检索结果-内蒙古大学图书馆

微电子学 2024年

作者：周英杰侯文杰张翼杨磊南京邮电大学集成电路科学与工程学院南京国博电子股份有限公司射频集成与微组装技术国家地方联合工程实验室东南大学毫米波国家重点实验室微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室

基于0.25 μm GaN HEMT工艺设计了工作在0.4 GHz～6 GHz的单刀双掷(SPDT)射频开关芯片。为降低插入损耗，设计中通过在端口添加电感的方式进行端口电容补偿；为减小芯片面积，采用金丝键合等效电感的方式，同时版图设计中去除了传统的... 详细信息

基于0.25 μm GaN HEMT工艺设计了工作在0.4 GHz～6 GHz的单刀双掷(SPDT)射频开关芯片。为降低插入损耗，设计中通过在端口添加电感的方式进行端口电容补偿；为减小芯片面积，采用金丝键合等效电感的方式，同时版图设计中去除了传统的传输线连接，串管与并管均直接连接到同一个信号焊盘，有效降低了传输线造成的损耗，也大幅度减小了芯片的面积。此外，并管使用管芯叠加的方式，通过平均分压增加了芯片的功率容量。芯片流片测试结果表明：插入损耗小于0.5 dB，隔离度大于21 dB，回波损耗大于20 dB，功率容量P-0.1dB为48 dBm，脉冲测试下P-0.1 dB为52 dBm，面积仅为1 mm2。

关键词：大功率低插损单刀双掷射频开关氮化镓高电子迁移率晶体管

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一种基于BSIM-CMG的FinFET变容管模型

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半导体技术 2018年第1期43卷 42-47页

作者：朱袁科李文钧陆海燕刘军杭州电子科技大学教育部射频电路与系统重点实验室杭州310037 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成电路和模块电路重点实验室南京210016

提出了一种适用于FinFET变容管的建模方法。在BSIM-CMG的基础上,模型采用衬底模型和外围寄生模型来表征变容管的射频寄生效应。提出了具体的参数提取方法,将测试的S参数导入到安捷伦IC-CAP建模软件提取参数,测试结构引入高频寄生采用（o... 详细信息

提出了一种适用于FinFET变容管的建模方法。在BSIM-CMG的基础上,模型采用衬底模型和外围寄生模型来表征变容管的射频寄生效应。提出了具体的参数提取方法,将测试的S参数导入到安捷伦IC-CAP建模软件提取参数,测试结构引入高频寄生采用（open＋short）去嵌方法进行去嵌。通过调节模型参数拟合测试曲线得到FinFET变容管模型。该模型可精确表述FinFET变容管全工作区域特性,解决传统MOS变容管模型无法准确描述三维FinFET器件变容特性的问题。模型和模型参数提取方法采用20个硅鳍、16个栅指、158 nm栅长、578 nm栅宽的FinFET变容管进行建模验证,模型仿真和测试所得C-V,R-V和S参数特性吻合良好。

关键词： FinFET 变容管 BSIM-CMG 参数提取模型

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一种MEMS开关驱动电路的设计

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电子器件 2017年第2期40卷 361-365页

作者：孙俊峰朱健李智群郁元卫钱可强南京电子器件研究所南京210016 东南大学射频与光电集成电路研究所南京210096 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016 东南大学集成电路学院南京210096

静电驱动MEMS开关可靠工作需要较高的驱动电压,大多数射频前端系统很难直接提供,因此需要一种实现电压转换和控制的专用芯片,以满足MEMS开关的实用化需要。基于200 V SOI CMOS工艺设计的高升压倍数MEMS开关驱动电路,采用低击穿电压的Coc... 详细信息

静电驱动MEMS开关可靠工作需要较高的驱动电压,大多数射频前端系统很难直接提供,因此需要一种实现电压转换和控制的专用芯片,以满足MEMS开关的实用化需要。基于200 V SOI CMOS工艺设计的高升压倍数MEMS开关驱动电路,采用低击穿电压的Cockcroft-Walton电荷泵结构,结合特有的Trench工艺使电路的性能大大提高。仿真结果显示驱动电路在5 V电源电压、0.2 pF电容和1 GΩ电阻并联负载下,输出电压达到82.7 V,满足大多数MEMS开关对高驱动电压的需要。

关键词：电荷泵 MEMS开关升压倍数 SOI Trench工艺

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高电流密度金刚石肖特基势垒二极管研究

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固体电子学研究与进展 2019年第2期39卷 77-80,85页

作者：郁鑫鑫周建军王艳丰邱风孔月婵王宏兴陈堂胜南京电子器件研究所微波毫米波单片和模块电路重点实验室南京210016 西安交通大学电子与信息工程学院西安710049

报道了一种具有高正向电流密度和高反向击穿场强的垂直型金刚石肖特基势垒二极管器件。采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)技术在高掺p^+单晶金刚石衬底上外延了一层275 nm厚的低掺p^-金刚石漂移层,并通过在样品背面和正面分别制备欧... 详细信息

报道了一种具有高正向电流密度和高反向击穿场强的垂直型金刚石肖特基势垒二极管器件。采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)技术在高掺p^+单晶金刚石衬底上外延了一层275 nm厚的低掺p^-金刚石漂移层,并通过在样品背面和正面分别制备欧姆和肖特基接触电极完成了器件的研制。欧姆接触比接触电阻率低至1.73×10^(-5)Ω·cm^2,肖特基接触理想因子1.87,势垒高度1.08 eV。器件在正向-10 V电压时的电流密度达到了22 000 A/cm^2,比导通电阻0.45 mΩ·cm^2,整流比1×10^(10)以上。器件反向击穿电压110 V,击穿场强达到了4 MV/cm。

关键词：金刚石肖特基二极管高电流密度

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一种改进的增强型GaNHEMT大信号模型

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半导体技术 2015年第12期40卷 904-910页

作者：陈秋芬李文钧刘军陆海燕韩春林杭州电子科技大学教育部射频电路与系统重点实验室杭州310037 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路国家级重点实验室南京210016

提出一种改进的增强型GaN HEMT器件建模大信号模型。模型沟道电流方程和电荷方程均连续且高阶可导,栅电荷模型满足电荷守恒原则。提出的沟道电流模型可精确拟合实际器件正、反向区、截止区以及亚阈值区的直流特性。根据GaN HEMT器件特... 详细信息

提出一种改进的增强型GaN HEMT器件建模大信号模型。模型沟道电流方程和电荷方程均连续且高阶可导,栅电荷模型满足电荷守恒原则。提出的沟道电流模型可精确拟合实际器件正、反向区、截止区以及亚阈值区的直流特性。根据GaN HEMT器件特有的物理结构和电学特性,器件的自热效应、电流崩塌效应以及跨导频率分布效应在模型中进行了考虑。模型采用Verilog-A语言进行描述,并编译、链接入Agilent ADS工具。验证结果表明,模型仿真和测试数据在宽的偏压和频率范围内得到很好地吻合。

关键词：增强型GaN HEMT 大信号模型沟道电流模型栅电荷模型 Verilog-A语言

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4 bit相位量化ADC设计与实现

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固体电子学研究与进展 2014年第3期34卷 206-210页

作者：张敏张有涛李晓鹏陈新宇杨磊南京电子器件研究所南京210016 南京国博电子有限公司南京210016 微波毫米波单片集成电路与模块国家重点实验室南京210016

分析了应用于DRFM系统的4bit相位ADC原理并介绍了一种4bit相位ADC电路结构,该电路采用类似于幅度ADC的Flash拓扑在标准半导体工艺下设计并实现,芯片面积2.3mm×1.7mm,功耗620mW,数字输出满足LVDS电平标准。测试结果显示该ADC瞬时带... 详细信息

分析了应用于DRFM系统的4bit相位ADC原理并介绍了一种4bit相位ADC电路结构,该电路采用类似于幅度ADC的Flash拓扑在标准半导体工艺下设计并实现,芯片面积2.3mm×1.7mm,功耗620mW,数字输出满足LVDS电平标准。测试结果显示该ADC瞬时带宽高于1GHz,动态范围大于26dB。

关键词：模数转换器相位量化数字射频存储器瞬时带宽

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硅基氮化镓异质结材料与多晶金刚石集成生长研究

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固体电子学研究与进展 2021年第1期41卷 18-23页

作者：杨士奇任泽阳张金风何琦苏凯张进成郭怀新郝跃西安电子科技大学微电子学院宽带隙半导体技术国防重点学科实验室西安710071 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

在50.8 mm(2英寸)硅基氮化镓异质结半导体材料上采用低压等离子体化学气相沉积方法淀积100 nm厚度的氮化硅材料,然后采用微波等离子体化学气相沉积设备在氮化硅层上方实现多晶金刚石材料的外延生长。采用氮化硅作为过渡层和保护层有效... 详细信息

在50.8 mm(2英寸)硅基氮化镓异质结半导体材料上采用低压等离子体化学气相沉积方法淀积100 nm厚度的氮化硅材料,然后采用微波等离子体化学气相沉积设备在氮化硅层上方实现多晶金刚石材料的外延生长。采用氮化硅作为过渡层和保护层有效调控了材料应力,保护了氮化镓基材料在多晶外延过程中被氢等离子体刻蚀,使得外延前后氮化物异质结材料特性未发生明显退化。透射电子显微镜测试结果显示,样品具有良好的界面且在金刚石的晶界上存在非金刚石相。本次研究成功实现了氮化镓金刚石的异质集成生长,这对采用金刚石解决氮化镓基HEMT器件的散热问题具有重要意义。

关键词：金刚石氮化镓异质外延

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柔性热管的研究进展与展望

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中国材料进展 2018年第12期37卷 1025-1032,1047页

作者：陶鹏常超郭怀新陈寰贝尚文邓涛上海交通大学材料科学与工程学院金属基复合材料国家重点实验室上海200240 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室江苏南京210016 南京电子器件研究所江苏南京210016

现代电子设备的大功率化、高度集成化、微型化、柔性化发展趋势对先进的热管理材料和技术提出了迫切需求。基于气液相变的热管技术是一种高效的热管理手段,然而传统的刚性热管满足不了复杂结构、狭小空间的微型电子元器件以及可折叠电... 详细信息

现代电子设备的大功率化、高度集成化、微型化、柔性化发展趋势对先进的热管理材料和技术提出了迫切需求。基于气液相变的热管技术是一种高效的热管理手段,然而传统的刚性热管满足不了复杂结构、狭小空间的微型电子元器件以及可折叠电子器件的高性能散热需要,发展新型柔性热管技术有望克服上述问题,具有重要意义。系统介绍了柔性热管的基础理论、结构设计、材料加工、器件制备等方面的研究进展,以及其在航空航天、电子产品等领域的实际应用。基于柔性热管的发展历程和研究现状,对该领域今后的研究和发展方向做出了展望。

关键词：柔性热管气液相变热阻导热率

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LNOI阵列波导光栅的设计与制备

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光电子技术 2021年第4期41卷 258-261页

作者：王琛全周奉杰顾晓文唐杰钱广微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016 南京电子器件研究所南京210016

基于薄膜铌酸锂(Lithium Niobate on insulator,LNOI)材料平台,设计并制备了中心波长1550 nm、4通道且通道间隔为400 GHz的阵列波导光栅,并完成了LNOI波导端面抛光。测试结果表明,该阵列波导光栅相邻通道间串扰约-7.5 dB,通道非均匀性小... 详细信息

基于薄膜铌酸锂(Lithium Niobate on insulator,LNOI)材料平台,设计并制备了中心波长1550 nm、4通道且通道间隔为400 GHz的阵列波导光栅,并完成了LNOI波导端面抛光。测试结果表明,该阵列波导光栅相邻通道间串扰约-7.5 dB,通道非均匀性小于0.5 dB,中心波长1551.3 nm,但存在较大插入损耗,约27.2 dB。该研究工作对研制高性能LNOI阵列波导光栅具有重要推动作用。

关键词：薄膜铌酸锂阵列波导光栅波分复用

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双模式高集成负电荷泵电路设计

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固体电子学研究与进展 2020年第1期40卷 53-59页

作者：李亚军李晓鹏张有涛刘洁陈新宇杨磊南京国博电子有限公司南京210016 南京电子器件研究所南京210016 东南大学射频与光电集成电路研究所南京210096 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016 中国空间技术研究院西安分院西安710100

提出了一种新颖的双模式高集成开关电容电荷泵。该电荷泵集成高频振荡器、电平移位、逻辑驱动以及4个功率MOSFET开关。与传统电荷泵相比,该电路可以工作在单电源以及双电源两种模式。单电源模式下,输出电压为-VCC;双电源模式下,输出电压... 详细信息

提出了一种新颖的双模式高集成开关电容电荷泵。该电荷泵集成高频振荡器、电平移位、逻辑驱动以及4个功率MOSFET开关。与传统电荷泵相比,该电路可以工作在单电源以及双电源两种模式。单电源模式下,输出电压为-VCC;双电源模式下,输出电压为-3×VCC。电路采用0.35μm BCD工艺实现。测试结果表明:室温时,单电源模式和双电源模式下电荷泵输出电流分别为36 mA和80 mA时输出电压分别为-3.07 V和-12.10 V。在-55℃到125℃温度范围内,单电源模式和双电源模式下电荷泵输出电流分别为24 mA和50 mA时输出电压分别低于-3.06 V和-12.35 V。该电荷泵在两种模式下工作特性良好,已应用于相关工程项目。

关键词：负电荷泵双模式高集成开关电容

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