检索结果-内蒙古大学图书馆

新兴的纳米结构亚波长光学器件及其发展

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光学技术 2006年第z1期32卷 18-22页

作者：刘汉玉王庆康上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家重点实验室和薄膜与微细技术教育部重点实验室上海200030

介绍了新颖的纳米结构亚波长光学器件的特点,从器件的基本功能特性和工作机理两个方面详细讨论了其应用状况,并阐述了纳米制造技术对亚波长光学器件发展的重要推动作用及这一领域今后的研究热点。

关键词：亚波长光学器件纳米制造纳米结构

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量子点标记链霉亲和素及其生物活性检测

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分析化学 2006年第11期34卷 1625-1628页

作者：邵君尤晓刚高峰贺蓉崔大祥上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海200030

选用无机盐为前驱体,在水相中合成CdTe量子点,并用此量子点标记链霉亲和素,通过SephadexG-100层析分离纯化量子点标记的链霉亲和素,采用磁颗粒标记的链霉亲和素与量子点标记的链霉亲和素竞争结合辣根过氧化酶标记的生物素,即酶联免疫竞... 详细信息

选用无机盐为前驱体,在水相中合成CdTe量子点,并用此量子点标记链霉亲和素,通过SephadexG-100层析分离纯化量子点标记的链霉亲和素,采用磁颗粒标记的链霉亲和素与量子点标记的链霉亲和素竞争结合辣根过氧化酶标记的生物素,即酶联免疫竞争抑制分析法检测链霉亲和素标记量子点后的生物活性,计算约70.3%的链霉亲和素标记到量子点上,且具有生物活性。每毫克量子点大约可偶联0.14 mg的链霉亲和素。采用荧光光谱研究量子点标记前后的荧光变化,标记后量子点的最大发射波长蓝移了8 nm,而发射光谱的半峰宽基本不变,说明量子点与链霉亲和素结合后粒子没有团聚,分散性好。

关键词：量子点标记链霉亲和素竞争抑制反应

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二维亚波长结构对OLED光抽出特性的FDTD模拟研究

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半导体光电 2006年第1期27卷 23-27页

作者：乐敏达王庆康上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海200030

有机发光二极管(OLED)发光效率很大程度上受到器件中高折射率材料(ITO/有机物)对导波光能量的制约。通过使用时域有限差分(FDTD)方法,对在OLED中的氧化铟与氧化锡复合透明阳极ITO结构上覆盖二维正方以及三角排列SiNx圆柱光子晶体厚膜(P... 详细信息

有机发光二极管(OLED)发光效率很大程度上受到器件中高折射率材料(ITO/有机物)对导波光能量的制约。通过使用时域有限差分(FDTD)方法,对在OLED中的氧化铟与氧化锡复合透明阳极ITO结构上覆盖二维正方以及三角排列SiNx圆柱光子晶体厚膜(PCS)的结构进行了数值模拟,并对这种全新结构对于提高束缚于高折射率材料中的光的抽取效率的效果进行了分析,并给出了最优化的几何参数。

关键词： OLED 光抽取效率二维光子晶体厚膜亚波长结构时域有限差分法

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NiTiPd形状记忆合金薄膜的相变和力学特性

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压电与声光 2006年第3期28卷 319-320,324页

作者：张丛春杨春生丁桂甫吴键生钱士强薄膜与微细技术教育部重点实验室微米/纳米加工技术国家级重点实验室上海交通大学微纳米科学技术研究院上海200030 上海交通大学材料科学与工程学院上海200030

利用磁控溅射法制备了NiTiPd形状记忆合金薄膜,并对晶化后的薄膜测量了其相变特性和力学性能。结果表明,薄膜在真空室中于750℃热处理1 h可获得较好的形状记忆效应,NiTiPd薄膜的相变温度比相应的NiTi薄膜的相变温度高,奥氏体相变温度As... 详细信息

利用磁控溅射法制备了NiTiPd形状记忆合金薄膜,并对晶化后的薄膜测量了其相变特性和力学性能。结果表明,薄膜在真空室中于750℃热处理1 h可获得较好的形状记忆效应,NiTiPd薄膜的相变温度比相应的NiTi薄膜的相变温度高,奥氏体相变温度As高于100℃。在室温到150℃范围,随着温度升高,薄膜的断裂强度提高,但是残余应变变小。

关键词：磁控溅射法 NiTiPd薄膜相变力学性能

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一种快速可变剪接模式搜索算法的研究

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高技术通讯 2006年第10期16卷 1051-1055页

作者：张欣赵静王庆康曹志伟上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海200030 上海交通大学生命科学技术学院 200240 上海生物信息技术研究中心上海200235

提出了一种快速可变剪接模式搜索算法--ASDT.该算法通过计算cDNA与基因序列的联配结构来寻找基因的可变剪接模式.ASDT计算中引入已知剪接信息,并采用增强后缀数组、块联配延伸和K最大参考路径等技术和方法来提高计算速度.与国外的BLAT... 详细信息

提出了一种快速可变剪接模式搜索算法--ASDT.该算法通过计算cDNA与基因序列的联配结构来寻找基因的可变剪接模式.ASDT计算中引入已知剪接信息,并采用增强后缀数组、块联配延伸和K最大参考路径等技术和方法来提高计算速度.与国外的BLAT软件的比较结果显示,在达到相同计算精度的前提下,ASDT的搜索速度是BLAT的2到16倍.根据ASDT算法开发的工具可以在以下网址获得： http：//***/ASDT/.

关键词：可变剪接联配搜索算法 EST

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新型检测癌细胞的谐振式生物传感器

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传感器与微系统 2006年第3期25卷 65-67页

作者：卢蔚君惠春徐爱兰上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海200030

研究了一种新型利用磁微球的间接检测癌细胞的生物传感器。利用磁微球分离细胞,将分离细胞过程和检测过程分开,避免了现有方法制作敏感膜的步骤。实验结果表明:这种检测方法操作简单、快速,具有明显的灵敏性和选择性。

关键词：压电谐振式生物传感器磁微球

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磁悬浮转子微陀螺电容结构设计

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传感器与微系统 2006年第1期25卷 41-43页

作者：黄晓刚刘武邵诗逸陈文元张卫平上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海200030

为了实现磁悬浮转子微陀螺的电容检测,使用数值积分方法计算了新型磁悬浮转子微陀螺的电容值与转子倾斜角度的关系。计算确定了电容极板尺寸,电容的连接采用了差动电容的连接方式。通过电容检测电路,检测到了小角度输入范围内的陀螺输... 详细信息

为了实现磁悬浮转子微陀螺的电容检测,使用数值积分方法计算了新型磁悬浮转子微陀螺的电容值与转子倾斜角度的关系。计算确定了电容极板尺寸,电容的连接采用了差动电容的连接方式。通过电容检测电路,检测到了小角度输入范围内的陀螺输出信号。检测结果表明:该电容结构对于静态角度输入具有较好的线性响应,该微陀螺原形的电容结构能够检测到的转子倾斜角度可达到0.1°,对应的电容变化约为1 000 aF,满足了微陀螺对电容检测的要求。

关键词：磁悬浮微陀螺电容检测

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氧分压对磁控溅射BST薄膜及其介电性能的影响

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上海交通大学学报 2006年第1期40卷 108-111页

作者：唐逸杨春生张丛春上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海200030

为了应用平板式射频磁控溅射设备制备出良好介电性能的钛酸锶钡(BST)纳米薄膜,研究了溅射过程中不同氧分压(pO2)对沉积薄膜的化学成分、结晶性、表面形貌、电学性能的影响.实验结果表明:纯氩无氧气氛沉积的BST纳米薄膜化学成分符合化学... 详细信息

为了应用平板式射频磁控溅射设备制备出良好介电性能的钛酸锶钡(BST)纳米薄膜,研究了溅射过程中不同氧分压(pO2)对沉积薄膜的化学成分、结晶性、表面形貌、电学性能的影响.实验结果表明:纯氩无氧气氛沉积的BST纳米薄膜化学成分符合化学计量比,经750℃、30 min氧气保护热处理后,呈现出BST材料固有的钙钛矿相,有较高的介电常数(rε=700)和较低的漏电流密度(1.9μA/cm2);氧氩混合气氛沉积的BST纳米薄膜,由于氧负离子反溅射作用,使薄膜的化学成分偏离化学计量比,经相同热处理后,不能形成相应的晶体结构,导致薄膜的rε下降、漏电流密度提高,介电性能变坏;pO2的变化对沉积薄膜的化学成分影响不大.

关键词：钛酸锶钡射频磁控溅射氧分压 X射线衍射介电性能

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反干涉齿轮集微机电系统密码锁鉴码问题

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上海交通大学学报 2006年第7期40卷 1103-1107页

作者：张卫平陈文元赵小林李胜勇吴校生冯敏华谈顺毅上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海200030

反干涉齿轮集微机电系统密码锁是一种用于要害系统的机电一体化装置,通过访问意图密码与锁体内部固化的机械授权密码比对鉴别实现安全保证.研究了三相四对极轴向磁场微电机的步进控制逻辑,建立了鉴码系统的动力学模型,分析了系统的模态... 详细信息

反干涉齿轮集微机电系统密码锁是一种用于要害系统的机电一体化装置,通过访问意图密码与锁体内部固化的机械授权密码比对鉴别实现安全保证.研究了三相四对极轴向磁场微电机的步进控制逻辑,建立了鉴码系统的动力学模型,分析了系统的模态和不同摩擦参数下的动力学响应.分析表明,密码锁实现鉴码功能不仅要考虑驱动器的电气控制,还要考虑鉴码轴系的动态特性.通过控制棘轮棘爪处的摩擦力矩可有效提高微机电系统密码锁的鉴码性能.

关键词：反干涉齿轮集微机电系统密码锁鉴码步进控制动力学

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MEMS器件气密性封装的低温共晶键合工艺研究

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传感器与微系统 2006年第1期25卷 82-84页

作者：张东梅丁桂甫汪红姜政姚锦元上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海200030

介绍了一种采用Pb-Sn共晶合金作为中间层的键合封装技术,通过电镀的方法在芯片与基片上形成Cr/N i/Cu/Pb-Sn多金属层,在温度为190℃、压强为150 Pa的真空中进行键合,键合过程不需使用助焊剂,避免了助焊剂对微器件的污染。试验表明:这种... 详细信息

介绍了一种采用Pb-Sn共晶合金作为中间层的键合封装技术,通过电镀的方法在芯片与基片上形成Cr/N i/Cu/Pb-Sn多金属层,在温度为190℃、压强为150 Pa的真空中进行键合,键合过程不需使用助焊剂,避免了助焊剂对微器件的污染。试验表明:这种键合工艺具有较好的气密性,键合区合金分布均匀、无缝隙、气泡等脱焊区,键合强度较高,能够满足电子元器件和微机电系统(MEMS)可动部件低温气密性封装的要求。

关键词：微机电系统气密性封装共晶键合低温封装

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