检索结果-内蒙古大学图书馆

电子学报 2015年第9期43卷 1859-1863页

作者：余旭明洪伟王维波张斌东南大学毫米波国家重点实验室江苏南京210096 单片集成电路与模块国家重点实验室江苏南京210016

基于0．25tan栅长GaINHEMT工艺，采用三级放大拓扑结构设计了一款Ku波段Gain功率放大器．放大器设计从建立大信号模型出发，输出匹配网络和级间匹配网络均采用电抗匹配减小电路的损耗，从而提高整体放大器的功率效率．测试结果表明，该... 详细信息

基于0．25tan栅长GaINHEMT工艺，采用三级放大拓扑结构设计了一款Ku波段Gain功率放大器．放大器设计从建立大信号模型出发，输出匹配网络和级间匹配网络均采用电抗匹配减小电路的损耗，从而提高整体放大器的功率效率．测试结果表明，该放大器在14．6～18GHz频带内，小信号增益30dB，脉冲饱和输出功率达15W，功率附加效率（PAE）大于32％；在14．8GHz频点处，放大器的峰值功率达19．5W，PAE达39％．该结果表明GaNMMIC具有高频高功率高效率的优势，具有广阔的应用前景．

关键词：氮化镓功率放大器微波集成电路 Ku波段

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GaN HEMT的温度特性及其应用

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固体电子学研究与进展 2011年第3期31卷 226-232页

作者：任春江陈堂胜余旭明张斌南京电子器件研究所微波毫米波单片集成模块和电路国家重点实验室南京210016

对0.25μm双场板结构GaN HEMT器件的温度特性进行了研究。负载牵引测试结果显示,GaN HEMT增益的温度系数为-0.02 dB/℃、饱和输出功率系数为-0.004 dB/℃。大的增益温度系数结合GaN HEMT自热效应引起的高温升对实际应用特别是功率MMIC... 详细信息

对0.25μm双场板结构GaN HEMT器件的温度特性进行了研究。负载牵引测试结果显示,GaN HEMT增益的温度系数为-0.02 dB/℃、饱和输出功率系数为-0.004 dB/℃。大的增益温度系数结合GaN HEMT自热效应引起的高温升对实际应用特别是功率MMIC的设计带来了挑战。按常温设计的GaN功率MMIC在高温下输出功率出现了较大幅度的下降,并且连续波与脉冲下工作输出功率存在较大差异。针对GaN HEMT应用中的这些问题提出了解决措施,包括降低2DEG浓度来减小增益的温度系数,通过选择SiC衬底和衬底减薄以及版图设计改善器件散热,降低器件工作时的温升。

关键词：铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管场板栅挖槽难熔栅

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S波段35WGaN功率MMIC

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固体电子学研究与进展 2011年第6期31卷 532-535页

作者：余旭明洪伟张斌陈堂胜陈辰东南大学毫米波国家重点实验室南京210096 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

报道了一款采用两级拓扑结构的2～4GHz宽带高功率单片微波功率放大器芯片。放大器采用了微带结构,并使用电抗匹配进行设计,重点在于宽带功率效率平坦化设计。经匹配优化后放大器在2～4GHz整个频带内脉冲输出功率大于35W,小信号增益达到2... 详细信息

报道了一款采用两级拓扑结构的2～4GHz宽带高功率单片微波功率放大器芯片。放大器采用了微带结构,并使用电抗匹配进行设计,重点在于宽带功率效率平坦化设计。经匹配优化后放大器在2～4GHz整个频带内脉冲输出功率大于35W,小信号增益达到22dB,在2.4GHz频点处峰值输出功率达到40W,对应的功率附加效率为35%。功率放大器芯片采用0.25μm GaN HEMT76.2mm圆片工艺制造,芯片尺寸为2.7mm×2.3mm。

关键词：铝镓氮/氮化镓氮化镓功率放大器宽带 S波段微波单片集成电路

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小型化硅基毫米波MEMS三维异构集成开关滤波器件

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固体电子学研究与进展 2021年第5期41卷 330-336页

作者：侯芳孙超栾华凯黄旼朱健胡三明东南大学毫米波国家重点实验室南京210096 南京电子器件研究所南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

针对传统开关滤波器组件体积庞大、重量重、调试复杂、集成度低的问题,设计并制作了一种小型化六通道毫米波硅基MEMS三维异构集成开关滤波器件。该器件以四层堆叠的高阻硅材料为衬底,工作频段覆盖18~40 GHz,内部集成了6款小型化空间堆叠... 详细信息

针对传统开关滤波器组件体积庞大、重量重、调试复杂、集成度低的问题,设计并制作了一种小型化六通道毫米波硅基MEMS三维异构集成开关滤波器件。该器件以四层堆叠的高阻硅材料为衬底,工作频段覆盖18~40 GHz,内部集成了6款小型化空间堆叠的MEMS滤波器和2个单片开关,采用3D-TSV(硅通孔)异构集成工艺,实现了开关与滤波器组的晶圆级集成。为了优化毫米波频段集成滤波器性能,提出了MEMS混合交叉耦合多层堆叠SIW(基片集成波导)滤波器拓扑结构,且其工艺与整个开关滤波器件兼容,极大提升了滤波器的带外抑制。经测试,该开关滤波器件带内插损<8.2 dB(包括2个开关共约4 d B的损耗),反射损耗>10 dB,带边1 GHz处带外抑制>40 dBc。该器件体积仅19.0 mm×16.5 mm×1.1 mm,比传统开关滤波器体积减小了99.7%。

关键词：三维异构集成微电子机械系统硅通孔滤波器基片集成波导

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E波段3.5 W GaN宽带高功率放大器MMIC

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固体电子学研究与进展 2022年第1期42卷 1-4页

作者：戈勤陶洪琪王维波商德春刘仁福袁思昊南京电子器件研究所南京210016 微波毫米波单片集成与模块电路国家重点实验室南京210016

基于自主开发的100 nm GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺,研制了一款工作频段覆盖E波段(60~90 GHz)的宽带高功率放大器芯片。放大器采用密集通孔结构的共源极晶体管,降低寄生效应,提高器件的高频增益。同时采用三级级联拓扑结构,结合紧... 详细信息

基于自主开发的100 nm GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺,研制了一款工作频段覆盖E波段(60~90 GHz)的宽带高功率放大器芯片。放大器采用密集通孔结构的共源极晶体管,降低寄生效应,提高器件的高频增益。同时采用三级级联拓扑结构,结合紧凑的微带线宽带匹配电路,在60~92 GHz频率范围内,典型线性增益达到10.4 dB,增益平坦度为±1 dB,输入输出回波损耗小于等于-11 dB。通过行波式功率合成网络,在连续波状态下,芯片全频带内饱和输出功率不低于1.7 W。在64 GHz,最高输出功率达到3.5 W,相应功率增益为8.4 dB,功率附加效率为12.6%。

关键词： GaNHEMT E波段宽带高功率 MMIC

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4 bit相位量化ADC设计与实现

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固体电子学研究与进展 2014年第3期34卷 206-210页

作者：张敏张有涛李晓鹏陈新宇杨磊南京电子器件研究所南京210016 南京国博电子有限公司南京210016 微波毫米波单片集成电路与模块国家重点实验室南京210016

分析了应用于DRFM系统的4bit相位ADC原理并介绍了一种4bit相位ADC电路结构,该电路采用类似于幅度ADC的Flash拓扑在标准半导体工艺下设计并实现,芯片面积2.3mm×1.7mm,功耗620mW,数字输出满足LVDS电平标准。测试结果显示该ADC瞬时带... 详细信息

分析了应用于DRFM系统的4bit相位ADC原理并介绍了一种4bit相位ADC电路结构,该电路采用类似于幅度ADC的Flash拓扑在标准半导体工艺下设计并实现,芯片面积2.3mm×1.7mm,功耗620mW,数字输出满足LVDS电平标准。测试结果显示该ADC瞬时带宽高于1GHz,动态范围大于26dB。

关键词：模数转换器相位量化数字射频存储器瞬时带宽

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664GHz接收前端技术研究

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微波学报 2015年第S1期31卷 14-17页

作者：姚常飞周明罗运生魏翔张君直南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室南京210016 南京电子器件研究所微波毫米波模块电路事业部南京210016

基于X波段源,通过9×2×2次倍频链实现了输出约1-2m W的320-356GHz全固态倍频源。该信号源作为本振信号驱动664GHz接收前端的二次谐波混频器,该混频器采用了有源偏置技术以降低混频器的本振驱动功率和接收机的噪声温度。仿真结... 详细信息

基于X波段源,通过9×2×2次倍频链实现了输出约1-2m W的320-356GHz全固态倍频源。该信号源作为本振信号驱动664GHz接收前端的二次谐波混频器,该混频器采用了有源偏置技术以降低混频器的本振驱动功率和接收机的噪声温度。仿真结果表明,混频二极管在0.3m W本振驱动功率及0.35V直流偏置下,在650-680GHz带宽内,仿真得到的单边带变频损耗小于12d B,666GHz最小损耗为10.8d B。

关键词： GaAs肖特基二极管太赫兹倍频谐波混频

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氧化物功能薄膜材料在柔性传感器件中的应用

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中国科学：信息科学 2018年第6期48卷 635-649页

作者：潘泰松廖非易姚光王宇轩高敏林媛电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室成都610054 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

柔性传感器件因其在医疗健康、人机交互等应用中的巨大前景,受到了广泛关注,也是近年来的研究热点.作为无机功能材料中的一类重要材料,氧化物功能薄膜因其具有丰富的电子学、光学、热学、力学、磁学等方面性质已经在各种电子和光电子器... 详细信息

柔性传感器件因其在医疗健康、人机交互等应用中的巨大前景,受到了广泛关注,也是近年来的研究热点.作为无机功能材料中的一类重要材料,氧化物功能薄膜因其具有丰富的电子学、光学、热学、力学、磁学等方面性质已经在各种电子和光电子器件中得到了广泛的应用.将氧化物功能薄膜应用于柔性传感器件,有望进一步提高柔性传感器件的性能,并为新型柔性传感器件的设计提供材料保障.本文分析了目前氧化物功能薄膜在柔性传感器件中应用所面临的重点科学技术问题,并介绍了近年来在基于氧化物功能薄膜的柔性传感器件所涉及的关键技术和器件应用上的研究进展.

关键词：无机功能材料氧化物功能薄膜柔性器件传感器件

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大功率器件及材料的热特性表征技术研究进展

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中国材料进展 2018年第12期37卷 1017-1023,1047页

作者：郭怀新黄语恒黄宇龙陶鹏孔月婵李忠辉陈堂胜南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室江苏南京210016 上海交通大学材料科学与工程学院金属基复合材料国家重点实验室上海200240

以氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体高功率密度的发展受限于自身热积累效应引起器件结温升高问题,严重导致器件性能和可靠性的下降。因此,器件的热管理已成为大功率器件研发和应用领域的一个重要研究方向,而器件本身及其材料的热特性表... 详细信息

以氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体高功率密度的发展受限于自身热积累效应引起器件结温升高问题,严重导致器件性能和可靠性的下降。因此,器件的热管理已成为大功率器件研发和应用领域的一个重要研究方向,而器件本身及其材料的热特性表征贯穿于功率器件散热技术开发的整个过程,是评估和指导热管理研发的重要途径。为此,综述了国内外正在开展的器件芯片级热特性表征技术研究进展,系统分析了器件结温、外延薄膜热导率、界面热阻等热性能表征技术的优势及局限性,并阐述了这些热性能表征技术对芯片级热管理开发提供的技术指导及其面临的技术挑战。

关键词：功率器件热管理结温热导率界面热阻

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大功率低插损氮化镓单刀双掷射频开关

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微电子学 2024年

作者：周英杰侯文杰张翼杨磊南京邮电大学集成电路科学与工程学院南京国博电子股份有限公司射频集成与微组装技术国家地方联合工程实验室东南大学毫米波国家重点实验室微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室

基于0.25 μm GaN HEMT工艺设计了工作在0.4 GHz～6 GHz的单刀双掷(SPDT)射频开关芯片。为降低插入损耗，设计中通过在端口添加电感的方式进行端口电容补偿；为减小芯片面积，采用金丝键合等效电感的方式，同时版图设计中去除了传统的... 详细信息

基于0.25 μm GaN HEMT工艺设计了工作在0.4 GHz～6 GHz的单刀双掷(SPDT)射频开关芯片。为降低插入损耗，设计中通过在端口添加电感的方式进行端口电容补偿；为减小芯片面积，采用金丝键合等效电感的方式，同时版图设计中去除了传统的传输线连接，串管与并管均直接连接到同一个信号焊盘，有效降低了传输线造成的损耗，也大幅度减小了芯片的面积。此外，并管使用管芯叠加的方式，通过平均分压增加了芯片的功率容量。芯片流片测试结果表明：插入损耗小于0.5 dB，隔离度大于21 dB，回波损耗大于20 dB，功率容量P-0.1dB为48 dBm，脉冲测试下P-0.1 dB为52 dBm，面积仅为1 mm2。

关键词：大功率低插损单刀双掷射频开关氮化镓高电子迁移率晶体管

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