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机构

  • 3 篇 南京电子器件研究...
  • 2 篇 南京电子器件研究...
  • 2 篇 杭州电子科技大学
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  • 1 篇 南京大学
  • 1 篇 南京电子器件研究...
  • 1 篇 南京国博电子有限...
  • 1 篇 微波毫米波单片集...
  • 1 篇 哈尔滨工业大学
  • 1 篇 南京电子器件研究...
  • 1 篇 南京电子器件研究...
  • 1 篇 微波毫米波单片集...

作者

  • 2 篇 朱健
  • 2 篇 liu jun
  • 2 篇 陆海燕
  • 2 篇 黄旼
  • 2 篇 刘军
  • 1 篇 lu haiyan
  • 1 篇 周文勇
  • 1 篇 刘斌
  • 1 篇 王冬蕊
  • 1 篇 周明
  • 1 篇 han chunlin
  • 1 篇 陈鹏
  • 1 篇 dai xinfeng
  • 1 篇 zhu jian
  • 1 篇 李晓鹏
  • 1 篇 li wenjun
  • 1 篇 张敏
  • 1 篇 魏翔
  • 1 篇 yu xiaofeng
  • 1 篇 zhang min

语言

  • 9 篇 中文
检索条件"机构=微波毫米波单片集成电路与模块国家级重点实验室"
9 条 记 录,以下是1-10 订阅
排序:
0.1~325 GHz频段InP DHBT器件在片测试结构建模
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红外与毫米波学报 2019年 第3期38卷 345-350,380页
作者: 徐忠超 刘军 钱峰 陆海燕 程伟 周文勇 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路国家级重点实验室 江苏南京210016 杭州电子科技大学教育部射频电路与系统重点实验室 浙江杭州310017
给出了 InP DHBT 器件在片测试用到的开路和短路结构的等效电路模型.模型拓扑结构基于物理结构建立并对其在亚毫米波段的高频寄生进行相对完整的考虑.模型的容性和阻性寄生采用解析提取技术从开路结构低频测试数据中获取.模型的高频趋... 详细信息
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664GHz接收前端技术研究
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微波学报 2015年 第S1期31卷 14-17页
作者: 姚常飞 周明 罗运生 魏翔 张君直 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室 南京210016 南京电子器件研究所微波毫米波模块电路事业部 南京210016
基于X波段源,通过9×2×2次倍频链实现了输出约1-2m W的320-356GHz全固态倍频源。该信号源作为本振信号驱动664GHz接收前端的二次谐波混频器,该混频器采用了有源偏置技术以降低混频器的本振驱动功率和接收机的噪声温度。仿真结... 详细信息
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微波等离子体化学气相沉积法合成高导热金刚石材料及器件应用进展
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硅酸盐学报 2022年 第7期50卷 1852-1864页
作者: 赵继文 郝晓斌 赵柯臣 李一村 张森 刘康 代兵 郭怀新 韩杰才 朱嘉琦 哈尔滨工业大学 特种环境复合材料技术国家级重点实验室哈尔滨150080 南京电子器件研究所 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210006 哈尔滨工业大学 微系统与微结构制造教育部重点实验室哈尔滨150080
随着第3代半导体的应用,电子器件向高功率、小型化发展,由此带来的“热”问题逐渐凸显,金刚石由于其超高的热导率及稳定的性质,被认为是最优的散热材料之一。简要介绍了微波等离子体化学气相沉积装备的原理及发展历程,对比分析了不同种... 详细信息
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4 bit相位量化ADC设计与实现
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固体电子学研究与进展 2014年 第3期34卷 206-210页
作者: 张敏 张有涛 李晓鹏 陈新宇 杨磊 南京电子器件研究所 南京210016 南京国博电子有限公司 南京210016 微波毫米波单片集成电路与模块国家重点实验室 南京210016
分析了应用于DRFM系统的4bit相位ADC原理并介绍了一种4bit相位ADC电路结构,该电路采用类似于幅度ADC的Flash拓扑在标准半导体工艺下设计并实现,芯片面积2.3mm×1.7mm,功耗620mW,数字输出满足LVDS电平标准。测试结果显示该ADC瞬时带... 详细信息
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MEMS层叠器件悬空结构划切方法研究
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电子工业专用设备 2019年 第4期48卷 9-12页
作者: 钱可强 吴杰 王冬蕊 姜理利 黄旼 南京电子器件研究所 南京210016 微波毫米波单片集成电路与模块国家级重点实验室 南京210016
针对MEMS层叠器件悬空结构划切的各种缺陷,提出了分段进给式切割方法,通过多次切割同一个划切槽,切割深度依次增加,直到切割深度大于悬梁厚度,有效减小悬空结构底部崩边和裂纹。为解决划片槽覆盖有划切标记和介质钝化层的划片正面崩边问... 详细信息
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一种改进的增强型GaNHEMT大信号模型
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半导体技术 2015年 第12期40卷 904-910页
作者: 陈秋芬 李文钧 刘军 陆海燕 韩春林 杭州电子科技大学教育部射频电路与系统重点实验室 杭州310037 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路国家级重点实验室 南京210016
提出一种改进的增强型GaN HEMT器件建模大信号模型。模型沟道电流方程和电荷方程均连续且高阶可导,栅电荷模型满足电荷守恒原则。提出的沟道电流模型可精确拟合实际器件正、反向区、截止区以及亚阈值区的直流特性。根据GaN HEMT器件特... 详细信息
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应用于微波/毫米波领域的集成无源器件硅基转接板技术
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电子工业专用设备 2017年 第4期46卷 20-23页
作者: 黄旼 朱健 石归雄 微波毫米波单片集成电路与模块国家级重点实验室 南京210016 中国电子科技集团公司第五十五研究所 南京210016
展示了一种应用于射频微系统领域的可以集成射频无源器件的硅基转接板结构。该结构将电感、电容、电阻、传输线和TSV等集成在适用于微波应用的高阻硅衬底上,可实现芯片的CMOS、MMIC及MEMS多种不同材料器件集成。采用这种方法制备的传... 详细信息
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新型电极材料石墨烯在LED中的应用
新型电极材料石墨烯在LED中的应用
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第八届全国激光技术与光电子学学术会议
作者: 吴才川 刘斌 谢自力 修向前 陈鹏 韩平 张荣 孔月婵 陈辰 南京大学电子科学与工程学院 江苏 南京 210093 微波毫米波单片集成和模块电路国家级重点实验室 江苏 南京 210016
石墨烯具有独特的力学、热学和光电学性能,良好的热稳定性与化学稳定性,是制备高性能导电薄膜的理想材料之一.主要介绍了石墨烯薄膜的制备和表征技术以及石墨烯导电薄膜作为电极应用在GaN基LED中的研究进展和存在的问题,并对石墨烯电极... 详细信息
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Ka波段Si基微机械宽带垂直过渡
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微纳电子技术 2008年 第12期45卷 712-715页
作者: 戴新峰 郁元卫 贾世星 朱健 於晓峰 丁玉宁 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室 南京210016 南京电子器件研究所微纳米研发中心 南京210016 南京电子器件研究所毫米波电路部 南京210016
介绍了一种适用于三维毫米波集成电路的Si基微机械垂直过渡,该垂直过渡是两层0.1mm厚的共面波导传输线通过0.3mm厚中间层,在中间层采用了同轴结构,该同轴结构通过金属化通孔来实现。这一设计原理简单,结构简洁,便于优化设计,具有很宽的... 详细信息
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