检索结果-内蒙古大学图书馆

2020年全国微波毫米波会议

作者：郁元卫黄旼张洪泽朱健张斌张君直微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京电子器件研究所

在硅基板或者CMOS圆片上通过异质异构集成集成化合物半导体、CMOS、MEMS芯片、等,充分发挥材料、器件与结构的优势,使射频电路最优化获得高频、高速、宽带、大功率的特性,推进射频前端集成化、多功能化和智能化。本文分析了射频微系统... 详细信息

在硅基板或者CMOS圆片上通过异质异构集成集成化合物半导体、CMOS、MEMS芯片、等,充分发挥材料、器件与结构的优势,使射频电路最优化获得高频、高速、宽带、大功率的特性,推进射频前端集成化、多功能化和智能化。本文分析了射频微系统的国内外主要研究的技术特点,介绍了硅基射频微系统1.0版本的工艺规则和多用户流程能力,具备TSV尺寸30um:200um、堆叠集成4层硅圆片、可支持0.1-40GHz频段的三维异构集成传输的能力。以一个复杂多功能变频接收射频模组为例,介绍了该射频模组的设计和工艺技术难点,实现了X波段8通道接收变频集成功能,是传统组件体积的1/100。

关键词：微系统异构集成三维集成射频前端

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X波段氮化镓高效率功率放大器MMIC

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通信电源技术 2022年第9期39卷 13-15页

作者：李文龙陶洪琪余旭明南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室江苏南京210016

基于0.25μm栅长的GaN高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistor,HEMT)工艺,采用三级放大拓扑电路结构,研制出了一款X波段宽带GaN高效率功率放大器芯片。使用LoadPull测试方法得到了GaN HEMT管芯的最佳输出效率和最佳输出... 详细信息

基于0.25μm栅长的GaN高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistor,HEMT)工艺,采用三级放大拓扑电路结构,研制出了一款X波段宽带GaN高效率功率放大器芯片。使用LoadPull测试方法得到了GaN HEMT管芯的最佳输出效率和最佳输出功率匹配的阻抗位置。输出匹配和级间匹配结构均使用损耗较低的电抗结构,以提高功率效率。测试结果表明,该放大器在8~12 GHz频段内,小信号增益>30dB,脉冲饱和输出功率达到22 W,全频段附加效率>51%,9.5 GHz最高效率达到57%。

关键词： GaN X波段功率放大器高效率

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高频柔性石墨烯FET器件研制

高频柔性石墨烯FET器件研制

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第13届全国MOCVD学术会议

作者：霍帅吴云周建军南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室

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LNOI光电子集成芯片技术

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光电子技术 2019年第3期39卷 168-177页

作者：韩春林钱广胡国华微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016 中国电子科技集团公司第五十五研究所南京210016 东南大学先进光子学中心南京210096

介绍了LNOI材料、光波导制备、光耦合和器件技术方面的研究进展,并针对LNOI材料在光电集成芯片方面的发展进行了展望。

关键词：薄膜铌酸锂绝缘层上铌酸锂集成微波光子光电集成

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Al组分渐变势垒层对AlGaN/GaN HEMT栅电流的影响

Al组分渐变势垒层对AlGaN/GaN HEMT栅电流的影响

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第13届全国MOCVD学术会议

作者：李传皓李忠辉彭大青潘磊张东国微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京电子器件研究所南京210016

引起常规AlGaN/GaN HEMT器件栅电流的主要机制为肖特基势垒隧穿和热电子发射,两者发生概率均与势垒高度密切相关.常规AlGaN/GaN HEMT势垒高度约为1eV,栅极正偏电压较大时会出现正向导通,使器件无法在较大偏压下工作[1].为抑制栅电流,提...

引起常规AlGaN/GaN HEMT器件栅电流的主要机制为肖特基势垒隧穿和热电子发射,两者发生概率均与势垒高度密切相关.常规AlGaN/GaN HEMT势垒高度约为1eV,栅极正偏电压较大时会出现正向导通,使器件无法在较大偏压下工作[1].为抑制栅电流,提出一种AlGaN势垒层Al组分渐变的AlGaN/GaN HEMT结构,其中势垒层厚度22nm,栅源、栅漏距离均为3 μ m.

关键词：

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基于InP DHBT工艺的32.2 GHz超高速全加器

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固体电子学研究与进展 2019年第2期39卷 97-101页

作者：李晓鹏王志功张有涛张敏程伟张翼陈新宇东南大学南京210096 南京国博电子有限公司南京210016 南京电子器件研究所南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016 南京邮电大学微电子学院南京210046

介绍了一种基于0.7μm磷化铟(InP)双异质结双极型晶体管(DHBT)工艺的超高速全加器,将加法运算与数据同步锁存融合设计来提高计算速度,采用多数决定运算法则设计单层晶体管并联型进位电路来降低功耗。测试结果表明,全加器的最高时钟频率... 详细信息

介绍了一种基于0.7μm磷化铟(InP)双异质结双极型晶体管(DHBT)工艺的超高速全加器,将加法运算与数据同步锁存融合设计来提高计算速度,采用多数决定运算法则设计单层晶体管并联型进位电路来降低功耗。测试结果表明,全加器的最高时钟频率达32.2 GHz,包含锁存器的全加器整体电路功耗为350 mW。

关键词：全加器双异质结双极型晶体管磷化铟超高速电路电流模逻辑

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13~15.5 GHz GaN 20 W高效率功率放大器芯片

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通信电源技术 2020年第9期37卷 45-48页

作者：金辉陶洪琪余旭明南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室江苏南京210016

设计了一款采用0.20μm GaN HEMT工艺研制的13~15.5 GHz功率放大器芯片。基于loadpull测试获得GaN HEMT管芯的最佳输出功率和最佳效率阻抗。此外,设计了一种宽带低损耗输出匹配电路,提高了功放芯片的功率及附加效率,并将输出匹配电路中... 详细信息

设计了一款采用0.20μm GaN HEMT工艺研制的13~15.5 GHz功率放大器芯片。基于loadpull测试获得GaN HEMT管芯的最佳输出功率和最佳效率阻抗。此外,设计了一种宽带低损耗输出匹配电路,提高了功放芯片的功率及附加效率,并将输出匹配电路中的单电容改为双电容串联的形式,降低了电容极板的电场强度,提高了芯片的可靠性。该芯片在13~15.5 GHz频率范围内,漏压28 V(100μs脉宽,10%占空比)条件下,线性增益大于30 dB,功率增益大于24 dB,典型饱和输出功率为20 W,附加效率>42%,最高效率达到47%;漏压连续波条件下,典型饱和输出功率达到16 W,附加效率>31%,最高效率达到35%;芯片面积为3 mm×3 mm。

关键词： GaN Ku波段功率放大器高效率

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5G通信用MEMS表贴滤波器

5G通信用MEMS表贴滤波器

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2017年全国微波毫米波会议

作者：侯芳吴昊王文岩郁元卫南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室

MEMS技术因工艺精度高、设计灵活,是未来5G基站用关键器件技术。本文介绍了MEMS滤波器在5G基站中的应用前景,针对5G重点候选频段,研制了一款小型化MEMS表贴滤波器,装配测试结果表明:该滤波器通带为27.6-29.1GHz,反射损耗优于12d B,通带... 详细信息

MEMS技术因工艺精度高、设计灵活,是未来5G基站用关键器件技术。本文介绍了MEMS滤波器在5G基站中的应用前景,针对5G重点候选频段,研制了一款小型化MEMS表贴滤波器,装配测试结果表明:该滤波器通带为27.6-29.1GHz,反射损耗优于12d B,通带插损约为1.7d B,在25.9GHz处带外抑制为32d B。在31.4GHz处带外抑制为44d B。芯片尺寸仅为:5.2mm×6.3mm×0.4mm。考虑工艺误差影响,设计与测试结果吻合良好,该芯片因体积小、性能优可广泛用于5G通信中。

关键词： 5G MEMS滤波器倒扣焊

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小型化MEMS高通滤波器研究

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自动化与仪器仪表 2017年第8期 63-65页

作者：朱锋陶子文郁元卫朱健南京电子器件研究所南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

介绍了一种小型高性能的高通滤波器,该高通滤波器利用两层硅片来实现悬置带线的结构,采用立体布线和通孔的方式来接地,运用HFSS三维电磁场仿真软件设计出了一款截止频率为7.6GHz的MEMS高通滤波器,运用MEMS工艺在两层硅衬底上进行了样品... 详细信息

介绍了一种小型高性能的高通滤波器,该高通滤波器利用两层硅片来实现悬置带线的结构,采用立体布线和通孔的方式来接地,运用HFSS三维电磁场仿真软件设计出了一款截止频率为7.6GHz的MEMS高通滤波器,运用MEMS工艺在两层硅衬底上进行了样品的研制。样品取得了良好的测试结果,其中通带内的插入损耗小于1.2d B,通带回波损耗小于10.9d B。

关键词：高通滤波器立体布线 MEMS

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片上集成三通道MEMS开关滤波技术

片上集成三通道MEMS开关滤波技术

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2018年全国微波毫米波会议

作者：侯芳王文岩刘梓枫朱健南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室

本文主要介绍了一种小型化的基于MEMS技术的片上集成开关滤波技术,该芯片由3个分别工作在6.1-7.9GHz、7.9-9.9GHz、9.9-11.9GHz的滤波器和2个PIN单刀四掷开关组成。测试结果表明:开关滤波器导通后中心插损最大约4.7dB,带边1GHz处带外抑... 详细信息

本文主要介绍了一种小型化的基于MEMS技术的片上集成开关滤波技术,该芯片由3个分别工作在6.1-7.9GHz、7.9-9.9GHz、9.9-11.9GHz的滤波器和2个PIN单刀四掷开关组成。测试结果表明:开关滤波器导通后中心插损最大约4.7dB,带边1GHz处带外抑制约为40dB。开关芯片尺寸仅为:13mm×12mm×0.8mm,为传统开关滤波组件体积的1/100。考虑工艺误差影响,设计与测试结果吻合良好,该芯片因体积小、性能优可广泛用于射频前端系统。

关键词：集成 MEMS滤波器

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