检索结果-内蒙古大学图书馆

光电子技术 2019年第1期39卷 4-9页

作者：周奉杰孔月婵顾晓文牛斌微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京电子器件研究所南京210016

研究了基于绝缘体上硅(SOI)单环以及双环谐振器直通端的滤波特性,分析了直波导-环波导光耦合系数和环间波导光耦合系数对输出特性的影响。本文提出了在谐振器耦合区采用马赫-曾德尔干涉仪(MZI)的改进耦合结构,在微环腔长1 218μm的单环... 详细信息

研究了基于绝缘体上硅(SOI)单环以及双环谐振器直通端的滤波特性,分析了直波导-环波导光耦合系数和环间波导光耦合系数对输出特性的影响。本文提出了在谐振器耦合区采用马赫-曾德尔干涉仪(MZI)的改进耦合结构,在微环腔长1 218μm的单环和双环滤波器中,分别在19 mW和9 mW的功率范围内实现谐振器从欠耦合到临界耦合状态的调谐,在0～26 mW的功率范围内,双环滤波器实现了谐振波长一个自由谱范围(FSR)的可调谐滤波特性。

关键词：绝缘体上硅微环谐振器马赫-曾德尔干涉仪可调谐性

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

B^+注入隔离在宽禁带半导体中的应用

引用

固体电子学研究与进展 2011年第3期31卷 233-235,291页

作者：李春陈刚李宇柱周建军李肖南京电子器件研究所南京210016 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

利用B^+离子注入实现宽禁带半导体的有源层隔离。通过Monte Carlo软件TRIM模拟,优化离子注入能量和剂量。在SiC MESFET中测量两组不同条件的样品及在GaN HEMT测量了三组同种条件的样品都得到了纳安级电流,表现了很好的隔离效果;通过测... 详细信息

利用B^+离子注入实现宽禁带半导体的有源层隔离。通过Monte Carlo软件TRIM模拟,优化离子注入能量和剂量。在SiC MESFET中测量两组不同条件的样品及在GaN HEMT测量了三组同种条件的样品都得到了纳安级电流,表现了很好的隔离效果;通过测试表明离子注入隔离的器件相比台面隔离器件的击穿电压有一定程度提高。

关键词：离子注入隔离宽禁带半导体碳化硅金属-半导体场效应晶体管氮化镓

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

小型化硅基毫米波MEMS三维异构集成开关滤波器件

引用

固体电子学研究与进展 2021年第5期41卷 330-336页

作者：侯芳孙超栾华凯黄旼朱健胡三明东南大学毫米波国家重点实验室南京210096 南京电子器件研究所南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

针对传统开关滤波器组件体积庞大、重量重、调试复杂、集成度低的问题,设计并制作了一种小型化六通道毫米波硅基MEMS三维异构集成开关滤波器件。该器件以四层堆叠的高阻硅材料为衬底,工作频段覆盖18~40 GHz,内部集成了6款小型化空间堆叠... 详细信息

针对传统开关滤波器组件体积庞大、重量重、调试复杂、集成度低的问题,设计并制作了一种小型化六通道毫米波硅基MEMS三维异构集成开关滤波器件。该器件以四层堆叠的高阻硅材料为衬底,工作频段覆盖18~40 GHz,内部集成了6款小型化空间堆叠的MEMS滤波器和2个单片开关,采用3D-TSV(硅通孔)异构集成工艺,实现了开关与滤波器组的晶圆级集成。为了优化毫米波频段集成滤波器性能,提出了MEMS混合交叉耦合多层堆叠SIW(基片集成波导)滤波器拓扑结构,且其工艺与整个开关滤波器件兼容,极大提升了滤波器的带外抑制。经测试,该开关滤波器件带内插损<8.2 dB(包括2个开关共约4 d B的损耗),反射损耗>10 dB,带边1 GHz处带外抑制>40 dBc。该器件体积仅19.0 mm×16.5 mm×1.1 mm,比传统开关滤波器体积减小了99.7%。

关键词：三维异构集成微电子机械系统硅通孔滤波器基片集成波导

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

GaN异质结场效应管中栅、漏电压对电子气的控制(续)

引用

固体电子学研究与进展 2021年第6期41卷 425-431页

作者：薛舫时杨乃彬陈堂胜孔月婵南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

从自洽求解二维泊松方程和薛定谔方程出发,编制出计算GaN HFET内不同栅、漏电压下沟道能带、电子气密度及量子电容的软件,研究场效应管的电荷控制和DIBL。在异质结沟道阱研究中,改变栅电压算出的电子气密度及量子电容同C-V实验测试结果... 详细信息

从自洽求解二维泊松方程和薛定谔方程出发,编制出计算GaN HFET内不同栅、漏电压下沟道能带、电子气密度及量子电容的软件,研究场效应管的电荷控制和DIBL。在异质结沟道阱研究中,改变栅电压算出的电子气密度及量子电容同C-V实验测试结果相吻合,证明求解薛定谔方程是研究异质结场效应管电荷控制的有效方法。考虑外沟道渗透到内沟道的电场梯度以后,算出了场效应管的电子气密度及量子电容。场效应管模拟算得的量子电容同实验测得的栅-源和栅-漏电容相吻合。研究了不同栅、漏电压和电场梯度渗透下的内沟道能带,发现漏电压引起的电场梯度渗透使内沟道能带下弯,导致阈值电压负移。证明阈值电压负移由外沟道渗透到内沟道的电场梯度产生,用自洽能带计算方法可算得漏电压引起的阈值电压负移。提出使用能带剪裁优化设计异质结构来抑制DIBL的新理念。同有限元变分软件的类MESFET模拟相比,新能带计算软件可以求得电荷控制中的量子行为。由此提出编制异质结场效应管模拟软件的设想。

关键词：电荷控制模型漏电压引起的势垒下降类MESFET模拟电荷控制中的量子行为量子电容三角阱近似漏电压引起的阈值电压移动漏电压引起的能带下弯

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

内置驱动器的砷化镓高隔离开关芯片

引用

固体电子学研究与进展 2012年第4期32卷 365-369页

作者：许正荣应海涛李娜李小鹏张有涛杨磊南京国博电子有限公司南京210016 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

采用增强/耗尽型(E/D)结构的赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)技术,研制开发的射频开关,具有插损低、隔离度高、承受功率大、线性度高等特点。产品采用0.5μm栅长的砷化镓PHEMT E/D标准工艺加工,将开关电路和驱动电路集成在一颗芯片上,并... 详细信息

采用增强/耗尽型(E/D)结构的赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)技术,研制开发的射频开关,具有插损低、隔离度高、承受功率大、线性度高等特点。产品采用0.5μm栅长的砷化镓PHEMT E/D标准工艺加工,将开关电路和驱动电路集成在一颗芯片上,并做了相应的静电防护设计。测试结果表明,在0.01～5.0GHz带内,插入损耗≤1.2dB@3GHz、≤1.6dB@5GHz,带内输入输出驻波比≤1.5,隔离度≥60dB@3GHz、≥52dB@5GHz,1dB压缩功率点达到了30dBm,IP3超过了+52dBm。

关键词：砷化镓增强型耗尽型射频开关赝配高电子迁移率晶体管

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

基于功率合成技术的75～115GHz六倍频源

引用

电子学报 2015年第9期43卷 1864-1869页

作者：姚常飞陈振华周明罗运生许从海郁建南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室江苏南京210016 南京电子器件研究所微波毫米波模块电路事业部江苏南京210016 南京信息工程大学电子与信息工程学院江苏南京210044

本文采用混合集成技术，实现了75～115GHz的w波段六倍频功率合成信号源．其Ku波段输入信号经有源二倍频、功分及放大后，输出两路各约24dBm的Ka波段信号，以驱动75～115GHz三倍频器，变阻二极管基于南京电子器件研究所（NEDI）的GaAs工... 详细信息

本文采用混合集成技术，实现了75～115GHz的w波段六倍频功率合成信号源．其Ku波段输入信号经有源二倍频、功分及放大后，输出两路各约24dBm的Ka波段信号，以驱动75～115GHz三倍频器，变阻二极管基于南京电子器件研究所（NEDI）的GaAs工艺线设计实现，三倍频信号经功率合成后输出．考虑到倍频二极管各种寄生参数的影响，本文采用去嵌入阻抗计算方法，提取二极管的输入阻抗及三次谐波输出阻抗，综合分析匹配电路，优化倍频器效率．在75～115GHz测得六倍频源输出功率大于8．0dBm、输出功率平坦；在112GHz测得最大输出功率为10．2dBm，合成倍频效率大于1．3％，其性能达到了国外同类产品水平，可将微波信号源扩展至75～115GHz，解决了w波段TR组件本振源及发射源的产生问题．

关键词： W波段砷化镓肖特基二极管功率合成倍频效率

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

4500V碳化硅肖特基二极管研究

引用

固体电子学研究与进展 2013年第3期33卷 220-223页

作者：黄润华李理陶永洪刘奥陈刚李赟柏松栗锐杨立杰陈堂胜南京电子器件研究所微波毫米波单片和模块电路重点实验室南京210016

设计了一种阻断电压4 500V的碳化硅(SiC)结势垒肖特基(JBS)二极管。采用有限元仿真的方法对器件的外延掺杂浓度和厚度以及终端保护效率进行了优化。器件采用50μm厚、掺杂浓度为1.2×1015cm-3的N型低掺杂区。终端保护结构采用保护... 详细信息

设计了一种阻断电压4 500V的碳化硅(SiC)结势垒肖特基(JBS)二极管。采用有限元仿真的方法对器件的外延掺杂浓度和厚度以及终端保护效率进行了优化。器件采用50μm厚、掺杂浓度为1.2×1015cm-3的N型低掺杂区。终端保护结构采用保护环结构。正向电压4V下导通电流密度为80A/cm2。

关键词： 4H型碳化硅结势垒肖特基二极管终端保护保护环

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

少层氮化硼的生长机理及技术研究

引用

固体电子学研究与进展 2022年第6期42卷 510-514,520页

作者：李传皓李忠辉彭大青张东国杨乾坤潘传奇沈睿微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京电子器件研究所南京210016 中国电科碳基电子重点实验室南京210016

采用MOCVD技术在50.8 mm(2英寸)蓝宝石衬底上开展氮化硼(BN)材料的外延生长研究。基于Ⅴ/Ⅲ族源的同时输运工艺,探究了无序岛状、生长自终止及二维层状等三种BN生长模式的外延机理,并实现了5-6层原子厚的二维BN材料的制备。同时,提出了... 详细信息

采用MOCVD技术在50.8 mm(2英寸)蓝宝石衬底上开展氮化硼(BN)材料的外延生长研究。基于Ⅴ/Ⅲ族源的同时输运工艺,探究了无序岛状、生长自终止及二维层状等三种BN生长模式的外延机理,并实现了5-6层原子厚的二维BN材料的制备。同时,提出了一种Ⅴ/Ⅲ族源的同时输运及分时输运相结合的外延生长工艺,显著提升了二维BN材料质量,其中1μm×1μm表面粗糙度Ra为0.10 nm,光学带隙宽度为5.77 eV,拉曼E2g模式的半高宽为60.7 cm^(-1)。

关键词：氮化硼外延生长少层材料蓝宝石衬底结晶质量提升

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

大尺寸GaN微波材料范德瓦耳斯外延机理及应力调控研究

引用

人工晶体学报 2024年第2期53卷 252-257页

作者：李传皓李忠辉彭大青张东国杨乾坤罗伟科南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016 中国电科碳基电子重点实验室南京210016

本文基于金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术,以少层氮化硼(BN)作为插入层在4英寸蓝宝石衬底上开展范德瓦耳斯异质外延GaN微波材料的生长机理及应力调控方面的研究,探讨了AlN成核工艺对GaN缓冲层生长机制的影响,以及与材料晶体质量、应力... 详细信息

本文基于金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术,以少层氮化硼(BN)作为插入层在4英寸蓝宝石衬底上开展范德瓦耳斯异质外延GaN微波材料的生长机理及应力调控方面的研究,探讨了AlN成核工艺对GaN缓冲层生长机制的影响,以及与材料晶体质量、应力及电学性能等之间的关联。提出了一种基于AlN/AlGaN复合成核技术的应力调控方案,首次实现了大尺寸范德瓦耳斯(vdW)异质外延材料应力的有效管控,研制的GaN微波材料的弯曲度(Bow)为+20.4μm,(002)/(102)面半峰全宽为471.6/933.5 arcsec,表面均方根粗糙度为0.52 nm,电子迁移率达到2000 cm^(2)/(V·s)。最后,基于机械剥离实现了大尺寸晶圆级GaN微波材料与蓝宝石衬底的分离,为高导热衬底转移提供便利,为大功率射频器件的制作创造条件。

关键词：范德瓦耳斯异质外延金属有机化学气相沉积 GaN微波材料少层BN 应力调控

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

0.15μm GaN HEMT及其应用

引用

固体电子学研究与进展 2013年第3期33卷 215-219页

作者：任春江陶洪琪余旭明李忠辉王泉慧王雯陈堂胜张斌南京电子器件研究所微波毫米波单片集成电路与模块重点实验室南京210016

报道了毫米波应用的0.15μm场板结构GaN HEMT。器件研制采用了76.2mm(3英寸)SiC衬底上外延生长的AlGaN/GaN异质结构材料,该材料由MOCVD技术生长并引入了掺Fe GaN缓冲层技术以提升器件击穿电压。器件栅脚和集成了场板的栅帽均由电子束光... 详细信息

报道了毫米波应用的0.15μm场板结构GaN HEMT。器件研制采用了76.2mm(3英寸)SiC衬底上外延生长的AlGaN/GaN异质结构材料,该材料由MOCVD技术生长并引入了掺Fe GaN缓冲层技术以提升器件击穿电压。器件栅脚和集成了场板的栅帽均由电子束光刻实现,并采用栅挖槽技术来控制器件夹断电压。研制的2×75μm栅宽GaN HEMT在24V工作电压、35GHz频率下的负载牵引测试结果显示其输出功率密度达到了4W/mm,对应的功率增益和功率附加效率分别为5dB和35%。采用该0.15μm GaN HEMT技术进行了Ka波段GaN功率MMIC的研制,所研制的功率MMIC在24V工作电压下脉冲工作时(100μs脉宽、10%占空比),29GHz频点处饱和功率达到了10.64W。

关键词：铝镓氮氮化镓高电子迁移率晶体管场板毫米波功率单片

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：