检索结果-内蒙古大学图书馆

半导体存储器技术

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科技导报 2019年第3期37卷 62-65页

作者：刘明中国科学院微电子研究所中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室北京100029

半导体存储器是市场份额最大的单一集成电路产品,广泛应用于信息、航空/航天、军事/国防、新能源和科学研究等领域,有着巨大的市场。概述了DRAM和闪存、新型非易失存储器的发展现状及课题组在存储器领域的相关进展。

关键词：易失存储器非易失存储器 3D NAND RRAM

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应用于直接数字频率合成器的6-GHz GaAs HBT只读存储器

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科学通报 2011年第13期56卷 1065-1070页

作者：陈建武王丽吴旦昱陈高鹏金智刘新宇中国科学院微电子研究所北京100029 中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室北京100029

只读存储器广泛应用于直接数字频率合成器的相位幅度转换电路.通过对只读存储器建立等效模型,分析如何减少存取时间,提高直接数字频率合成器的工作频率.并对仿真波形出现信号偏差现象进行分析,以指导电路设计.设计的64×3bit只读存... 详细信息

只读存储器广泛应用于直接数字频率合成器的相位幅度转换电路.通过对只读存储器建立等效模型,分析如何减少存取时间,提高直接数字频率合成器的工作频率.并对仿真波形出现信号偏差现象进行分析,以指导电路设计.设计的64×3bit只读存储器集成到8bit直接数字频率合成器中.测试结果表明只读存储器最高工作在6GHz,可有效提高直接数字频率合成器的无杂散动态范围.

关键词：只读存储器双极型存储器直接数字合成器直接数字频率合成器砷化镓异质结双极型晶体管

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自支撑二值化Beynon-Gab or波带片的制备及其单级聚焦特性

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物理学报 2016年第12期65卷 140-146页

作者：李兆国孟令彪周民杰刁凯迪易勇朱效立吴卫东张继成中国工程物理研究院激光聚变研究中心绵阳621900 西南科技大学材料科学与工程学院绵阳621010 中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室北京100029

Gabor波带片是一种理想的单级聚焦光学元件,但制备困难.本文采用聚焦离子束直写技术成功制备出30环、20扇区的二值化Beynon-Gabor波带片,其有效面积半径为700μm,第一环半径90μm.利用各向异性腐蚀液对硅基底进行开孔,实现了Beynon-Gabo... 详细信息

Gabor波带片是一种理想的单级聚焦光学元件,但制备困难.本文采用聚焦离子束直写技术成功制备出30环、20扇区的二值化Beynon-Gabor波带片,其有效面积半径为700μm,第一环半径90μm.利用各向异性腐蚀液对硅基底进行开孔,实现了Beynon-Gabor波带片二值化、自支撑、镂空的结构特征.在波长为355 nm的激光下测试其光学性能,结果表明所制备的Beynon-Gabor波带片主光轴上只存在1级衍射叠加后的焦点,不存在高级衍射焦点,具有优异的单级聚焦性能.

关键词：二值化Beynon-Gabor波带片自支撑衍射性能聚焦离子束直写技术

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一种基于点压技术的新型晶圆键合方法

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焊接学报 2016年第9期37卷 125-128,134页

作者：许维王盛凯徐杨王英辉陈大鹏刘洪刚中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室北京100029 中国科学院微电子研究所高频高压器件与集成研发中心北京100029 中国科学院微电子研究所智能感知研发中心北京100029

金金热压键合法在半导体制造领域中应用广泛,为了进一步改进该键合方法,首次提出了一种基于点压技术的新型晶圆键合方法,并研究了工艺温度、压强以及时间对点压键合法单点键合面积的影响.通过超声扫描显微镜图像,着重比较了传统金金热... 详细信息

金金热压键合法在半导体制造领域中应用广泛,为了进一步改进该键合方法,首次提出了一种基于点压技术的新型晶圆键合方法,并研究了工艺温度、压强以及时间对点压键合法单点键合面积的影响.通过超声扫描显微镜图像,着重比较了传统金金热压键合法与点压键合法的键合面积比.对点压键合法的可选择键合性进行了讨论.结果表明,点压键合法工艺步骤简单,工艺稳定性较好,且具有一定的可选择键合特性,在半导体制造领域中将具有广泛的应用前景.

关键词：晶圆键合热压键合金金键合点压键合法

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原子层沉积生长电学性质可调ZnO薄膜工艺

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微纳电子技术 2016年第9期53卷 605-609,633页

作者：张思敏程嵩卢维尔夏洋集成电路测试技术北京市重点实验室北京100029 中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室北京100029

采用热型原子层沉积(T-ALD)和等离子体增强型原子层沉积(PEALD)技术在蓝宝石衬底上制备ZnO,不采用任何掺杂手段,通过调节生长温度、氧等离子体作用时间等参数,制备了电阻率在6个数量级(10^(-3)~10~3Ω·cm)范围内变化的ZnO薄膜。采... 详细信息

采用热型原子层沉积(T-ALD)和等离子体增强型原子层沉积(PEALD)技术在蓝宝石衬底上制备ZnO,不采用任何掺杂手段,通过调节生长温度、氧等离子体作用时间等参数,制备了电阻率在6个数量级(10^(-3)~10~3Ω·cm)范围内变化的ZnO薄膜。采用去离子水作氧源的T-ALD制备的ZnO薄膜载流子浓度高达10^(19)/cm^3量级,载流子迁移率较高,薄膜电阻率较低,适用于透明导电薄膜;采用氧等离子体作为氧源PEALD制备的薄膜载流子浓度达到10^(17)/cm^3量级,适用于薄膜晶体管。还讨论了不同生长工艺条件对薄膜晶型和表面形貌的影响。

关键词：原子层沉积(ALD) ZnO薄膜电学性质可调晶型表面形貌

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基于虚拟仪器的多通道MEMS加速度计自动化测试系统

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红外与激光工程 2014年第6期43卷 1955-1959页

作者：明安杰谭振新吴健赵敏欧文陈大鹏江苏物联网研究发展中心智能集成传感器工程中心江苏无锡214135 中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心微电子器件与集成技术重点实验室北京100029

提出了一种7通道并行测试的MEMS加速度计自动化测试分析系统,该系统高度集成多种功能,实现了加速度计高效率测试与分析。在常规测试系统基础上,该系统通过上层应用程序Labview实现了单一人机交互终端对振动台、高低温交变湿热试验箱和... 详细信息

提出了一种7通道并行测试的MEMS加速度计自动化测试分析系统,该系统高度集成多种功能,实现了加速度计高效率测试与分析。在常规测试系统基础上,该系统通过上层应用程序Labview实现了单一人机交互终端对振动台、高低温交变湿热试验箱和供电电源等设备的控制。灵敏度、线性度、重复性、滞回特性、温度特性、频响特性等参数指标,能够在控制终端通过分析测试数据同时获得,并以报表形式输出。在一般情况下,传感器测试效率可达50只/h,大大高于传统的非自动化测试系统。经过评估测试,该测试系统还表现出较高的测试精度及稳定性和可靠性,测试误差小于±2.5%。该自动化测试系统为进一步降低MEMS传感器成本,促进其在物联网领域的大规模应用奠定了基础。

关键词： MEMS加速度计 Labview 物联网自动化测试

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用于空间辐射主动防护的等离子体发生器设计

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真空科学与技术学报 2011年第4期31卷 481-484页

作者：贾向红许峰万军贾少霞王守国中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室中国科学院微电子所北京100029 航天医学基础与应用国家重点实验室中国航天员科研训练中心北京100093

等离子引发磁膨胀技术被美国航空航天局推荐为最有工程应用价值的空间辐射主动防护技术。在该技术中,高密度等离子体发生器的设计是其中的关键技术之一。本文设计了一种高密度螺旋波等离子体发生器,采用13.56 MHz射频源激发等离子体天线... 详细信息

等离子引发磁膨胀技术被美国航空航天局推荐为最有工程应用价值的空间辐射主动防护技术。在该技术中,高密度等离子体发生器的设计是其中的关键技术之一。本文设计了一种高密度螺旋波等离子体发生器,采用13.56 MHz射频源激发等离子体天线,并将该等离子发生器偏心放置在表面磁感应强度为0.1 T的柱状永久磁铁内,以氩气为工作气体进行了真空舱磁膨胀实验。利用朗缪尔探针,对发生器产生的等离子体密度及温度随输入功率的变化进行了测量,该发生器成功地引发了磁铁磁场膨胀。

关键词：螺旋波空间辐射主动防护等离子体发生器

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二极管方程新的解析近似解

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固体电子学研究与进展 2009年第4期29卷 547-550页

作者：方敏李博陈雨何进北京大学深圳研究生院集成微系统重点实验室微米纳米电子器件和集成技术研究组广东深圳518055 北京大学信息科学技术学院微电子所微电子器件与电路重点实验室太尺度集成研究中心北京100871

提出了二极管方程一种新的解析近似解。使用精确的一阶及二阶微分和改进的牛顿-拉夫森方法,推导出一个简洁的二极管方程解析近似解。较之先前的二极管方程解法和近似,该解析近似解显著提高了二极管电流计算的精度和效率。同时,用户在将M... 详细信息

提出了二极管方程一种新的解析近似解。使用精确的一阶及二阶微分和改进的牛顿-拉夫森方法,推导出一个简洁的二极管方程解析近似解。较之先前的二极管方程解法和近似,该解析近似解显著提高了二极管电流计算的精度和效率。同时,用户在将MOSFET模型如ACM、EKV和BSIM5中的二极管模型和反型层电荷模型实现到诸如SPICE等电路仿真模拟器中时,该解析近似解提供了高精度和高效率的计算方法。

关键词：二极管简约模型解析解电路模拟

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应用微波技术抑制光刻胶图形的坍塌与黏连

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光学精密工程 2015年第1期23卷 149-156页

作者：于明岩施云波赵士瑞郭晓龙徐昕伟景玉鹏陈宝钦中国科学院微电子研究所中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室北京100029 哈尔滨理工大学测控技术与通信工程学院测控技术与仪器黑龙江省高校重点实验室黑龙江哈尔滨150080

针对显影工艺中水的表面张力导致的高高宽比抗蚀剂图形的坍塌及黏连,提出了一种基于微波加热的干燥技术来有效改善纳米抗蚀剂图形的干燥效果。该方法利用微波穿透光刻胶结构直接加热光刻胶图形间隙中残存的去离子水,水分子吸收微波的光... 详细信息

针对显影工艺中水的表面张力导致的高高宽比抗蚀剂图形的坍塌及黏连,提出了一种基于微波加热的干燥技术来有效改善纳米抗蚀剂图形的干燥效果。该方法利用微波穿透光刻胶结构直接加热光刻胶图形间隙中残存的去离子水,水分子吸收微波的光子能量迅速蒸发,从而有效地抑制光刻胶图形的坍塌与黏连现象。利用提出的基于微波加热的干燥方法,成功获取了高260nm、宽16nm的光刻胶线条组和直径为20nm的光刻胶柱形阵列,其中高高宽比线条组和由15 625根柱子组成的柱形阵列结构没有出现坍塌及黏连情况,验证了在微波产生的交变电场作用下,可以减小水分子团簇,降低水的表面张力。

关键词：电子束光刻光刻胶图形坍塌黏连高宽比微波加热

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绝缘栅GaN基平面功率开关器件技术

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电力电子技术 2017年第8期51卷 65-70页

作者：黄森王鑫华康玄武刘新宇中国科学院微电子研究所中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室北京100029

绝缘栅氮化镓(GaN)基平面功率开关器件是下一代GaN功率电子技术的最佳选择。在此从Si基GaN金属绝缘体(氧化物)半导体(MIS/MOS)高电子迁移率晶体管(HEMT)器件面临的界面态和增强型栅产业化制备等方面入手,介绍了绝缘栅GaN基器件表界面态... 详细信息

绝缘栅氮化镓(GaN)基平面功率开关器件是下一代GaN功率电子技术的最佳选择。在此从Si基GaN金属绝缘体(氧化物)半导体(MIS/MOS)高电子迁移率晶体管(HEMT)器件面临的界面态和增强型栅产业化制备等方面入手,介绍了绝缘栅GaN基器件表界面态工程,高可靠栅介质及兼容互补MOS(CMOS)工艺的大尺寸Si基GaN器件制造等技术的研究进展,为绝缘栅GaN基平面功率开关器件的产业化应用奠定基础。

关键词：功率开关器件绝缘栅氮化镓

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