检索结果-内蒙古大学图书馆

微纳电子技术 2010年第2期47卷 93-98页

作者：王亚攀吴义伯张小波张丛春杨春生上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海200240

使用射频磁控溅射法,在Si片上沉积了TiNi形状记忆合金薄膜,分别采用能谱色散光谱仪(EDS)和差示扫描热量分析(DSC)方法测试了薄膜的成分和相变特征温度,并通过给形状记忆合金(SMA)薄膜加热及冷却,观察薄膜的形变恢复情况,定性测试了SMA... 详细信息

使用射频磁控溅射法,在Si片上沉积了TiNi形状记忆合金薄膜,分别采用能谱色散光谱仪(EDS)和差示扫描热量分析(DSC)方法测试了薄膜的成分和相变特征温度,并通过给形状记忆合金(SMA)薄膜加热及冷却,观察薄膜的形变恢复情况,定性测试了SMA的形状记忆特性。在此基础上,设计并制造了一种SMA薄膜/Si膜复合膜悬臂梁结构的微驱动器。在室温下,SMA电热驱动器的悬臂梁是平直的;由于TiNi合金具有相变和形状记忆特性,当TiNi电极加上电压后,悬臂梁会产生弯曲。测试结果表明,在2.0V电压下,驱动器悬臂梁端部的驱动位移可达到70.5μm,功耗为20mW。

关键词：电热驱动器双层结构 TiNi基形状记忆合金薄膜 ANSYS仿真 Si微细加工技术

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基于准分子激光工艺制作X射线光掩膜

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半导体技术 2010年第4期35卷 349-351页

作者：陈少军李以贵上海交通大学微纳米科学技术研究院薄膜与微细技术教育部重点实验室微米/纳米加工技术国家级重点实验室上海200240

LIGA工艺是一项能够应用于制造三维微机械结构的微细加工技术,但制作掩膜版工艺复杂、成本高。为了解决商用的微光学系统制造成本问题,在Au薄膜上用准分子激光直写的方法制作掩膜,这样既能够很快得到雏形,同时也能够降低制作的掩膜版的... 详细信息

LIGA工艺是一项能够应用于制造三维微机械结构的微细加工技术,但制作掩膜版工艺复杂、成本高。为了解决商用的微光学系统制造成本问题,在Au薄膜上用准分子激光直写的方法制作掩膜,这样既能够很快得到雏形,同时也能够降低制作的掩膜版的成本。分析讨论了基于电子束制作掩膜版和基于准分子激光制作掩膜版两种方法,得出了准分子激光制作的掩膜在成本和时间上都有优势的结论。将通过准分子激光技术制作的掩膜置于X射线下,在PMMA基板上可以加工很好的三维微结构。通过依次直接激光烧蚀金薄膜可以加工具有一系列微球状结构的吸收体图形,再将此图形转写到PMMA基板上,可以得到的最低像素为25μm。

关键词：准分子激光掩膜版投影 LIGA掩膜版 PMMA基板

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RF MEMS开关的桥膜弹性系数计算

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电子元件与材料 2005年第3期24卷 47-50页

作者：邵雯雯惠春徐爱兰薄膜与微细技术教育部重点实验室微米/纳米加工技术国家级重点实验室上海交通大学微纳米科学技术研究院上海200030

桥膜弹性系数是影响RFMEMS开关启动电压的重要参量。对RFMEMS开关进行静态力学分析,指出常用的桥膜弹性系数的计算公式未考虑开关实际采用的共面波导(CPW)结构。考虑桥膜上实际的静电力分布,修正了桥膜弹性系数的计算公式。根据修正后... 详细信息

桥膜弹性系数是影响RFMEMS开关启动电压的重要参量。对RFMEMS开关进行静态力学分析,指出常用的桥膜弹性系数的计算公式未考虑开关实际采用的共面波导(CPW)结构。考虑桥膜上实际的静电力分布,修正了桥膜弹性系数的计算公式。根据修正后的计算公式,进一步探讨了减小桥膜弹性系数的方法,以降低开关的启动电压。

关键词：电子技术 RFMEMS开关桥膜驱动电压弹性系数

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基于高深宽比Si干法刻蚀参数优化

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微纳电子技术 2009年第12期46卷 750-754页

作者：陈少军李以贵上海交通大学微纳米科学技术研究院微米/纳米加工技术国家级重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海200240

为满足体硅MEMS制造工艺进一步发展的需要,对电感耦合等离子体(ICP)刻蚀工艺参数进行了深入分析,着重分析了平板功率对Si干法刻蚀的影响。通过对Si干法刻蚀的主要工艺参数进行正交试验,得出了一组较为理想的刻蚀工艺参数:刻蚀气体SF6和... 详细信息

为满足体硅MEMS制造工艺进一步发展的需要,对电感耦合等离子体(ICP)刻蚀工艺参数进行了深入分析,着重分析了平板功率对Si干法刻蚀的影响。通过对Si干法刻蚀的主要工艺参数进行正交试验,得出了一组较为理想的刻蚀工艺参数:刻蚀气体SF6和保护气体C4F8的流量均为13cm3·min-1,在一个周期内通入刻蚀气体SF6的时间为4s,通入钝化气体C4F8的时间为3s;线圈功率为400W,平板功率为110W。利用这组优化的工艺参数进行Si的干法刻蚀,所得到的微结构的深宽比将大于20∶1,同时侧壁垂直度能够很好地控制在90°±1°。

关键词：微机电系统电感耦合等离子体(ICP)刻蚀平板功率正交试验深宽比

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BST薄膜铁电移相器研究进展

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电子元件与材料 2005年第3期24卷 59-62页

作者：余慧春徐爱兰惠春上海交通大学微纳米科学技术研究院薄膜与微细技术教育部重点实验室微米/纳米加工技术国家级重点实验室上海200030

钛酸锶钡(BST)薄膜因其具有高的介电调谐量,相对低的损耗tgδ和快的开关速度,在微波移相器的应用中显示出巨大优势。介绍了改善BST薄膜的介电性能的有效方法,衬底材料的选择,以及BST薄膜铁电移相器的结构类型和研究进展。

关键词：微波技术钛酸锶钡薄膜铁电移相器综述介电性能

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PMMA的反应离子深刻蚀

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真空科学与技术学报 2004年第2期24卷 157-160页

作者：张丛春杨春生丁桂甫黄龙旺薄膜与微细技术教育部重点实验室微米/纳米加工技术国家级重点实验室上海交通大学微纳米科学技术研究院上海200030

对PMMA进行反应离子深刻蚀以获得高深度比微结构。研究了纯氧刻蚀气体中加入CHF3 对刻蚀速率、图形形貌等的影响。纯氧刻蚀PMMA ,钻蚀现象严重。加入CHF3 后 ,刻蚀速率随CHF3 含量增加而下降。加入适量CHF3 ,可以在侧壁形成钝化层 ,保... 详细信息

对PMMA进行反应离子深刻蚀以获得高深度比微结构。研究了纯氧刻蚀气体中加入CHF3 对刻蚀速率、图形形貌等的影响。纯氧刻蚀PMMA ,钻蚀现象严重。加入CHF3 后 ,刻蚀速率随CHF3 含量增加而下降。加入适量CHF3 ,可以在侧壁形成钝化层 ,保护侧壁不受钻蚀。当CHF3 含量为 4 0 % ,刻蚀功率 30W ,工作气压为 4Pa时 ,即使刻蚀深度达到 4 0 0 μm ,侧壁仍然陡直 ,刻蚀深宽比大于 10。

关键词： PMMA 反应离子刻蚀比微结构刻蚀气体钻蚀 HGA技术

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曲折形三层等宽FeCuNbSiB/Cu/FeCuNbSiB多层膜巨磁阻抗效应研究

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电子元件与材料 2006年第1期25卷 23-26页

作者：余先育曹莹周勇丁文商干兵周志敏高孝裕上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海200030

采用磁控溅射方法，在玻璃基片上制备了曲折形三层等宽FeCuNbSiB／Cu／FeCuNbSiB多层膜。在1．40MHz下，研究了多层膜材料的巨磁阻抗（GMI）效应随外加磁场的变化关系。结果表明：在频率为5MHz、磁场强度为12kA／m下，横向和纵向GMI效... 详细信息

采用磁控溅射方法，在玻璃基片上制备了曲折形三层等宽FeCuNbSiB／Cu／FeCuNbSiB多层膜。在1．40MHz下，研究了多层膜材料的巨磁阻抗（GMI）效应随外加磁场的变化关系。结果表明：在频率为5MHz、磁场强度为12kA／m下，横向和纵向GMI效应分别达-23．5％和-16．8％。薄膜材料的纵向、横向GMI效应随外加磁场变化呈现先增后降，而纵向表现尤为明显。

关键词：电子技术巨磁阻抗效应三层等宽结构FeCuNbSiB/Cu/FeCuNbSiB薄膜微细加工技术

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新型电流微调CMOS带隙基准源的设计

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半导体技术 2009年第9期34卷 919-922页

作者：吴日新戴庆元谢芳上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海200240

介绍了一个新型PTAT电流微调并具有关断模式的CMOS带隙基准源,通过数字控制信号逻辑的改变,可实现1.20～1.27V的基准输出。该带隙基准源采用TSMC0.18μm工艺进行电路和版图设计。仿真结果显示,在输出基准为1.24V的情况下,带隙基准源在-4... 详细信息

介绍了一个新型PTAT电流微调并具有关断模式的CMOS带隙基准源,通过数字控制信号逻辑的改变,可实现1.20～1.27V的基准输出。该带隙基准源采用TSMC0.18μm工艺进行电路和版图设计。仿真结果显示,在输出基准为1.24V的情况下,带隙基准源在-40～125℃,所有工艺角下的最大误差为23.07mV,其中tt工艺角下的温度系数为21×10-6/℃。电源电压为1.8V时,电源电流为63μA;关断模式下电流为93pA。10kHz的电源抑制比为44dB。

关键词： CMOS带隙基准电流微调关断模式

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基于Sn/Bi合金的低温气密性封装工艺研究

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功能材料与器件学报 2006年第3期12卷 211-214页

作者：张东梅丁桂甫汪红姜政姚锦元上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海200030

研究了采用Sn/B i合金作为中间层的键合封装技术。通过电镀的方法在基片上形成Cr/N i/Cu/Sn、芯片上形成Cr/N i/Cu/B i多金属层,在513K、150Pa的真空环境中进行共晶键合,键合过程不需使用助焊剂,避免了助焊剂对微器件的污染。实验表明:... 详细信息

研究了采用Sn/B i合金作为中间层的键合封装技术。通过电镀的方法在基片上形成Cr/N i/Cu/Sn、芯片上形成Cr/N i/Cu/B i多金属层,在513K、150Pa的真空环境中进行共晶键合,键合过程不需使用助焊剂,避免了助焊剂对微器件的污染。实验表明:这种键合工艺具有较好的气密性,键合区合金层分布均匀,无缝隙、气泡等缺陷,键合强度较高,能够满足电子元器件和微机电系统(MEMS)可动部件低温气密性封装的要求。

关键词：微机电系统气密性封装低温键合

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曲折状CoFeSiB三明治薄膜及其巨磁阻抗效应

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电子元件与材料 2007年第8期26卷 16-19页

作者：张桂林周勇周志敏上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家重点实验室薄膜与微细技术教育部重点实验室上海200030

利用射频磁控溅射技术及MEMS技术,制备了曲折状三明治结构的CoFeSiB/Cu/CoFeSiB多层膜,在l～40 MHz频率下,研究了多层膜的纵向和横向巨磁阻抗效应以及相应的电阻、电抗变化率。结果表明:曲折状三明治结构多层膜的巨磁阻抗效应,比单层膜... 详细信息

利用射频磁控溅射技术及MEMS技术,制备了曲折状三明治结构的CoFeSiB/Cu/CoFeSiB多层膜,在l～40 MHz频率下,研究了多层膜的纵向和横向巨磁阻抗效应以及相应的电阻、电抗变化率。结果表明:曲折状三明治结构多层膜的巨磁阻抗效应,比单层膜有较大的提高,纵向和横向最大GMI效应分别为12.2%和–18.6%。

关键词：电子技术 CoFeSiB/Cu/CoFeSiB 巨磁阻抗曲折状结构三明治薄膜 MEMS

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