检索结果-内蒙古大学图书馆

2012全国第十四届微波集成电路与移动通信学术年会

作者：邵凯南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

GaN HEMT技术的日益成熟为军民两个领域的应用带来了新一代微波大功率固态放大器,它比GaAs高一个数量级的输出功率密度是最吸引人的优点.但高输出功率密度同时也带来了高的电源消耗和热功耗.如果不解决这一问题,将给应用系统带来灾难性... 详细信息

GaN HEMT技术的日益成熟为军民两个领域的应用带来了新一代微波大功率固态放大器,它比GaAs高一个数量级的输出功率密度是最吸引人的优点.但高输出功率密度同时也带来了高的电源消耗和热功耗.如果不解决这一问题,将给应用系统带来灾难性后果.本文叙述了提高功放效率减少功耗的主要技术途径,报告了微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室与南京电子器件研究所在这方面的初步实验结果.如何实现GaN HEMT高效率工作是当前研究的热点，在高频段大家都看好E类功放。目前在器件研究方面是要在保持较高功率密度的同时尽可能提高Fmax，e，在电路设计方面是要研究各种准E类工作模式，以达到同时实现高频、宽带、高效、高功率密度的目的。

关键词：微波大功率固态放大器输出功率密度调制信号工作模式

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基于正交实验的100mm4°偏轴SiC衬底外延均匀性研究

基于正交实验的100mm4°偏轴SiC衬底外延均匀性研究

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第13届全国MOCVD学术会议

作者：李赟赵志飞陆东赛朱志明李忠辉微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京电子器件研究所南京210016

本文采用行星热壁式SiC外延炉对100mm 4°偏轴4H-SiC衬底外延工艺进行了研究.分析了氢气预刻蚀工艺对外延材料表面形貌的影响.通过双指标正交实验研究了C/Si比、Cl/Si比、主氢流量、生长温度、三路气体比等工艺参数对外延材料掺杂... 详细信息

本文采用行星热壁式SiC外延炉对100mm 4°偏轴4H-SiC衬底外延工艺进行了研究.分析了氢气预刻蚀工艺对外延材料表面形貌的影响.通过双指标正交实验研究了C/Si比、Cl/Si比、主氢流量、生长温度、三路气体比等工艺参数对外延材料掺杂浓度及厚度均匀性影响的主次顺序，并给出了优化的外延参数.采用该工艺条件，在100mm4°偏轴4H-SiC衬底上生长的厚度6μm无台阶形貌的碳化硅外延层的片内厚度均匀性和浓度均匀性分别是1.23％和3.32％.

关键词：外延台阶形貌均匀性正交实验

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导热金刚石同大尺寸芯片的低温烧结银连接工艺

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固体电子学研究与进展 2021年第1期41卷 65-68页

作者：赵柯臣赵继文代兵张旭郭怀新孙华锐朱嘉琦哈尔滨工业大学特种环境复合材料技术国防科技重点实验室哈尔滨150080 哈尔滨工业大学工业和信息化部微纳光电信息系统重点实验室深圳518055 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

通过高导热银浆实现了连接大面积(>100 mm^(2))半导体硅片和金刚石的低温低压烧结技术。通过对金刚石表面镀覆金属薄膜,增强同烧结银界面处固态原子扩散,开发了商用烧结银膏在200℃下低温烧结工艺,得到金刚石-硅的均匀连接界面,计算... 详细信息

通过高导热银浆实现了连接大面积(>100 mm^(2))半导体硅片和金刚石的低温低压烧结技术。通过对金刚石表面镀覆金属薄膜,增强同烧结银界面处固态原子扩散,开发了商用烧结银膏在200℃下低温烧结工艺,得到金刚石-硅的均匀连接界面,计算得到孔隙率约为9.88%,中间烧结银层等效热阻约为1.38×10^(-5)m^(2)·K/W。

关键词：低温烧结银芯片散热金刚石大尺寸连接

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金辅助MBE法生长GaAs纳米线形貌研究

金辅助MBE法生长GaAs纳米线形貌研究

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第十届全国分子束外延学术会议

作者：尹志军高汉超张朱峰许晓军李忠辉南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

本文讨论了金辅助的固态分子束外延生长GaAs纳米线过程中，衬底温度对以上参数的影响。本实验使用GaAsB面衬底，衬底经过清洁后放入一台电子束蒸发台淀积一层lnm厚的金膜，然后放入一台Veeco GENII分子束外延设备。衬底首先在As束流保... 详细信息

本文讨论了金辅助的固态分子束外延生长GaAs纳米线过程中，衬底温度对以上参数的影响。本实验使用GaAsB面衬底，衬底经过清洁后放入一台电子束蒸发台淀积一层lnm厚的金膜，然后放入一台Veeco GENII分子束外延设备。衬底首先在As束流保护下加热至620℃保持一个小时，以生成金滴同时去除衬底表面氧化膜。

关键词：光电子材料纳米线分子束外延生长

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原位刻蚀对同质外延GaN薄膜晶体质量的影响

原位刻蚀对同质外延GaN薄膜晶体质量的影响

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第13届全国MOCVD学术会议

作者：罗伟科李亮李忠辉董逊彭大青张东国周建军许晓军南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

近二十多年来,三族氮化物由于其优异的性能,被广泛的应用到发光电子器件和电力电子器件领域[1,2],但由于高质量GaN同质衬底制备困难,并且价格昂贵,因此这些光电器件大多采用蓝宝石、碳化硅和硅等衬底通过异质外延方法获得。对于这些器...

近二十多年来,三族氮化物由于其优异的性能,被广泛的应用到发光电子器件和电力电子器件领域[1,2],但由于高质量GaN同质衬底制备困难,并且价格昂贵,因此这些光电器件大多采用蓝宝石、碳化硅和硅等衬底通过异质外延方法获得。对于这些器件性能的进一步提高,同质外延技术的研究显得尤为重要[3]。本文研究了在MOCVD系统中高温原位刻蚀技术对GaN同质外延生长的影响。在高温条件下,H2+NH3混合气体对GaN有较强的刻蚀效果,随着NH3在混合气体中的比例的增加,刻蚀速率降低,GaN表面分解形成的金属Ga滴逐渐减少至完全消失,最终在GaN表面有大量规则的六角微结构形成,如图(a)所示。

关键词：

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GaN HFET中的陷阱和电子在强场下的输运行为

GaN HFET中的陷阱和电子在强场下的输运行为

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2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会

作者：薛舫时南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京 210016

宽禁带GaN HFET击穿电压高、二维电子气密度和迁移率高,达到了很高的输出功率和PAE.但是器件射频工作中的电流崩塌限制了器件的射频工作性能,更影响了其可靠性和实际应用.目前普遍采用陷阱引起的虚栅模型来研究.在传统陷阱理论中,都用...

宽禁带GaN HFET击穿电压高、二维电子气密度和迁移率高,达到了很高的输出功率和PAE.但是器件射频工作中的电流崩塌限制了器件的射频工作性能,更影响了其可靠性和实际应用.目前普遍采用陷阱引起的虚栅模型来研究.在传统陷阱理论中,都用禁带中的束缚能级和俘获截面来表征.虽然许多作者使用各种测试方法进行了深入的研究,但是用不同方法测得不同器件中的陷阱能级相差1～2eV,俘获截面相差3个量级.而且测试结果依赖于器件所加的电场环境.始终没有找到合理的微观陷阱模型.

关键词：

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毫米波10W GaN HEMT功率MMIC

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固体电子学研究与进展 2012年第5期32卷 F0003-F0003页

作者：陶洪琪余旭明任春江李忠辉陈堂胜张斌南京电子器件研究微波毫米波单片集成与模块电路重点实验室南京210016

GaNHEMT具有工作电压高、功率密度大、输出阻抗高、散热性能好等特点，大大扩展了微波功率MMIC的设计空间。特别是在毫米波段，基于GaAspHEMT的毫米波功率MMIC产品工作电压普遍只有6V左右，限制了其进一步提升输出功率的能力。GaNHEMT... 详细信息

GaNHEMT具有工作电压高、功率密度大、输出阻抗高、散热性能好等特点，大大扩展了微波功率MMIC的设计空间。特别是在毫米波段，基于GaAspHEMT的毫米波功率MMIC产品工作电压普遍只有6V左右，限制了其进一步提升输出功率的能力。GaNHEMT在毫米波段的工作电压可高达20～24V甚至更高，其在毫米波波段的输出功率能力同样强劲，输出功率密度可高达10W／mm以上，结合SiC衬底优良的散热能力，使其在毫米波段可获得比GaAs技术更好的性能表现。

关键词：毫米波段功率密度 MMIC HEMT GaN 工作电压散热能力 GaAs技术

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基于石墨烯的太赫兹探测器件设计及制备工艺研究

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微纳电子与智能制造 2022年第4期4卷 112-119页

作者：侯文强赵吉平吴云孔月婵陈堂胜徐友龙西安交通大学电子科学与工程学院西安710049 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

近年来,石墨烯薄膜在太赫兹探测领域的研究已经成为热点。石墨烯太赫兹探测器在室温下的探测灵敏度较高,响应速度快,展现出了与其他探测技术竞争的潜力。本文首先介绍了太赫兹探测器的分类以及原理,然后重点从结构上介绍了石墨烯太赫兹... 详细信息

近年来,石墨烯薄膜在太赫兹探测领域的研究已经成为热点。石墨烯太赫兹探测器在室温下的探测灵敏度较高,响应速度快,展现出了与其他探测技术竞争的潜力。本文首先介绍了太赫兹探测器的分类以及原理,然后重点从结构上介绍了石墨烯太赫兹探测器的3大组成部分:晶体管沟道处的高质量石墨烯薄膜、针对目标探测频段设计的太赫兹天线以及器件整体结构的设计和制备工艺,并且就各部分的关键技术与难点给出了可能的解决途径。最后,本文讨论了石墨烯太赫兹探测器当前的现状及未来的发展所面临的挑战。

关键词：石墨烯场效应晶体管太赫兹探测器天线

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含厚AlGaN过渡层的Si基GaN材料的MOCVD生长技术研究

含厚AlGaN过渡层的Si基GaN材料的MOCVD生长技术研究

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第13届全国MOCVD学术会议

作者：倪金玉郁鑫鑫潘磊董逊孔岑周建军李忠辉孔月婵陈堂胜南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

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fmax=325GHz的多指共基极InGaAs／InPDHBT

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固体电子学研究与进展 2011年第5期31卷 F0003-F0003页

作者：程伟赵岩王元陆海燕高汉超陈辰杨乃彬南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

数字化和高频化是现代雷达和通信系统的两个重要发展方向。InPDHBT具有十分优异的高频特性、良好的器件一致性、高线性度以及极低的1／f噪声等优点，因而在超高速数模混合电路、毫米波／亚毫米波单片集成电路方面具有广阔应用前景。南... 详细信息

数字化和高频化是现代雷达和通信系统的两个重要发展方向。InPDHBT具有十分优异的高频特性、良好的器件一致性、高线性度以及极低的1／f噪声等优点，因而在超高速数模混合电路、毫米波／亚毫米波单片集成电路方面具有广阔应用前景。南京电子器件研究所基于76．2mm圆片工艺，研制出fmax达325GHz的四指共基极InPDHBT器件，击穿电压大于10V。

关键词： InGaAs 共基极毫米波单片集成电路南京电子器件研究所数模混合电路 1/f噪声 HBT器件通信系统

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