检索结果-内蒙古大学图书馆

太阳能学报 2012年第S1期33卷 1-6页

作者：李海华王庆康上海交通大学微纳科学技术研究院"薄膜与微细技术"教育部重点实验室 "微米纳米加工技术"国家级重点实验室上海200240

介绍了非晶硅薄膜太阳电池的最新研究进展,微纳光学结构和金属表面等离子体特性引入到非晶硅薄膜太阳电池可大大降低薄膜厚度和提高光电转换效率。叠层串联的非晶硅太阳电池及非晶硅和多晶硅、单晶硅组成的异质结结构可增加宽带太阳光... 详细信息

介绍了非晶硅薄膜太阳电池的最新研究进展,微纳光学结构和金属表面等离子体特性引入到非晶硅薄膜太阳电池可大大降低薄膜厚度和提高光电转换效率。叠层串联的非晶硅太阳电池及非晶硅和多晶硅、单晶硅组成的异质结结构可增加宽带太阳光谱吸收范围,提高光电转换效率,是非晶硅薄膜电池的发展方向。

关键词：非晶硅太阳电池叠层微纳结构异质结

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用于电刺激的植入式铂黑微电极(英文)

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纳米技术与精密工程 2012年第2期10卷 103-107页

作者：芮岳峰刘景全杨春生上海交通大学微米/纳米加工技术国家级重点实验室上海200240 上海交通大学薄膜与微细加工教育部重点实验室上海200240 上海交通大学微纳科学技术研究院上海200240

传统的植入式电刺激微电极表面积小,电极/组织界面阻抗高,并且电荷存储容量(CSC)小,这些都会增加植入式系统的功耗并影响电刺激效果.提出了一种在电极点电镀铂黑的方法来增加微电极的有效面积(ESA).通过在超声波浴下使用脉冲电流电镀的... 详细信息

传统的植入式电刺激微电极表面积小,电极/组织界面阻抗高,并且电荷存储容量(CSC)小,这些都会增加植入式系统的功耗并影响电刺激效果.提出了一种在电极点电镀铂黑的方法来增加微电极的有效面积(ESA).通过在超声波浴下使用脉冲电流电镀的方法,可以极大地增加微电极的ESA,降低界面阻抗并增加CSC和电荷注入容量.铂黑微电极的几何特性和电学特性分别由扫描电子显微镜(SEM)和电化学分析仪测定,并与未镀铂黑的电极特性进行了对比,对铂黑镀层的机械稳定性也做了相应的测试.实验结果表明,铂黑镀层的纳米结构使铂黑电极相比普通铂电极界面阻抗降低了1/16,CSC扩大13倍.在5 min的室温超声波衰减实验中,阴极电荷存储容量(CSCC)仅减小20%.

关键词：生物医学工程派瑞林微电极植入式铂黑

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一种新型电流控制CMOS振荡器电路设计

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电源技术 2012年第11期36卷 1697-1699页

作者：徐慧敏戴庆元罗超上海交通大学微纳科学技术研究院薄膜与微细技术教育部重点实验室上海200240 上海交通大学微纳科学技术研究院微米纳米加工技术国家级重点实验室上海200240

设计了一种基于华虹0.35 mm BCD工艺的新型电流控制CMOS振荡器电路,中心频率为1 MHz,宽温度范围内具有占空比高稳定性。不同于传统电流控制CMOS振荡器拓扑,结构简单,通过反相器阈值电压控制电流对电容的充放电状态切换,消除了延迟时间... 详细信息

设计了一种基于华虹0.35 mm BCD工艺的新型电流控制CMOS振荡器电路,中心频率为1 MHz,宽温度范围内具有占空比高稳定性。不同于传统电流控制CMOS振荡器拓扑,结构简单,通过反相器阈值电压控制电流对电容的充放电状态切换,消除了延迟时间引起的上冲、下冲问题,具有良好的可移植性。Cadence Spectre仿真结果表明:-45～125℃范围内,振荡频率和占空比相对中心值的上下偏差分别为5.01%(-)到3.31%(+)、1.95%(-)到1.84%(+);方差分别为0.000 9、0.000 1。

关键词：振荡器电流控制占空比延迟时间开关电源

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一种BOC(n，n)信号的新型精确同步方法

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科学技术与工程 2012年第6期20卷 1268-1271,1280页

作者：陈翔齐家敏陈佳品上海交通大学微纳科学技术研究院薄膜与微细技术教育部重点实验室微米纳米加工技术国家级重点实验室上海200240

BOC(二进制偏移载波,Binary Offset Carrier)信号现已广泛用于各全球卫星定位系统中。但BOC信号的自相关函数具有多峰,在同步时有捕获困难和歧异跟踪的问题。对此,由BOC(1,1)自相关函数结构入手分析,进而提出了一种适用于BOC(n,n)的新... 详细信息

BOC(二进制偏移载波,Binary Offset Carrier)信号现已广泛用于各全球卫星定位系统中。但BOC信号的自相关函数具有多峰,在同步时有捕获困难和歧异跟踪的问题。对此,由BOC(1,1)自相关函数结构入手分析,进而提出了一种适用于BOC(n,n)的新型同步算法。其在保持相关函数主峰的同时完全移除了副峰,从而使同步变得简单准确。仿真结果表明,提出的跟踪环路能实现精确同步,并且多径性能优良,检测概率只略有下降。

关键词：二进制偏移载波同步跟踪歧异性

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基于磁性的CTCs捕获芯片的优化设计

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功能材料与器件学报 2012年第4期18卷 302-308页

作者：魏世隽蔡贤华陈翔陈迪陈景东湖北省中国人民解放军武汉总医院骨科武汉430070 微米纳米加工技术国家级重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海交通大学微纳科学技术研究院上海200240

本文主要研究基于磁性的CTC捕获芯片中细胞受力情况,提出该类芯片中细胞捕获可分为偏移阶段和吸附阶段,并使用COMOSL软件分析了各个阶段的受力特点。通过模拟计算及实验结果可以看出,传统的垂直捕获模式由于其受流场作用力影响,不适合... 详细信息

本文主要研究基于磁性的CTC捕获芯片中细胞受力情况,提出该类芯片中细胞捕获可分为偏移阶段和吸附阶段,并使用COMOSL软件分析了各个阶段的受力特点。通过模拟计算及实验结果可以看出,传统的垂直捕获模式由于其受流场作用力影响,不适合在高流速下进行CTC细胞捕获。基于此我们提出一种新型的平行捕获模式芯片的设计,该设计可以显著减少流场对CTC细胞捕获的影响。优化后的芯片流速可以达到6ml/h。

关键词： CTC细胞磁柱微流控平行捕获模式

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超陷光黑硅结构研究

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光学学报 2011年第10期31卷 53-57页

作者：钱超峰王庆康李海华上海交通大学微纳科学技术研究院薄膜与微细技术教育部重点实验室微米/纳米加工技术国家级重点实验室上海200240

研究了超陷光黑硅表面圆锥阵列结构的设计。将圆锥结构分为五层,利用等效媒质理论进行了参数设计。考虑了硅材料折射率随波长的变化,用严格耦合波理论对不同入射角,圆锥阵列结构高度以及占空比时的反射率进行了计算分析。发现,圆锥阵列... 详细信息

研究了超陷光黑硅表面圆锥阵列结构的设计。将圆锥结构分为五层,利用等效媒质理论进行了参数设计。考虑了硅材料折射率随波长的变化,用严格耦合波理论对不同入射角,圆锥阵列结构高度以及占空比时的反射率进行了计算分析。发现,圆锥阵列超陷光结构的周期为135nm,高度为480nm时,在0°～60°入射角范围内,对波长为300～1200nm的入射光的反射率都小于5%。

关键词：衍射黑硅等效媒质理论超陷光圆锥阵列结构

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一种微尺度有序增强复合材料的制备及其力学性能表征

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功能材料 2011年第10期42卷 1836-1839,1843页

作者：张振杰汪红杨卓青丁桂甫赵小林上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家级重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海200240

选择聚氨酯改性环氧树脂作为基体,利用微加工工艺制备了一种以电镀镍丝作为增强体的微尺寸有序增强聚合物基体复合材料。ANSYS有限元仿真结果表明基体完全包裹增强体能够很好地缓解应力集中,当增强体的排布角度为45°,体积含量为62... 详细信息

选择聚氨酯改性环氧树脂作为基体,利用微加工工艺制备了一种以电镀镍丝作为增强体的微尺寸有序增强聚合物基体复合材料。ANSYS有限元仿真结果表明基体完全包裹增强体能够很好地缓解应力集中,当增强体的排布角度为45°,体积含量为62.5%时,复合材料变形过程中应力集中程度相对最弱。对制备的微尺寸复合材料进行了DMA拉伸测试,结果表明相比单一的聚合物基体材料,有序增强复合结构材料的抗拉强度和弹性模量分别约提高了4倍和3倍,最后,通过扫描电镜观察了试样断口,对其拉伸断裂过程进行了合理分析。

关键词： MEMS 复合材料 ANSYS 有序增强微尺度

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谷胱甘肽稳定水溶性CdTe/ZnTe量子点的制备与表征

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化学学报 2011年第8期69卷 931-936页

作者：徐昕孔毅飞贺蓉吉佳佳崔大祥纳米生物工程实验室"薄膜与微细技术"教育部重点实验室"微米/纳米加工技术"国家级重点实验室上海交通大学微纳科学技术研究院上海200240

用还原型谷胱甘肽(GSH)作为稳定剂,合成了水溶性的CdTe/ZnTe核壳结构的半导体量子点.考察了Zn/Cd反应物配比及GSH用量对CdTe/ZnTe量子点的性能影响.用高分辨透射电子显微镜(HRTEM)和X射线粉末衍射(XRD)光谱对CdTe和CdTe/ZnTe的形貌和晶... 详细信息

用还原型谷胱甘肽(GSH)作为稳定剂,合成了水溶性的CdTe/ZnTe核壳结构的半导体量子点.考察了Zn/Cd反应物配比及GSH用量对CdTe/ZnTe量子点的性能影响.用高分辨透射电子显微镜(HRTEM)和X射线粉末衍射(XRD)光谱对CdTe和CdTe/ZnTe的形貌和晶体结构进行了表征.荧光光谱结果表明,核壳结构的CdTe/ZnTe量子点比单一的CdTe量子点具有更高的荧光量子产率和更好的光活化性能.

关键词：合成谷胱甘肽量子点核壳

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应用于等离子体显示器的铝电极及其介质层制备研究

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真空科学与技术学报 2011年第4期31卷 419-423页

作者：刘启发王艳汪红丁桂甫上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家级重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海200240

提出用铝取代银作为寻址电极,氧化铝取代玻璃粉作为其上介质层的新型等离子体显示器(PDP)电极单元,对单项工艺进行了优化,并形成了完整可行的整体工艺路线,有望为PDP生产成本的降低提供一条新的技术途径。选用非连续磁控溅射和光刻-刻... 详细信息

提出用铝取代银作为寻址电极,氧化铝取代玻璃粉作为其上介质层的新型等离子体显示器(PDP)电极单元,对单项工艺进行了优化,并形成了完整可行的整体工艺路线,有望为PDP生产成本的降低提供一条新的技术途径。选用非连续磁控溅射和光刻-刻蚀工艺制备铝电极,阳极氧化工艺制备氧化铝介质层。用扫描电子显微镜对铝膜、氧化铝介质层及电极单元的整体形貌进行了表征;分别对所制备的铝电极的导电性能和氧化铝介质层的耐击穿性能进行了测定,结果表明在优化的实验条件下铝电极电阻率可以达到5.0×10-8Ω·m,氧化铝耐击穿强度大于100 V/μm,完全可以满足实际应用的技术要求。

关键词：等离子体显示器寻址电极氧化铝介质层磁控溅射阳极氧化

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微波辅助快速合成水溶性CdTe/CdSe核壳量子点

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功能材料 2011年第4期42卷 659-662,667页

作者：徐昕贺蓉崔大祥上海交通大学微纳科学技术研究院纳米生物工程实验室"薄膜与微细技术"教育部重点实验室"微米/纳米加工技术"国家级重点实验室上海200240

以巯基乙酸(TGA)作为稳定剂,用微波辅助法快速合成了水溶性CdTe/CdSe核壳量子点。比较了传统水热法和微波辅助法制备的量子点性能,研究了加热温度、反应物配比及CdTe量子点浓度对CdTe/CdSe核壳量子点的性能影响。研究结果表明,核壳结构... 详细信息

以巯基乙酸(TGA)作为稳定剂,用微波辅助法快速合成了水溶性CdTe/CdSe核壳量子点。比较了传统水热法和微波辅助法制备的量子点性能,研究了加热温度、反应物配比及CdTe量子点浓度对CdTe/CdSe核壳量子点的性能影响。研究结果表明,核壳结构的CdTe/CdSe量子点比单一的CdTe量子点具有更优异的光致发光强度和光稳定性。

关键词：水溶性量子点微波核壳

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