检索结果-内蒙古大学图书馆

微细加工技术 2005年第4期 12-15,30页

作者：叶枝灿徐东王芸王莉吴茂松上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海200030 霍尼韦尔上海传感器实验室上海200030

研究了一种利用光刻胶的回流特性去除表面的磨痕,使其表面平整化的方法,结合牺牲层结构可以非常简便地制备出微机电器件中各种悬臂梁结构。着重研究了光刻胶的前烘胶温度、回流温度、回流时间对回流效果的影响。通过大量的实验得到了较... 详细信息

研究了一种利用光刻胶的回流特性去除表面的磨痕,使其表面平整化的方法,结合牺牲层结构可以非常简便地制备出微机电器件中各种悬臂梁结构。着重研究了光刻胶的前烘胶温度、回流温度、回流时间对回流效果的影响。通过大量的实验得到了较好的回流工艺,即光刻胶90℃下60 min前烘后,并在90℃下回流60 min,不但能通过机械抛光准确控制减薄厚度,而且还可以完全除去其表面的磨痕,获得平滑的表面结构。

关键词：光刻胶回流平面化牺牲层

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准一维β-FeOOH纳米线阵列的磁性及其尺寸效应

准一维β-FeOOH纳米线阵列的磁性及其尺寸效应

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第十二届全国磁学和磁性材料会议

作者：张丽英薛德胜冯杰上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室兰州大学磁学与磁性材料教育部重点实验室兰州大学磁学与磁性材料教育部重点实验室

用电化学方法在多孔氧化铝模板中合成了直径50-200 nm的β-FeOOH纳米线阵列。透射电镜的脱测表明,纳米线均匀,具有较高的长径比。X射线和选区电子衍射结果显示纳米线阵列具有非晶结构。用SQUID MPMS测量ZFC-FC曲线发现不同直径的纳米线... 详细信息

用电化学方法在多孔氧化铝模板中合成了直径50-200 nm的β-FeOOH纳米线阵列。透射电镜的脱测表明,纳米线均匀,具有较高的长径比。X射线和选区电子衍射结果显示纳米线阵列具有非晶结构。用SQUID MPMS测量ZFC-FC曲线发现不同直径的纳米线阵列在低温下具有自旋冻结现象,阻截温度TB约为20 K。观测磁化强度与温度的关系曲线发现Neel温度TN约为25 K,远远低于块体材料的Neel温度（约290 K）,除了直径50 nm的纳米线阵列外,直径对TB与TN的影响很小。测量磁滞回线发现,室温下具有线型磁滞回线,而低温5 K时, 纳米线阵列具有磁滞现象,矫顽力达到1500 Oe。这些反常磁性可以用纳米线的晶体结构和低维效应引起的表面效应解释。强场下的M-T曲线测量使得这种解释得到进一步的验证。

关键词： β-FeOOH 纳米线电沉积磁性

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Pd^(2+)离子对TiO_2光催化薄膜化学稳定性的影响

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稀有金属材料与工程 2004年第12期33卷 1347-1350页

作者：徐爱兰惠春许小兵上海交通大学微纳米科学技术研究院微米/纳米加工技术国家级重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海200030

采用 Sol-Gel 工艺在普通玻璃表面制备出均匀、透明的添加 0.3%~0.5%贵金属 Pd2+的 TiO2-SiO2 复合薄膜。通过对薄膜的 XRD,SEM 表征及薄膜耐酸、碱化学稳定性的检测,结果表明,在 TiO2-SiO2 薄膜中添加 Pd2+,增强了 TiO2 薄膜的光催化活... 详细信息

采用 Sol-Gel 工艺在普通玻璃表面制备出均匀、透明的添加 0.3%~0.5%贵金属 Pd2+的 TiO2-SiO2 复合薄膜。通过对薄膜的 XRD,SEM 表征及薄膜耐酸、碱化学稳定性的检测,结果表明,在 TiO2-SiO2 薄膜中添加 Pd2+,增强了 TiO2 薄膜的光催化活性,由于 Pd2+所起到阻滞剂的作用,使晶粒尺寸减小,表面呈多孔合理结构,改善了TiO2 薄膜的显微结构,使薄膜的化学稳定性得到明显的提高。

关键词： TiO2光催化复合薄膜化学稳定性

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液相法制备纳米粒子的粒径控制研究

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功能材料 2004年第z1期35卷 2699-2703页

作者：张效岩王英张亚非上海交通大学微纳米科学技术研究院薄膜与微细技术教育部重点实验室微米/纳米加工技术国家级重点实验室上海200030 上海交通大学微纳米科学技术研究院薄膜与微细技术教育部重点实验室微米/纳米加工技术国家级重点实验室上海200030 上海交通大学微纳米科学技术研究院薄膜与微细技术教育部重点实验室微米/纳米加工技术国家级重点实验室上海200030

液相法是目前制备纳米粒子的重要方法之一.本文简要地阐述了液相法制备纳米粒子时粒径控制的机理,并在液相法过程特征的基础上,重点分析了影响粒径分布和形状控制的几个最主要因素,详细解释了化学计量学方法在控制纳米粒子粒度及其分布... 详细信息

液相法是目前制备纳米粒子的重要方法之一.本文简要地阐述了液相法制备纳米粒子时粒径控制的机理,并在液相法过程特征的基础上,重点分析了影响粒径分布和形状控制的几个最主要因素,详细解释了化学计量学方法在控制纳米粒子粒度及其分布方面的应用.

关键词：纳米粒子液相法粒径控制化学计量学

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PMMA的反应离子深刻蚀

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真空科学与技术学报 2004年第2期24卷 157-160页

作者：张丛春杨春生丁桂甫黄龙旺薄膜与微细技术教育部重点实验室微米/纳米加工技术国家级重点实验室上海交通大学微纳米科学技术研究院上海200030

对PMMA进行反应离子深刻蚀以获得高深度比微结构。研究了纯氧刻蚀气体中加入CHF3 对刻蚀速率、图形形貌等的影响。纯氧刻蚀PMMA ,钻蚀现象严重。加入CHF3 后 ,刻蚀速率随CHF3 含量增加而下降。加入适量CHF3 ,可以在侧壁形成钝化层 ,保... 详细信息

对PMMA进行反应离子深刻蚀以获得高深度比微结构。研究了纯氧刻蚀气体中加入CHF3 对刻蚀速率、图形形貌等的影响。纯氧刻蚀PMMA ,钻蚀现象严重。加入CHF3 后 ,刻蚀速率随CHF3 含量增加而下降。加入适量CHF3 ,可以在侧壁形成钝化层 ,保护侧壁不受钻蚀。当CHF3 含量为 4 0 % ,刻蚀功率 30W ,工作气压为 4Pa时 ,即使刻蚀深度达到 4 0 0 μm ,侧壁仍然陡直 ,刻蚀深宽比大于 10。

关键词： PMMA 反应离子刻蚀比微结构刻蚀气体钻蚀 HGA技术

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磁悬浮转子微陀螺的设计技术

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光学精密工程 2004年第z1期12卷 1-5页

作者：张卫平陈文元吴校生赵小林崔峰黄晓刚刘武上海交通大学微纳米科学技术研究院薄膜与微细技术教育部重点实验室微米/纳米加工技术国家级重点实验室上海200030

磁悬浮转子微陀螺利用电磁涡流实现微转子的悬浮支撑和高速旋转,是一种精度可达惯性级的新颖MEMS(Micro Electronic Mechanical System)陀螺.讨论和研究了这种新颖微陀螺的悬浮支撑、高速转动、位置检测及加矩稳定的原理,并给出了相应... 详细信息

磁悬浮转子微陀螺利用电磁涡流实现微转子的悬浮支撑和高速旋转,是一种精度可达惯性级的新颖MEMS(Micro Electronic Mechanical System)陀螺.讨论和研究了这种新颖微陀螺的悬浮支撑、高速转动、位置检测及加矩稳定的原理,并给出了相应的微转子、定子悬浮线圈、旋转线圈、稳定线圈、传感电极的设计原则和方法.设计了一个转子直径2 200μm、厚度25 μm,定子线圈线宽10μm、厚度5μm,悬浮励磁频率10 MHz、旋转励磁频率2 MHz的微陀螺,解决了三维非硅准LiGA技术加工微陀螺中的引线、绝缘、摩擦柱成型问题,并进行了相关的陀螺悬浮旋转试验,该陀螺在空气环境下能够以1000 r/min旋转,悬浮高度200μm,说明这种陀螺的原理和设计方法是可行的.

关键词：磁悬浮转子微陀螺 MEMS 设计准LiGA技术试验

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电沉积纳米锌层的研究

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电化学 2004年第1期10卷 107-111页

作者：曹莹沈天慧姚锦元丁桂甫薄膜与微细技术教育部重点实验室微米/纳米加工技术国家级重点实验室上海交通大学微纳米科学技术研究院上海200030

　采用XRD研究和场发射电镜(FEG＿TEM)电沉积锌镀层纳米改性,分别观察并分析纳米镀锌层的结晶形态及其晶粒尺寸,根据镀层极化曲线和中性盐雾试验测定,结果表明,纳米镀锌层的抗腐蚀性能优于其它镀层.

关键词：电沉积纳米锌层结晶形态晶粒尺寸抗腐蚀性能家用轿车表面装饰技术镀锌钢板

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碳基场发射冷阴极材料的研究

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材料导报 2004年第5期18卷 12-15页

作者：钱开友林仰魁徐东蔡炳初孙卓薄膜与微细技术教育部重点实验室微米/纳米加工技术国家级重点实验室上海交通大学微纳米科学技术研究院上海200030 华东师范大学纳米功能材料与器件应用研究中心上海200062

场发射冷阴极材料作为真空微电子器件的核心部件,在真空微电子场发射的研究与应用中占有极其重要的地位。目前碳基材料金刚石、类金刚石和碳纳米管在场发射冷阴级的研究中居统治地位。阐述了以上3种材料的制备工艺,发射特性,提出了改进... 详细信息

场发射冷阴极材料作为真空微电子器件的核心部件,在真空微电子场发射的研究与应用中占有极其重要的地位。目前碳基材料金刚石、类金刚石和碳纳米管在场发射冷阴级的研究中居统治地位。阐述了以上3种材料的制备工艺,发射特性,提出了改进其发射性能的措施,并对它们目前存在的问题及其应用前景进行了展望。

关键词：碳基材料场发射冷阴极真空微电子器件类金刚石碳纳米管发射传感器场发射平板显示器微波毫米波器件

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薄膜厚度对多层膜巨磁阻抗效应的影响研究

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功能材料与器件学报 2004年第2期10卷 165-170页

作者：周勇丁文陈吉安高孝裕王明军张亚民上海交通大学微纳米科学技术研究院薄膜与微细技术教育部重点实验室微米/纳米加工技术国家级重点实验室上海200030

采用磁控溅射方法在玻璃基片上制备了FesiB/cu/FesiB多层膜,在100kHz～40MHz范围内研究了FesiB薄膜厚度对FesiB/Cu/FesiB多层膜巨磁阻抗效应的影响。当磁场施加在薄膜的纵向时,巨磁阻抗效应随磁场的增加而增加,在某一磁场下达到最大值,... 详细信息

采用磁控溅射方法在玻璃基片上制备了FesiB/cu/FesiB多层膜,在100kHz～40MHz范围内研究了FesiB薄膜厚度对FesiB/Cu/FesiB多层膜巨磁阻抗效应的影响。当磁场施加在薄膜的纵向时,巨磁阻抗效应随磁场的增加而增加,在某一磁场下达到最大值,然后随磁场的增加而下降到负的巨磁阻抗效应。当FesiB薄膜的厚度为1.8μm时,在频率3.2MHz、磁场2.4kA/m时,多层膜巨磁阻抗效应达最大值13.5％;在磁场为9.6kA/m时,巨磁阻抗效应为-9.2％。然而,当FesiB薄膜的厚度为1μm时,多层膜的巨磁阻抗效应在频率40MHz、磁场1.6kA/m时达最大值5.8％。另外,当磁场施加在薄膜的横向时,薄膜表现出负的巨磁阻抗效应。对于膜厚为1.8μm的FeSiB薄膜,在频率5.2MHz、磁场9.6kA/m时,巨磁阻抗效应为-12％。可见巨磁阻抗效应的最大值及负的巨磁阻抗效应与多层膜中磁各向异性轴的取向及FeSiB薄膜的厚度有关。

关键词：巨磁阻抗效应非晶FeSiB薄膜 FeSiB/Cu/FeSiB多层膜薄膜厚度

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用于MEMS器件的真空密封技术

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微细加工技术 2004年第4期 64-68,78页

作者：林仰魁钱开友徐东蔡炳初上海交通大学微纳米科学技术研究院薄膜与微细技术教育部重点实验室微米纳米加工技术国家级重点实验室上海200030

介绍MEMS器件中常用的键合技术和适用于真空密封与器件性能要求的特殊结构设计,以及提高和保持器件高真空环境的方法。合适的真空密封技术不仅能够保证和提高MEMS器件的性能,同时可以简化工艺步骤,降低器件成本。

关键词： MEMS 传感器键合技术真空密封

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