检索结果-内蒙古大学图书馆

中国真空学会2018学术年会

作者：殷俊曾飞万钦胡远东刘佳璐孙一鸣潘峰清华大学材料学院先进材料教育部重点实验室北京 100084 清华大学类脑计算研究中心北京 100084 清华大学材料学院先进材料教育部重点实验室北京 100084 清华大学类脑计算研究中心北京 100084 中国科学院微微电子学研究所电子器件与集成技术重点实验室北京 100029 清华大学材料学院先进材料教育部重点实验室北京 100084

为顺应类脑计算芯片技术和下一代存储技术的需求，基于活性电极的各类阻变器件成为了合适的候选者，例如忆阻器和选通器。在不改变材料体系的同时，使用不同的器件结构来实现这些功能能够大大简化芯片制造技术。本工作介绍了一种结构为A... 详细信息

为顺应类脑计算芯片技术和下一代存储技术的需求，基于活性电极的各类阻变器件成为了合适的候选者，例如忆阻器和选通器。在不改变材料体系的同时，使用不同的器件结构来实现这些功能能够大大简化芯片制造技术。本工作介绍了一种结构为Ag/HfOy/HfOx/Pt(AHHP)的均质双层氧化物器件，其性能有别于传统的单功能层结构器件Ag/HfOx/Pt(AHP)。

关键词：选通器忆阻器整流比氧化铪晶粒转动

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1200V沟槽型SiC MOSEET器件研制

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固体电子学研究与进展 2024年第3期44卷 F0003-F0003页

作者：张跃柏松李士颜陈谷然黄润华杨勇宽禁带半导体器件与集成技术全国重点实验室南京电子器件研究所南京210016

碳作为宽禁带半导体材料的典型代表,碳化硅(SiC)功率器件具有高压,高频、高温,大容量等独特优势,在新能源汽车、光伏逆变、智能电网,雷达通信等领域有着乐观的应用前景。主流SiC MOSFET器件包括平面型和沟槽型,前者受限于较低的沟道迁... 详细信息

碳作为宽禁带半导体材料的典型代表,碳化硅(SiC)功率器件具有高压,高频、高温,大容量等独特优势,在新能源汽车、光伏逆变、智能电网,雷达通信等领域有着乐观的应用前景。主流SiC MOSFET器件包括平面型和沟槽型,前者受限于较低的沟道迁移率和较大的元胞尺寸,难以充分发挥SiC器件的材料优势,后者将导电沟道由横向改为纵向,既明显改善了沟道迁移率,又大幅提升了沟道密度,使得器件导通电阻显著降低,代表着SiCMOSFET的未来发展方向。

关键词：宽禁带半导体材料 MOSFET器件导通电阻迁移率平面型功率器件沟道密度新能源汽车

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几种MEMS电容传感器读出电路的分析和对比

几种MEMS电容传感器读出电路的分析和对比

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第十二届全国敏感元件与传感器学术会议

作者：何鑫祖秋燕王玮冰宋冬雪孟如男中国科学院微电子研究所北京100029 江苏物联网研究发展中心智能集成传感器工程中心江苏无锡214135 中国科学院微电子研究所北京100029 中国科学院微电子研究所北京100029 中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室北京100029 江苏物联网研究发展中心智能集成传感器工程中心江苏无锡214135 江苏物联网研究发展中心智能集成传感器工程中心江苏无锡214135

随着IPHONE手机以及WII体感游戏的普及,MEMS传感器具有广大的市场和研发趋势.作为一种典型的MEMS传感器,电容式MEMS传感器以及后端的读出电路也得到了更多的关注和重视.首先介绍了电容式MEMS传感器的特点和应用;随后介绍和分析了几种常... 详细信息

随着IPHONE手机以及WII体感游戏的普及,MEMS传感器具有广大的市场和研发趋势.作为一种典型的MEMS传感器,电容式MEMS传感器以及后端的读出电路也得到了更多的关注和重视.首先介绍了电容式MEMS传感器的特点和应用;随后介绍和分析了几种常用的读出电路;并在CSMCOS工艺下仿真和测试了电路的输出性能，同时,提取了这几种电路的典型结构;最后,给出了在SPECTRE测试的结果,并总结了这几种电路的优缺点,为进一步的ASIC设计提供了很好的参考和分析。

关键词：电容传感器读出电路结构特征输出性能

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大面积二维铁磁性材料Fe3GeTe2薄膜的生长及磁性研究

大面积二维铁磁性材料Fe3GeTe2薄膜的生长及磁性研究

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第十二届全国分子束外延学术会议

作者：刘姗姗袁翔邹逸超盛宇黄策张恩泽凌霁玮刘彦闻王伟懿张成邹进王开友修发贤复旦大学物理系表面物理国家重点实验室上海20433 复旦大学微电子器件与量子计算中心上海300433 昆士兰大学材料工程院布里斯班4072 中国科学院半导体所北京100083 昆士兰大学材料工程院布里斯班4072 昆士兰大学显微技术和微量分析中心布里斯班4072 复旦大学物理系表面物理国家重点实验室上海20433 复旦大学微电子器件与量子计算中心上海300433 人工微结构科学与技术协同创新中心南京210093

近期,层状二维铁磁材料(2D FM）由于其在低维磁性研究和自旋电子器件应用的前景引起了广泛关注1.由机械剥离方法得到的单层材料实验上被证明仍具有铁磁性,因此在低维度下研究材料的磁性是非常重要的.对于二维材料的研究,如何获得大面积... 详细信息

近期,层状二维铁磁材料(2D FM）由于其在低维磁性研究和自旋电子器件应用的前景引起了广泛关注1.由机械剥离方法得到的单层材料实验上被证明仍具有铁磁性,因此在低维度下研究材料的磁性是非常重要的.对于二维材料的研究,如何获得大面积、高质量的材料是极为重要的.通过分子束外延生进行了二维铁磁薄膜Fe3GeTe2的晶圆尺寸生长，并且通过控制Fe的组成，以及将其与反铁磁材料MnTe的结合来操控Fe3GeTe2的磁性。两维逐层生长模式由周期性的原位反射高能量电子衍射强度的周期性振荡证明，且通过透射电子显微镜发现{002}的层间距离为0.82nm。由材料的反常霍尔测量得到材料的易磁化轴沿c轴方向为面外方向，居里温度为216.4K。随着Fe组分的增加，Fe3+δGeTe2的居里温度提高。在与MnTe结合为异质结后，矫顽场从0.65特斯拉增加到0.94特斯拉，增幅为50％。大规模逐层生长和可操控磁性使Fe3GeTe2有望应用于自旋电子学及相应的器件研究。可控、大面积的生长还为探索丰富的物理现象及理论提供了极大帮助，如与二维超导材料和拓扑材料的结合。

关键词：二维铁磁材料分子束生长异质结构性能表征

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基于MEMS的新型红外光源

基于MEMS的新型红外光源

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2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会

作者：任耀辉谭秋林欧文明安杰毛海央袁烽张宇张乐中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室山西太原 030051 江苏物联网研究发展中心智能传感器工程中心江苏无锡 214135 中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室山西太原 030051 江苏物联网研究发展中心智能传感器工程中心江苏无锡 214135 中国科学院微电子研究所中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室集成电路先导工艺研发中心北京 100029 江苏物联网研究发展中心智能传感器工程中心江苏无锡 214135

本设计中，采用对多晶硅进行不完全干法刻蚀的方法制备黑硅，并将此作为MEMS红外光源的辐射层材料，提高了光源在中红外波段的发射率。另外，本设计采用独特的完全悬浮结构，降低了光源通过热传导的能量损耗。对比现有的MEMS红外光源，... 详细信息

本设计中，采用对多晶硅进行不完全干法刻蚀的方法制备黑硅，并将此作为MEMS红外光源的辐射层材料，提高了光源在中红外波段的发射率。另外，本设计采用独特的完全悬浮结构，降低了光源通过热传导的能量损耗。对比现有的MEMS红外光源，本设计拥有完全的悬浮薄膜结构，保证了光源拥有更低的功耗，更高的辐射效率。另外，黑硅的使用将进一步提高光源的稳态和动态性能。

关键词：红外光源微机电系统黑硅发射率

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