检索结果-内蒙古大学图书馆

分析化学 2006年第11期34卷 1625-1628页

作者：邵君尤晓刚高峰贺蓉崔大祥上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海200030

选用无机盐为前驱体,在水相中合成CdTe量子点,并用此量子点标记链霉亲和素,通过SephadexG-100层析分离纯化量子点标记的链霉亲和素,采用磁颗粒标记的链霉亲和素与量子点标记的链霉亲和素竞争结合辣根过氧化酶标记的生物素,即酶联免疫竞... 详细信息

选用无机盐为前驱体,在水相中合成CdTe量子点,并用此量子点标记链霉亲和素,通过SephadexG-100层析分离纯化量子点标记的链霉亲和素,采用磁颗粒标记的链霉亲和素与量子点标记的链霉亲和素竞争结合辣根过氧化酶标记的生物素,即酶联免疫竞争抑制分析法检测链霉亲和素标记量子点后的生物活性,计算约70.3%的链霉亲和素标记到量子点上,且具有生物活性。每毫克量子点大约可偶联0.14 mg的链霉亲和素。采用荧光光谱研究量子点标记前后的荧光变化,标记后量子点的最大发射波长蓝移了8 nm,而发射光谱的半峰宽基本不变,说明量子点与链霉亲和素结合后粒子没有团聚,分散性好。

关键词：量子点标记链霉亲和素竞争抑制反应

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应用X射线光刻的微针阵列及掩模板补偿

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光学精密工程 2010年第2期18卷 420-425页

作者：陈少军李以贵杉山进上海交通大学微纳米科学技术研究院薄膜与微细技术教育部重点实验室微米/纳米加工技术国家级重点实验室上海200240 日本立命馆大学微系统研究中心

提出了一种聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)微针的微细加工工艺,该工艺基于PCT技术,结合X射线以及光刻掩模制作三维微结构。通过移动LIGA掩模板曝光来加工微立体PMMA结构,其加工形状取决于X光光刻掩模板吸收体的形状。实验显示,最终的结构形状... 详细信息

提出了一种聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)微针的微细加工工艺,该工艺基于PCT技术,结合X射线以及光刻掩模制作三维微结构。通过移动LIGA掩模板曝光来加工微立体PMMA结构,其加工形状取决于X光光刻掩模板吸收体的形状。实验显示,最终的结构形状并非完全与掩模板上吸收体的形状一致。如果不对X光光刻掩模板的吸收体形状进行补偿,即会使被加工的微结构侧面变形,从而影响微针的性能。分析了微针阵列侧面变形的原因,认为这种变形是由于显影时间与曝光量之间的非线性关系导致结构形状与曝光量分布不完全一致造成的。利用PCT方法制作的PMMA微针其长度为100～750μm,直径为30～150μm,针尖的直径最小可达100nm。通过对LIGA掩模板上的吸收体图形进行适当的补偿,使吸收体图形从中空的双直角三角形变为中空的半椭圆图形,增强了带沟道的微注射针阵列的强度。

关键词： X射线光刻聚甲基丙烯酸甲酯三维微结构掩模吸收体

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二维亚波长结构对OLED光抽出特性的FDTD模拟研究

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半导体光电 2006年第1期27卷 23-27页

作者：乐敏达王庆康上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海200030

有机发光二极管(OLED)发光效率很大程度上受到器件中高折射率材料(ITO/有机物)对导波光能量的制约。通过使用时域有限差分(FDTD)方法,对在OLED中的氧化铟与氧化锡复合透明阳极ITO结构上覆盖二维正方以及三角排列SiNx圆柱光子晶体厚膜(P... 详细信息

有机发光二极管(OLED)发光效率很大程度上受到器件中高折射率材料(ITO/有机物)对导波光能量的制约。通过使用时域有限差分(FDTD)方法,对在OLED中的氧化铟与氧化锡复合透明阳极ITO结构上覆盖二维正方以及三角排列SiNx圆柱光子晶体厚膜(PCS)的结构进行了数值模拟,并对这种全新结构对于提高束缚于高折射率材料中的光的抽取效率的效果进行了分析,并给出了最优化的几何参数。

关键词： OLED 光抽取效率二维光子晶体厚膜亚波长结构时域有限差分法

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NiTiPd形状记忆合金薄膜的相变和力学特性

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压电与声光 2006年第3期28卷 319-320,324页

作者：张丛春杨春生丁桂甫吴键生钱士强薄膜与微细技术教育部重点实验室微米/纳米加工技术国家级重点实验室上海交通大学微纳米科学技术研究院上海200030 上海交通大学材料科学与工程学院上海200030

利用磁控溅射法制备了NiTiPd形状记忆合金薄膜,并对晶化后的薄膜测量了其相变特性和力学性能。结果表明,薄膜在真空室中于750℃热处理1 h可获得较好的形状记忆效应,NiTiPd薄膜的相变温度比相应的NiTi薄膜的相变温度高,奥氏体相变温度As... 详细信息

利用磁控溅射法制备了NiTiPd形状记忆合金薄膜,并对晶化后的薄膜测量了其相变特性和力学性能。结果表明,薄膜在真空室中于750℃热处理1 h可获得较好的形状记忆效应,NiTiPd薄膜的相变温度比相应的NiTi薄膜的相变温度高,奥氏体相变温度As高于100℃。在室温到150℃范围,随着温度升高,薄膜的断裂强度提高,但是残余应变变小。

关键词：磁控溅射法 NiTiPd薄膜相变力学性能

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用同步辐射光刻直接在有机玻璃板上制备高深宽比亚微米光栅

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光学学报 2010年第5期30卷 1451-1454页

作者：李以贵杉山进上海交通大学微纳米科学技术研究院薄膜与微细技术教育部重点实验室微米/纳米加工技术国家级重点实验室上海200240 日本立命馆大学微系统研究中心日本滋贺525-8577

为了将平面金属膜紧密耦合到纳米光栅形成的表面等离子体共振传感器,以提高灵敏度,以及利用亚微米光栅调整共振反射波长,需要制备亚微米结构光栅。介绍了一种基于X光光刻的亚微米结构光栅的制造技术。该结构光栅是利用日本立命馆大学的... 详细信息

为了将平面金属膜紧密耦合到纳米光栅形成的表面等离子体共振传感器,以提高灵敏度,以及利用亚微米光栅调整共振反射波长,需要制备亚微米结构光栅。介绍了一种基于X光光刻的亚微米结构光栅的制造技术。该结构光栅是利用日本立命馆大学的同步辐射光源进行同步辐射光光刻,在有机玻璃(PMMA)板上直接得到亚微米光栅。用此纳米加工技术获得的光栅线宽为250 nm,周期为500 nm,深宽比为8的PMMA亚微米结构光栅。还优化了曝光近接间隔、曝光剂量和显影时间等同步辐射光刻参数。

关键词：光栅同步辐射光刻亚微米光栅高深宽比纳米制造

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非接触压电马达驱动机理分析

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压电与声光 2005年第5期27卷 562-565页

作者：刘景全杨斌周广华蔡炳初杨志刚上海交通大学微纳米科学技术研究院薄膜与微细技术教育部重点实验室微米/纳米加工技术国家级重点实验室上海200030 吉林大学机械科学与工程学院吉林长春130025

主要研究行波型非接触压电马达的驱动机理,该文引入边界层概念,对振动体产生的边界层进行分析,探讨行波型超声波非接触驱动机理。给出在振子产生的边界层内超声波非接触驱动主要为声流驱动,而在边界层外是由壁面行波产生的斜向声辐射压... 详细信息

主要研究行波型非接触压电马达的驱动机理,该文引入边界层概念,对振动体产生的边界层进行分析,探讨行波型超声波非接触驱动机理。给出在振子产生的边界层内超声波非接触驱动主要为声流驱动,而在边界层外是由壁面行波产生的斜向声辐射压力驱动。

关键词：压电马达非接触驱动机理

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聚乙丙交酯降解膜片的改性及其对5-氟尿嘧啶的缓释特性

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上海交通大学学报 2008年第5期42卷 822-826,830页

作者：刘凤涛贺蓉赵远党高峰章一新崔大祥上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海200240 上海交通大学医学院附属第九人民医院上海200011

利用溶剂蒸发法制备载有5-氟尿嘧啶(5-FU)可生物降解的聚乙丙交酯(PLGA)植入膜片,着重讨论了在降解过程中,聚合物的重均分子量(Mw)、数均分子量(Mn)和膜片的内部形态变化规律.通过在PLGA膜片表面分别涂层w=23%的凝胶溶液和PLGA(丙交酯... 详细信息

利用溶剂蒸发法制备载有5-氟尿嘧啶(5-FU)可生物降解的聚乙丙交酯(PLGA)植入膜片,着重讨论了在降解过程中,聚合物的重均分子量(Mw)、数均分子量(Mn)和膜片的内部形态变化规律.通过在PLGA膜片表面分别涂层w=23%的凝胶溶液和PLGA(丙交酯∶乙交酯=50∶50,摩尔比)溶液对膜片进行改性,考察改性后的膜片对5-FU释放速率的影响规律.用零级释放和一级释放方程对5-FU释放曲线的各个阶段进行描述,通过非线性拟合得到了相关的释放系数,并且提出5-FU的释放机理.结果表明:与未改性的膜片相比,涂有明胶的PLGA膜片5-FU首次释放率从50%降低到20%,释放曲线分为两个阶段,前阶段的药物释放由凝胶降解控制,后阶段为零级释放;膜片涂有PLGA后阻止了突然释放率,且两个阶段5-FU的释放曲线均符合零级释放.

关键词：聚乙丙交酯聚合物降解突然释放 5-氟尿嘧啶

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圆盘型非接触压电微马达定子的振动分析

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振动．测试与诊断 2005年第3期25卷 193-195页

作者：周广华杨斌刘景全蔡炳初上海交通大学薄膜与微细技术教育部重点实验室上海交通大学微米/纳米加工技术国家级重点实验室上海交通大学微纳米科学技术研究院上海200030

提出一种圆盘型非接触压电微马达,采用有限元方法分析了马达定子的振动模态和固有频率,对定子的振幅与施加电压的关系进行了数值分析。最后,采用激光多谱勒测振仪对定子的振型和振幅进行了测试,实验结果与有限元分析吻合较好,为马达定... 详细信息

提出一种圆盘型非接触压电微马达,采用有限元方法分析了马达定子的振动模态和固有频率,对定子的振幅与施加电压的关系进行了数值分析。最后,采用激光多谱勒测振仪对定子的振型和振幅进行了测试,实验结果与有限元分析吻合较好,为马达定子的设计和优化提供了理论依据。

关键词：压电马达非接触定子有限元方法

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基于Si掺杂Sb2Te3薄膜的相变存储器研究

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物理学报 2007年第7期56卷 4224-4228页

作者：张祖发张胤冯洁蔡燕飞林殷茵蔡炳初汤庭鳌 Bomy Chen 上海交通大学"薄膜与微细技术"教育部重点实验室"微米/纳米加工技术"国家级重点实验室微纳科学技术研究院上海200030 复旦大学专用集成电路和系统国家重点实验室上海200433 Silicon Storage Technology Inc. Sunnyvale

采用磁控三靶(Si,Sb及Te)共溅射法制备了Si掺杂Sb2Te3薄膜,作为对比,制备了Ge2Sb2Te5和Sb2Te3薄膜,并且采用微加工工艺制备了单元尺寸为10μm×10μm的存储器件原型来研究器件性能.研究表明,Si掺杂提高了Sb2Te3薄膜的晶化温度以及... 详细信息

采用磁控三靶(Si,Sb及Te)共溅射法制备了Si掺杂Sb2Te3薄膜,作为对比,制备了Ge2Sb2Te5和Sb2Te3薄膜,并且采用微加工工艺制备了单元尺寸为10μm×10μm的存储器件原型来研究器件性能.研究表明,Si掺杂提高了Sb2Te3薄膜的晶化温度以及薄膜的晶态和非晶态电阻率,使得其非晶态与晶态电阻率之比达到106,提高了器件的电阻开/关比;同Ge2Sb2Te5薄膜相比,16at%Si掺杂Sb2Te3薄膜具有较低的熔点和更高的晶态电阻率,这有利于降低器件的RESET电流.研究还表明,采用16at%Si掺杂Sb2Te3薄膜作为存储介质的存储器器件原型具有记忆开关特性,可以在脉高3V、脉宽500ns的电脉冲下实现SET操作,在脉高4V、脉宽20ns的电脉冲下实现RESET操作,并能实现反复写/擦,而采用Ge2Sb2Te5薄膜的相同结构的器件不能实现RESET操作.

关键词：相变存储器硫系化合物 Si掺杂Sb2Te3 薄膜 SET/RESET转变

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三维紧凑型半球凹坑阵列玻璃基在非晶硅薄膜电池中的应用

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半导体光电 2013年第1期34卷 69-73,78页

作者：钟建平王庆康上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海200240

研究了一种紧密型半球凹坑阵列光子晶体玻璃基,并将其运用在非晶硅薄膜太阳电池结构。用FDTD方法对玻璃基进行了透射衍射场分布计算,用RCWA方法对基于此基底的非晶硅薄膜结构进行仿真优化,得到了0.6μm周期、最小基底厚度0.6μm的优化结... 详细信息

研究了一种紧密型半球凹坑阵列光子晶体玻璃基,并将其运用在非晶硅薄膜太阳电池结构。用FDTD方法对玻璃基进行了透射衍射场分布计算,用RCWA方法对基于此基底的非晶硅薄膜结构进行仿真优化,得到了0.6μm周期、最小基底厚度0.6μm的优化结构,与平板结构相比较0.3～0.8μm波段平均反射率降低了51.5%,平均吸收率增加了18.6%。薄膜电池结构随入射角度的增大,反射率峰值发生蓝移且明显降低,在50°～65°入射角范围内全波段具有约6%的平均反射率。

关键词：光子晶体透射衍射薄膜太阳电池陷光

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