检索结果-内蒙古大学图书馆

光学学报 2025年

作者：周牧冉浩成王勇杜楠重庆邮电大学通信与信息工程学院移动通信教育部工程研究中心唐山师范学院计算机科学技术系

在自动驾驶领域，汽车周围的环境信息能够通过3D点云很好地呈现出来，而激光雷达则是获取3D点云数据的关键来源。然而，但对于现有的3D目标检测任务而言，直接处理点云数据会因其数据量庞大而占用大量计算资源；另外，利用点云数据生成... 详细信息

在自动驾驶领域，汽车周围的环境信息能够通过3D点云很好地呈现出来，而激光雷达则是获取3D点云数据的关键来源。然而，但对于现有的3D目标检测任务而言，直接处理点云数据会因其数据量庞大而占用大量计算资源；另外，利用点云数据生成的投影视图进行检测，又会因其视角的限制而增加漏检和错检的风险。为此，本文提出一种基于激光雷达点云投影的多视图融合目标检测方法来解决上述问题。具体来说，本方法首先，将点云投影并编码为三通道2D鸟瞰图(Bird's-Eye View,BEV)和距离视图(Range View,RV)完成数据预处理；然后，分别将编码后的BEV和RV分别输入到增加了有效通道注意力(Efficient Channel Attention,ECA)模块的Complex-YOLOv4和YOLOv5s网络中进行目标检测，得到初步检测结果；最后，基于引入证据权的Dempster-Shafer证据理论将两个视图的目标检测结果进行多视图决策融合，得到最终检测结果。实验结果表明，相较于基于单个BEV或RV视图的方法，本文所提方法的平均精度均值(mean Average Precision,m AP)分别提升了4.07%和4.18%，显著提升了目标检测性能。

关键词：目标检测多视图融合激光雷达 D-S证据理论注意力机制

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基于梯度下降的可变分数时延滤波器优化方法

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通信学报 2025年第4期46卷 121-128页

作者：庄陵郝汉杰重庆邮电大学通信与信息工程学院重庆400065 移动通信教育部工程研究中心重庆400065 移动通信技术重庆市重点实验室重庆400065

针对可变分数时延滤波器低失真传输需求,提出一种基于梯度下降并结合均方根传播的优化方法。首先,通过矩阵形式推导目标函数与梯度表达式,利用历史与当前梯度信息的指数移动平均来调整步长。其次,更新权重时引入上次迭代残差的协方差矩... 详细信息

针对可变分数时延滤波器低失真传输需求,提出一种基于梯度下降并结合均方根传播的优化方法。首先,通过矩阵形式推导目标函数与梯度表达式,利用历史与当前梯度信息的指数移动平均来调整步长。其次,更新权重时引入上次迭代残差的协方差矩阵,以进一步提高滤波器频响特性与理想特性的逼近程度。最后,从复杂度和误差方面与现有方法进行对比。仿真结果表明,与传统加权最小二乘法相比,所提方法在保证局部幅度与群时延精度的同时,归一化均方根误差有效降低34.36%。

关键词：可变分数时延滤波器低失真梯度下降均方根传播归一化均方根误差

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气刀辅助微槽辊涂法制备钙钛矿太阳电池的研究

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南开大学学报(自然科学版) 2025年第1期58卷 34-40页

作者：凌浩王棚李跃龙南开大学光电子薄膜器件与技术研究所天津300350 天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室天津300350 薄膜光电子技术教育部工程研究中心天津300350

报告了一种在室内环境下用简单且低成本的气刀工艺辅助制备大面积宽带隙钙钛矿薄膜的微槽辊涂法.通过调节气流速度加速溶剂挥发使钙钛矿前驱液快速达到高过饱和度并充分快速结晶,最终制备的宽带隙(1.67 eV)钙钛矿太阳电池的最佳效率达到... 详细信息

报告了一种在室内环境下用简单且低成本的气刀工艺辅助制备大面积宽带隙钙钛矿薄膜的微槽辊涂法.通过调节气流速度加速溶剂挥发使钙钛矿前驱液快速达到高过饱和度并充分快速结晶,最终制备的宽带隙(1.67 eV)钙钛矿太阳电池的最佳效率达到了18.51%.此外,将微槽辊涂法制备的10 cm×10 cm钙钛矿薄膜平均切割成25块后制成钙钛矿太阳电池测得其平均效率达到17.46%,证明了气刀辅助微槽滚涂法制备大面积钙钛矿太阳电池的潜力.

关键词：微槽辊涂法气刀宽带隙钙钛矿太阳电池

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基于MBE技术进行Ga、Bi原子团簇共沉积制备的研究

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原子与分子物理学报 2025年 73-77页

作者：马玉麟郭祥丁召贵州大学大数据与信息工程学院贵州省微纳电子与软件技术重点实验室半导体功率器件可靠性教育部工程研究中心

由于GaAs1-xBix半导体具有较大的带隙收缩、良好的温度稳定性和强自旋轨道分裂等物理特性,因此研究其制备工艺对于解决远距探测和污染监测等应用需求,以及促进波长在2～20μm范围内的小型可靠半导体激光器具有重大意义.目前,对于GaAs1-x... 详细信息

由于GaAs1-xBix半导体具有较大的带隙收缩、良好的温度稳定性和强自旋轨道分裂等物理特性,因此研究其制备工艺对于解决远距探测和污染监测等应用需求,以及促进波长在2～20μm范围内的小型可靠半导体激光器具有重大意义.目前,对于GaAs1-xBix材料中Ga、Bi原子团簇共淀积制备的工艺仍存在争议.为此,基于分子束外延（Molecular beam epitaxy, MBE）技术对Ga和Bi共淀积的工艺进行了研究.通过原子力显微镜（Atomic force microscope, AFM）对样品进行表征后发现,先淀积Bi后淀积Ga会导致已形成的Bi原子团簇发生脱附现象,因此该方案不可行;同时淀积Ga和Bi时,Bi原子作为表面活性剂会增加Ga原子团簇的高度,该方案可行,但团簇的整体高度会增加;先淀积Ga后淀积Bi时,Ga原子团簇在二次退火过程中高度会略有降低,因此在Ga和Bi原子团簇的共淀积制备过程中,该方案最佳.研究结果为可控制备GaAs1-xBix量子点（Quantum dots, QDs）提供了重要的实验基础.

关键词： MBE Ga Bi 原子团簇共淀积

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光伏电站航拍图像中组串级语义分割的人工智能算法

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计算机应用与软件 2025年第4期42卷 201-207页

作者：孟子尧许盛之王丽朝龚友康张晓丹赵颖南开大学电子信息与光学工程学院光电子薄膜器件与技术研究所天津300350 薄膜光电子技术教育部工程研究中心天津300350 天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室天津300350

光伏电站组串分割任务需要对物体边缘进行精确识别,从而得到精确的位置信息。针对此需求该文设计scSE-Unet8模型,将挤压激励模块(scSE)引入U-Net模型并减少模型复杂度。在光伏电站航拍图像数据集上进行训练和验证。实验结果表明由于scS... 详细信息

光伏电站组串分割任务需要对物体边缘进行精确识别,从而得到精确的位置信息。针对此需求该文设计scSE-Unet8模型,将挤压激励模块(scSE)引入U-Net模型并减少模型复杂度。在光伏电站航拍图像数据集上进行训练和验证。实验结果表明由于scSE模块对空间和通道特征进行重新修正,强调了重要的边缘特征信息,因此相比于其他模型scSE-Unet8对组串边缘像素检测效果更好。模型经过交叉验证后测试集上的mIoU(平均交并比)为98.62%。最后使用边界信息提取算法处理scSE-Unet8的输出结果,消除原分割结果中少量的误检和漏检,获得像素级别的组串边界。

关键词：语义分割 U-Net 边界提取光伏发电智能运维

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基于分子束外延技术可控制备Bi原子团簇的研究

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原子与分子物理学报 2025年第2期42卷 79-84页

作者：马玉麟郭祥丁召贵州大学大数据与信息工程学院贵阳550025 贵州省微纳电子与软件技术重点实验室贵阳550025 半导体功率器件可靠性教育部工程研究中心贵阳550025

本研究基于分子束外延(MBE)技术在Si(111)衬底表面成功制备金属Bi原子团簇.首先,分别在100℃、125℃、150℃、175℃、200℃的生长温度下,制备了大小均一、密度不同的Bi原子团簇.实验结果表明,可以通过改变生长温度来精细控制Bi原子团簇... 详细信息

本研究基于分子束外延(MBE)技术在Si(111)衬底表面成功制备金属Bi原子团簇.首先,分别在100℃、125℃、150℃、175℃、200℃的生长温度下,制备了大小均一、密度不同的Bi原子团簇.实验结果表明,可以通过改变生长温度来精细控制Bi原子团簇的密度,当温度升高100℃,密度从1.05×10^(11)cm^(-2)降低至2.5×10^(7)cm^(-2),实现对团簇密度4个数量级的可控调节,并且发现Bi原子团簇密度对生长温度的依赖性符合经典成核理论.其次,分别在10 s、15 s、20 s的沉积时长下,制备了密度相同、尺寸各异的Bi原子团簇.实验结果表明,可以通过改变沉积时长来精细控制Bi原子团簇的尺寸:当沉积时长增加10 s,高度和直径分别从8.5 nm和65 nm增大到13.7 nm和100 nm,实现对团簇尺寸在10 nm高度、80 nm直径范围的可控调节,并且发现Bi原子团簇尺寸对沉积时长的依赖性符合晶体生长动力学.与分子束外延制备传统的Ⅲ族(Al,Ga,In)原子团簇做对比,这些结果可以为制备Ⅴ族原子团簇提供实验参考和指导,从而促进纳米级含Bi材料的制备.

关键词：分子束外延 Bi原子团簇生长温度沉积时长经典成核理论晶体生长动力学

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基于分子束外延技术可控制备Ga原子团簇的研究

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原子与分子物理学报 2025年第3期42卷 77-84页

本研究基于分子束外延(Molecular Beam Epitaxy,MBE)技术在Si(100)衬底表面成功制备金属Ga原子团簇.通过控制变量法,研究其尺寸形貌与工艺参数之间的关系.第一组对照实验分别在940℃、970℃、1000℃的Ga源温度下制备Ga原子团簇.实验结... 详细信息

本研究基于分子束外延(Molecular Beam Epitaxy,MBE)技术在Si(100)衬底表面成功制备金属Ga原子团簇.通过控制变量法,研究其尺寸形貌与工艺参数之间的关系.第一组对照实验分别在940℃、970℃、1000℃的Ga源温度下制备Ga原子团簇.实验结果表明,Ga源温度的升高导致Ga的蒸发量增加,进而沉积在Si衬底表面的Ga原子增多,Ga原子自组装成团簇,最终表现为Ga原子团簇的高度升高.第二组对照实验分别在3 s、6 s、10 s、40 s、50 s、60 s的沉积时长下制备Ga原子团簇.实验结果表明,沉积时长增加导致团簇的高度逐渐增加,主要由新吸附原子和竞争效应驱动.第三组对照实验分别在0 s、60 s、300 s的退火时长下制备Ga原子团簇.实验结果表明,退火时长的增加导致团簇的高度下降和团簇内的原子重新排列和分布有关.第四组对照实验分别在420℃、500℃的退火温度下制备Ga原子团簇.实验结果表明,升温至500℃退火会促进Ga原子团簇呈现有序排列,是表面原子的热运动和Ga原子团簇与Si(100)的晶格匹配度的共同作用的结果.

关键词： MBE Ga原子团簇 Ga源温度沉积时长退火时长

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硅掺杂对不同衬底的氮化铝薄膜的影响研究

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原子与分子物理学报 2025年第5期42卷 50-56页

作者：王绪杨发顺熊倩周柳含马奎贵州大学电子科学系贵阳550025 中国教育部半导体器件可靠性工程研究中心贵阳550025 贵州省微纳电子与软件技术重点实验室贵阳550025

选择硅作为N型杂质源,采用高温热扩散的方式进行实验研究.采用磁控溅射法在硅/蓝宝石衬底上外延的AlN薄膜上沉积纯硅.硅的溅射时间决定了硅层的厚度,从而决定了硅的掺杂剂量.在氮气气氛下高温(1150℃)热扩散4小时后,AlN薄膜表面的硅原... 详细信息

选择硅作为N型杂质源,采用高温热扩散的方式进行实验研究.采用磁控溅射法在硅/蓝宝石衬底上外延的AlN薄膜上沉积纯硅.硅的溅射时间决定了硅层的厚度,从而决定了硅的掺杂剂量.在氮气气氛下高温(1150℃)热扩散4小时后,AlN薄膜表面的硅原子扩散进入AlN晶格,取代铝原子的位置,形成掺杂硅的AlN薄膜.有效的硅掺杂导致AlN(002)衍射峰向一个较大的角度偏移,且偏移的角度随掺杂的浓度升高而增大.且硅衬底上的样品,使用能量色散光谱仪测试结果表明,衬底硅将作为固定的扩散源扩散到薄膜中,增加非故意掺杂浓度,因此可以在整个薄膜截面内测量到硅元素.蓝宝石的衬底的样品在热扩散后出现裂纹.

关键词： N型氮化铝硅掺杂磁控溅射热扩散衬底反扩散

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烧结NdFeB磁体表层Co/Cu合金化的制备及耐腐蚀性能

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材料热处理学报 2025年第1期46卷 132-142页

作者：沈子函冉仁豪张鹏杰汪冬梅崔接武斯佳佳徐光青吕珺合肥工业大学材料科学与工程学院安徽合肥230009 北矿磁材科技有限公司北京102600 合肥工业大学先进功能材料与器件安徽省重点实验室高性能铜合金材料及成形加工教育部工程研究中心有色金属与加工技术国家地方联合工程研究中心安徽合肥230009

针对NdFeB磁体本征耐蚀性差的问题,通过磁控溅射结合真空扩散处理,在NdFeB磁体表层制备了Co/Cu合金化层。采用X射线衍射仪和扫描电镜分析表层合金化磁体的物相、成分和形貌。采用动电位极化、交流阻抗谱和静态全浸腐蚀实验分析表层合金... 详细信息

针对NdFeB磁体本征耐蚀性差的问题,通过磁控溅射结合真空扩散处理,在NdFeB磁体表层制备了Co/Cu合金化层。采用X射线衍射仪和扫描电镜分析表层合金化磁体的物相、成分和形貌。采用动电位极化、交流阻抗谱和静态全浸腐蚀实验分析表层合金化样品的耐腐蚀性能。采用原子力显微镜测试样品的表面电势,分析了Co/Cu表层合金化NdFeB磁体的耐蚀机理。结果表明:Co/Cu合金化层降低了NdFeB磁体表层主相与晶间相之间的电势差,从而有效提升其本征耐腐蚀性能。在800℃扩散15 min的条件下制备的样品的耐腐蚀性能达到最优,自腐蚀电位为-0.846 V,自腐蚀电流密度为3.573×10^(-7)A·cm^(-2),相较于原始NdFeB磁体,自腐蚀电位正移0.223 V,自腐蚀电流密度降低了约3个数量级,在3.5 mass%NaCl溶液中全浸腐蚀实验时间可达到20 h,相较原始NdFeB磁体的1 h,表现出优越的耐腐蚀性能。

关键词： NdFeB Co/Cu合金化层磁控溅射晶界扩散耐腐蚀性能

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一款具有过温指示功能的高速功率运算放大器

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半导体技术 2025年第3期50卷 273-281,312页

作者：冯仕豪余德水马奎杨发顺贵州大学大数据与信息工程学院贵阳550025 贵州省微纳电子与软件技术重点实验室贵阳550025 半导体功率器件可靠性教育部工程研究中心贵阳550025

基于80 V双极型集成电路工艺,设计了一种具有过温指示功能的高速功率运算放大器。该设计采用源极驱动-共基放大的输入级电路结构,选用p沟道结型场效应晶体管(JFET)作为输入管,实现了低输入偏置电流和高转换速率。为防止输出功率晶体管... 详细信息

基于80 V双极型集成电路工艺,设计了一种具有过温指示功能的高速功率运算放大器。该设计采用源极驱动-共基放大的输入级电路结构,选用p沟道结型场效应晶体管(JFET)作为输入管,实现了低输入偏置电流和高转换速率。为防止输出功率晶体管因过热而损坏,设计了过温指示及热关断模块,在139~164℃的温度区间内具有迟滞型热关断与过温指示功能。芯片测试结果显示,该电路的输入偏置电流为16.804 pA,输入失调电流为2.49 pA,开环电压增益为128.2 dB,转换速率为19.57 V/μs,增益带宽积为3.5 MHz。

关键词：结型场效应晶体管(JFET)输入功率运放高转换速率低失调过温保护

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