定量地分析了输入谐波控制理论对功放效率的影响。同时,选用了南京电子器件研究所的0.25μm GaN HEMT器件,并对该GaN HEMT器件进行了负载牵引仿真和大信号仿真。根据仿真结果发现,通过输入谐波控制可以提升射频功率放大器的效率,在频带...
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定量地分析了输入谐波控制理论对功放效率的影响。同时,选用了南京电子器件研究所的0.25μm GaN HEMT器件,并对该GaN HEMT器件进行了负载牵引仿真和大信号仿真。根据仿真结果发现,通过输入谐波控制可以提升射频功率放大器的效率,在频带内能获得3~10%的效率提升。以此设计了一款X波段单级MMIC功放。经测试,该功放芯片在9.2~11.3 GHz范围内功率附加效率最大可以达到52.88%。
基于0.8μm GaN HEMT E/D集成工艺设计并制备了17级GaN环形振荡器,采用两级缓冲输出,共采用38个晶体管.对GaN增强型和耗尽型器件进行详细的直流以及微波小信号测试,基于以上测试进行了设计.研制的17级环形振荡器采用反相器闭环结构,基...
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基于0.8μm GaN HEMT E/D集成工艺设计并制备了17级GaN环形振荡器,采用两级缓冲输出,共采用38个晶体管.对GaN增强型和耗尽型器件进行详细的直流以及微波小信号测试,基于以上测试进行了设计.研制的17级环形振荡器采用反相器闭环结构,基波的振荡频率为197.5MHz,振荡周期为5.06ns,平均每级反相器延迟为148ps.
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