学毫米波国家重点实验室江苏南京210096 南京工业职业技术大学江苏南京210023 南京国博电子股份有限公司江苏南京210016

基于0.7μm InP HBT工艺,设计了连续时间超高速宽带Σ-Δ模数转换器,其时钟采样率为10 GS/s.该模数转换器系统包括两级环路滤波器,一个2 bit ADC和一个2 bit DAC.为了方便测试,电路中还增加了2 bit DAC和输出缓冲电路.设计完成后的Σ-Δ... 详细信息

基于0.7μm InP HBT工艺,设计了连续时间超高速宽带Σ-Δ模数转换器,其时钟采样率为10 GS/s.该模数转换器系统包括两级环路滤波器,一个2 bit ADC和一个2 bit DAC.为了方便测试,电路中还增加了2 bit DAC和输出缓冲电路.设计完成后的Σ-ΔADC电路版图整体尺寸为1.58 mm×1.82 mm.电路后仿真结果表明:当时钟采样率为10 GS/s时,该ADC电路在输入信号频率为307 MHz时的带内无杂散动态范围为52.4 dB,信噪比为42.6 dB;在5 V电源电压下,电路的总功耗约为1.3 W.

关键词： Σ-Δ模数转换器 InP HBT工艺超高速宽带 2 bit数模转换器

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：