检索结果-内蒙古大学图书馆

固体电子学研究与进展 2013年第5期33卷封3页

作者：吴云周建军霍帅陆海燕孔月婵陈堂胜南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

石墨烯具有高电子迁移率和高热导率等优良特性,在毫米波、亚毫米波乃至太赫兹器件、超级计算机等方面具有广阔的应用前景.南京电子器件研究所成功在76.2 mm(3英寸)Si衬底上转移CVD法制备了石墨烯材料,并以自对准、Ti自氧化缓冲等工艺研... 详细信息

石墨烯具有高电子迁移率和高热导率等优良特性,在毫米波、亚毫米波乃至太赫兹器件、超级计算机等方面具有广阔的应用前景.南京电子器件研究所成功在76.2 mm(3英寸)Si衬底上转移CVD法制备了石墨烯材料,并以自对准、Ti自氧化缓冲等工艺研制出了石墨烯场效应晶体管(FET)器件.CVD法制备的石墨烯配合相应的转移方法可获得大面积高质量的石墨烯薄膜(图1).图2是所研制0.2μm栅长石墨烯器件的输出特性和小信号特性测试结果.100 μm栅宽器件在0.5 V漏压下获得漏电流为0.55 A/mm,跨导127 mS/mm,电流增益截止频率fΥ达到42 GHz.

关键词：晶片级石墨射频太赫兹器件亚毫米波高电子迁移率场效应晶体管小信号特性超级计算机转移优良特性应用前景输出特性截止频率工艺研制高热导率法制电子器件电流增益测试结果

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基于InP DHBT工艺的140～220GHz单片集成放大器

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固体电子学研究与进展 2015年第5期35卷 513-页

作者：程伟王元孙岩陆海燕常龙谢俊领牛斌微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京电子器件研究所南京210016

磷化铟双异质结双极型晶体管（InP DHBT）具有超高频、高击穿等优点,在亚毫米波/太赫兹单片集成功率放大器应用方面具有独特优势。国外已研制出基于InP DHBT工艺的220 GHz、200 mW单片集成功率放大器以及700 mW功率放大模块。南京电子... 详细信息

磷化铟双异质结双极型晶体管（InP DHBT）具有超高频、高击穿等优点,在亚毫米波/太赫兹单片集成功率放大器应用方面具有独特优势。国外已研制出基于InP DHBT工艺的220 GHz、200 mW单片集成功率放大器以及700 mW功率放大模块。南京电子器件研究所基于76.2 mm InP DHBT圆片工艺研制出140220 GHz单片集成放大器,该电路采用了功率增益截止频率(fmax)超过500 GHz的InP DHBT器件,如图1所示。测试结果表明,该电路在140 GHz、200 GHz以及220

关键词：单片集成 Hz InP DHBT 磷化铟截止频率圆片功率增益太赫兹亚毫米波

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InP HBT/Si CMOS 13 GSps 1:16异构集成量化降速芯片

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固体电子学研究与进展 2018年第1期38卷 F0003-F0003页

作者：吴立枢程伟张有涛王元李晓鹏陈堂胜南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

南京电子器件研究所通过外延层转移的方法在国内首次实现了InPHBT与Si MOSFET两种晶体管的单片异构集成，突破了InP HBT外延层转移、三维高密度异构互联、异构集成电路设计等关键技术，研制出13GSps 1：16异构集成量化降速芯片，如图1... 详细信息

南京电子器件研究所通过外延层转移的方法在国内首次实现了InPHBT与Si MOSFET两种晶体管的单片异构集成，突破了InP HBT外延层转移、三维高密度异构互联、异构集成电路设计等关键技术，研制出13GSps 1：16异构集成量化降速芯片，如图1所示，共包含453个0．7μm InP HBT器件与1036个0．18μm Si MOSFET器件。

关键词： HBT器件异构集成 InP Si CMOS 芯片降速量化

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电流增益截止频率为40GHz的柔性衬底石墨烯FET

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固体电子学研究与进展 2014年第3期34卷 F0003-F0003页

作者：吴云霍帅周建军南求电子器件研究所、微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

石墨烯自问世以来，因其优异的性能已在电子领域取得了显著的成果，成为全球研究的热点。兼具高电子迁移率以及优良机械韧性的优点，石墨烯同柔性衬底的结合有望突破柔性电子高频化的技术瓶颈，推进柔性电子的应用进程。

关键词：柔性衬底石墨截止频率电流增益 FET 电子领域高电子迁移率高频化

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基于InP HBT工艺的超高速静态及动态分频器

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固体电子学研究与进展 2014年第6期34卷 F0003-F0003页

作者：程伟张有涛王元陆海燕赵岩杨乃彬微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京电子器件研究所南京210016

磷化铟异质结双极型晶体管（InP HBT）具有超高速、高器件一致性、高击穿等优点，在超高速数模混合电路应用方面具有独特优势。南京电子器件研究所基于76．2mm InP HBT圆片工艺，研制出60GHz静态分频器以及92GHz动态分频器。图1为静态... 详细信息

磷化铟异质结双极型晶体管（InP HBT）具有超高速、高器件一致性、高击穿等优点，在超高速数模混合电路应用方面具有独特优势。南京电子器件研究所基于76．2mm InP HBT圆片工艺，研制出60GHz静态分频器以及92GHz动态分频器。图1为静态分频器测试结果，此电路可在2～60GHz范围内实现二分频。图2为动态分频器测试结果，此电路可在75～92GHz范围内实现二分频。

关键词：动态分频器 HBT工艺静态分频器超高速 InP 南京电子器件研究所异质结双极型晶体管电路应用

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MEMS层叠器件悬空结构划切方法研究

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电子工业专用设备 2019年第4期48卷 9-12页

作者：钱可强吴杰王冬蕊姜理利黄旼南京电子器件研究所南京210016 微波毫米波单片集成电路与模块国家级重点实验室南京210016

针对MEMS层叠器件悬空结构划切的各种缺陷,提出了分段进给式切割方法,通过多次切割同一个划切槽,切割深度依次增加,直到切割深度大于悬梁厚度,有效减小悬空结构底部崩边和裂纹。为解决划片槽覆盖有划切标记和介质钝化层的划片正面崩边问... 详细信息

针对MEMS层叠器件悬空结构划切的各种缺陷,提出了分段进给式切割方法,通过多次切割同一个划切槽,切割深度依次增加,直到切割深度大于悬梁厚度,有效减小悬空结构底部崩边和裂纹。为解决划片槽覆盖有划切标记和介质钝化层的划片正面崩边问题,进一步提出了预开槽分段进给式切割方案,用宽刀开槽,再用窄刀分段进给式切割,解决了悬空结构正面崩边和侧边裂纹等划切缺陷,使得崩边尺寸减小至10μm以内,大大提高成品率。

关键词：微机电系统层叠器件划片圆片级堆叠

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低真空条件下石墨烯薄膜的制备工艺研究

低真空条件下石墨烯薄膜的制备工艺研究

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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

作者： Yun Li 李赟 Zhijun Yin 尹志军 Zhiming Zhu 朱志明 Science and Technology on Monolithic Integrated Circuits and Modules Laboratory Nanfing Electronic 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京电子器件研究所南京 210016

本文利用水平热壁式CVD外延炉开展了SiC热分解法制备石墨烯薄膜的实验,主要研究了不同的真空热处理时间对石墨烯薄膜生长的影响。SiC衬底的氢气在线刻蚀处理和热分解在同一炉次进行,高温时反应室释放出之前吸附的氢气不能有效地被分子... 详细信息

本文利用水平热壁式CVD外延炉开展了SiC热分解法制备石墨烯薄膜的实验,主要研究了不同的真空热处理时间对石墨烯薄膜生长的影响。SiC衬底的氢气在线刻蚀处理和热分解在同一炉次进行,高温时反应室释放出之前吸附的氢气不能有效地被分子泵抽除,SiC衬底的有效碳化时间有限,实验发现热处理时间超过30分钟之后,石墨烯层数并无明显变化。进一步加长热处理时间,石墨烯样品中出现局部氢插入层。

关键词：石墨烯薄膜碳化硅衬底制备工艺性能评价低真空条件

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重P型掺杂GaAsSb费米能级研究

重P型掺杂GaAsSb费米能级研究

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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议

作者： Hanehao Gao 高汉超 Zhijun Yin 尹志军 Wei Cheng 程伟 Yuan Wang 王元 Xiaojun Xu 许晓军 Zhonghui Li 李忠辉 Science and Technology on Monolithic Integrated Circuits and Modules Laboratorys Nanjing Electronic 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京电子器件研究所南京 210016

重P型掺杂GaAsSb广泛用于InP HBT基区材料,重掺杂影响GaAsSb材料带隙和费米能级等重要参数,这些参数对设计高性能HBT起着关键作用。光荧光作为重要手段广泛用于研究重掺杂Ⅲ-Ⅴ族外延材料。本文通过光荧光方法研究了重掺杂GaAsSb费米能... 详细信息

重P型掺杂GaAsSb广泛用于InP HBT基区材料,重掺杂影响GaAsSb材料带隙和费米能级等重要参数,这些参数对设计高性能HBT起着关键作用。光荧光作为重要手段广泛用于研究重掺杂Ⅲ-Ⅴ族外延材料。本文通过光荧光方法研究了重掺杂GaAsSb费米能级与Sb组分的关系,由于费米能级与空穴有效质量mh和空穴态密度nh存在函数关系,通过荧光测量并计算了空穴有效质量mh和空穴态密度nh,研究结果表明,mh和nh共同主导了费米能级的变化。

关键词：化合物半导体基区材料重P型掺杂费米能级

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氮掺杂对氢终端金刚石射频器件特性的影响

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人工晶体学报 2021年第11期50卷 2045-2052页

作者：刘晓晨郁鑫鑫葛新岗姜龙李义锋安晓明郭辉河北省激光研究所石家庄050081 河北普莱斯曼金刚石科技有限公司石家庄050081 南京电子器件研究所微波毫米波单片和模块电路重点实验室南京210016 南京大学电子科学与工程学院南京210093

采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)技术,通过改变气源中的氮含量,得到不同结晶质量的单晶金刚石,通过激光切割以及抛光控制样品尺寸为5 mm×5 mm×0.5 mm,然后对样品进行表面氢化处理并研制了金刚石射频器件,系统研究了氮含... 详细信息

采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)技术,通过改变气源中的氮含量,得到不同结晶质量的单晶金刚石,通过激光切割以及抛光控制样品尺寸为5 mm×5 mm×0.5 mm,然后对样品进行表面氢化处理并研制了金刚石射频器件,系统研究了氮含量对金刚石材料晶体质量和金刚石射频器件性能的影响。随着氮含量的增加,虽然单晶金刚石生长速率有所增加,但是其拉曼半峰全宽(FWHM)、XRD摇摆曲线半峰全宽也逐渐增加,光致发光光谱中对应的NV缺陷逐渐增多,晶体结晶质量逐渐变差,不仅导致沟道载流子的迁移率出现退化,而且也使金刚石射频器件出现了严重的电流崩塌和性能退化问题。通过降低氮浓度,提升材料的结晶质量,沟道载流子迁移率得到显著提升,金刚石射频器件的电流崩塌得到有效抑制,电流增益截止频率f_(T)和功率增益截止频率f_(max)分别从17 GHz和22 GHz大幅度提升至32 GHz和53 GHz。

关键词：氮含量微波等离子体化学气相沉积晶体质量氢终端金刚石沟道载流子迁移率电流崩塌金刚石射频器件频率特性

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基于InP HBT工艺的100 GHz静态及动态分频器

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固体电子学研究与进展 2015年第4期35卷 F0003-F0003页

作者：程伟张有涛王元陆海燕常龙谢俊领微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京电子器件研究所南京210016

南京电子器件研究所基于76．2mm（3英寸）InP HBT圆片工艺，研制出最高工作频率达100GHz的静态分频器以及动态分频器。图1为静态分频器测试结果，此电路可在2～100GHz范围内实现二分频。图2为动态分频器测试结果，此电路可在75～100GHz... 详细信息

南京电子器件研究所基于76．2mm（3英寸）InP HBT圆片工艺，研制出最高工作频率达100GHz的静态分频器以及动态分频器。图1为静态分频器测试结果，此电路可在2～100GHz范围内实现二分频。图2为动态分频器测试结果，此电路可在75～100GHz范围内实现二分频。

关键词：动态分频器静态分频器 HBT工艺 InP 南京电子器件研究所工作频率二分频测试

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