检索结果-内蒙古大学图书馆

微电子学 2018年第6期48卷 753-758,764页

作者：刘国政单强魏子辉黄水龙中国科学院微电子研究所北京100029 中国科学院大学北京100049 新一代通信射频芯片技术北京市重点实验室北京100029

设计了一种基于IEEE 802.15.4a标准的脉冲发生器,包括脉冲产生、BPSK调制、低通滤波三个部分。提出多路脉冲合成方法,降低了对基带工作速度的要求。提出一种适用于该协议的BPSK调制电路,将极性调制到脉冲上,同时可实现脉冲的单端转差分... 详细信息

设计了一种基于IEEE 802.15.4a标准的脉冲发生器,包括脉冲产生、BPSK调制、低通滤波三个部分。提出多路脉冲合成方法,降低了对基带工作速度的要求。提出一种适用于该协议的BPSK调制电路,将极性调制到脉冲上,同时可实现脉冲的单端转差分功能和脉冲幅度调节。设计了基于反相器跨导的Gm-C滤波器,滤除脉冲的高频成分。最后研究了电路的低功耗方案,可动态开启或关闭电路,降低了电路功耗。基于0.18μm CMOS工艺进行电路设计。后仿真结果表明,产生的脉冲经过互相关后,主瓣宽度为1.35ns,消耗电流约为7.1mA,通过动态管理,电流最低可降至0.3mA左右。

关键词：脉冲发生器多路脉冲合成低功耗

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一种表面肌电信号的无线采集方式

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电子技术应用 2017年第1期43卷 118-120,128页

作者：李佳妮王云峰中国科学院大学中国科学院微电子研究所新一代通信射频芯片技术北京市重点实验室北京100029

表面肌电信号包含了大量表征肌肉生物特征的信息,它是一种微弱的生物电信号且极易受多种噪声干扰。可利用银电极的特性设计一种检测表面肌电信号的电极,电极贴于人体皮肤表面对检测到的信号进行放大、滤波,基于STM32对检测到的信号进行... 详细信息

表面肌电信号包含了大量表征肌肉生物特征的信息,它是一种微弱的生物电信号且极易受多种噪声干扰。可利用银电极的特性设计一种检测表面肌电信号的电极,电极贴于人体皮肤表面对检测到的信号进行放大、滤波,基于STM32对检测到的信号进行数模转换并通过蓝牙4.0发送至其他控制设备,实现表面肌电信号的无创采集和无线传输。实验表明,该采集方式可检测到明显的表面肌电信号变化,并成功实现蓝牙之间数据的发送和接收。

关键词：表面肌电信号银电极蓝牙4.0

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一种高效率2.4 GHz CMOSE类功率放大器

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微电子学 2017年第4期47卷 473-477页

作者：郑岩李志强刘昱黄水龙张以涛中国科学院微电子研究所北京100029 新一代通信射频芯片技术北京市重点实验室北京100029 中国科学院大学北京100049

基于IBM SOI 0.18μm CMOS工艺,设计了一种高功率附加效率(PAE)的E类功率放大器,由驱动级和输出级两级构成。驱动级采用E类结构,使输出级能更好地实现开与关。输出级采用电感谐振寄生电容,提高了效率。输出级的共栅管采用自偏置的方式,... 详细信息

基于IBM SOI 0.18μm CMOS工艺,设计了一种高功率附加效率(PAE)的E类功率放大器,由驱动级和输出级两级构成。驱动级采用E类结构,使输出级能更好地实现开与关。输出级采用电感谐振寄生电容,提高了效率。输出级的共栅管采用自偏置的方式,防止晶体管被击穿。两级之间使用了改善输出级电压和电流交叠的网络。仿真结果表明,在2.8 V电源电压下,工作频率为2.4 GHz时,功率放大器的输出功率为23.17 d Bm,PAE为57.7%。

关键词：功率附加效率 E类功率放大器输出级驱动级

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基于卷积神经网络重建十二导联心电图

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微电子学与计算机 2019年第9期36卷 12-15页

作者：朱晓铭陈林海张帅王云峰中国科学院微电子研究所北京100029 中国科学院大学北京100049 新一代通信射频芯片技术北京市重点实验室北京100029

由矢量心电图衍生标准十二导联心电图的传统方法是Dower转换,由于模型过于简单,在心电图细节方面重建效果不佳.为了提高衍生效果,提出一种基于卷积神经网络的衍生方法.首先采用卷积自编码器获取Frank正交导联心电图的高级语义,然后利用... 详细信息

由矢量心电图衍生标准十二导联心电图的传统方法是Dower转换,由于模型过于简单,在心电图细节方面重建效果不佳.为了提高衍生效果,提出一种基于卷积神经网络的衍生方法.首先采用卷积自编码器获取Frank正交导联心电图的高级语义,然后利用卷积神经网络实现从编码层重建标准十二导联心电图.最后采用R2和相关系数作为评判标准来分析结果,均明显优于传统算法,这充分证明了采用卷积神经网络衍生心电图这一方法的有效性和优异性.

关键词：心电图卷积神经网络自编码器矢量心电图

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基于SOI-0.18 μm高PAE CMOS Class-E功率放大器

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微电子学与计算机 2017年第2期34卷 63-67页

作者：郑岩李志强刘昱黄水龙张海英中国科学院微电子研究所北京100029 新一代通信射频芯片技术北京市重点实验室北京100029 中国科学院大学北京100049

基于IBM SOI-0.18μm CMOS工艺,实现了高PAE的Class-E功率放大器.此放大器由两级构成.在输出级采用了负电容技术,抵消寄生电容,提高效率.输出级的共栅管采用自偏置,防止晶体管被击穿.驱动级采用Class-E结构,使得输出级能更好地实现开与... 详细信息

基于IBM SOI-0.18μm CMOS工艺,实现了高PAE的Class-E功率放大器.此放大器由两级构成.在输出级采用了负电容技术,抵消寄生电容,提高效率.输出级的共栅管采用自偏置,防止晶体管被击穿.驱动级采用Class-E结构,使得输出级能更好地实现开与关.两级之间使用了改善输出级电压和电流交叠的网络.通过使用这些技术,在2.8V电源电压下,功率放大器工作在2.4GHz的时候,输出功率为23.44dBm,PAE为58.99%.

关键词： PAE Class-E功率放大器输出级驱动级

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射频低噪声放大器提高三阶交截点方法探讨

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电子与信息学报 2023年第1期45卷 134-149页

作者：赵巾翔汪峰于汉超王魁松张胜利梁晓新阎跃鹏中国科学院微电子研究所北京100029 中国科学院大学微电子学院北京100049 中国科学院重大科技任务局北京100864 中国科学院前沿科学与教育局北京100864 北京市新一代通信射频芯片技术重点实验室北京100020

随着现代通信技术的进步,特别是4G,5G等无线移动通信的高速发展,多正交振幅调制(QAM)等高频谱利用率的调制方式得到广泛应用,对无线通信系统提出了更高、更严格的线性要求。射频低噪声放大器(RF LNA)作为射频前端(RF FEM)的第1个有源器... 详细信息

随着现代通信技术的进步,特别是4G,5G等无线移动通信的高速发展,多正交振幅调制(QAM)等高频谱利用率的调制方式得到广泛应用,对无线通信系统提出了更高、更严格的线性要求。射频低噪声放大器(RF LNA)作为射频前端(RF FEM)的第1个有源器件,其非线性特征直接影响系统的信号质量和动态范围。以3阶交调为例,低噪声放大器需要足够的输入3阶交截点,以确保即使在强干扰信号下也能提供预期的性能。基于3阶非线性模型,该文简要分析了3阶交调的理论模型,梳理了提高3阶交截点的方法,归纳研究了近年来相关的研究成果与进展,并展望了未来的发展趋势。

关键词：无线通信射频低噪声放大器高线性 3阶交截点

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基于SiGe-0.13 μm X波段高效率功率放大器

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微电子学与计算机 2017年第8期34卷 82-86,92页

作者：崔凯李志强刘昱张海英中国科学院微电子研究所北京100029 西安电子科技大学陕西西安710071 新一代通信射频芯片技术北京市重点实验室北京100029

基于IBM SiGe 0.13μm BiCMOS工艺,设计了一个工作在超过BVceo的SiGe HBTs class E功放,在产生高的输出功率的同时又保持了比较高的功率附加效率.利用SiGe堆叠E类结构来增加整体的电压摆幅,每个管子都是工作在安全操作区域,同时电压是超... 详细信息

基于IBM SiGe 0.13μm BiCMOS工艺,设计了一个工作在超过BVceo的SiGe HBTs class E功放,在产生高的输出功率的同时又保持了比较高的功率附加效率.利用SiGe堆叠E类结构来增加整体的电压摆幅,每个管子都是工作在安全操作区域,同时电压是超过BVceo的,进一步加大了功放的输出功率.设计了级间匹配网络,既保持了输出级比较高的击穿电压,又兼顾了功放的性能.在10GHz工作频率下,功放的峰值PAE达到了47.4%,同时其输出功率达到21.43dBm.

关键词： BVCBO BVCEO Class-E SiGe 功率放大器

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一种7~13GHz低插损6位数字衰减器

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微电子学 2021年第3期51卷 324-329页

作者：翟英慧万晶林福江叶甜春阎跃鹏梁晓新中国科学技术大学微纳电子系统集成研究中心合肥230026 中国科学院微电子研究所北京100029 新一代通信射频芯片技术北京市重点实验室北京100029

设计了一种基于0.25μm GaAs p-HEMT工艺的低插损6位数字衰减器。采用Pi型衰减结构与T型衰减结构级联的方式,实现低插入损耗和高衰减精度。采用相移补偿电路减小附加相移,采用幅度补偿电路提高衰减精度。仿真结果表明,在7~13GHz范围内,... 详细信息

设计了一种基于0.25μm GaAs p-HEMT工艺的低插损6位数字衰减器。采用Pi型衰减结构与T型衰减结构级联的方式,实现低插入损耗和高衰减精度。采用相移补偿电路减小附加相移,采用幅度补偿电路提高衰减精度。仿真结果表明,在7~13GHz范围内,该数字衰减器的RMS幅度误差小于0.5dB,插入损耗小于5.6dB,10GHz时1dB压缩点的输入功率约为29dBm,附加相移为-7°~+6.5°,输入输出回波损耗小于-11dB。芯片尺寸为2.50mm×0.63mm。

关键词：数字衰减器低插入损耗级联结构补偿电路

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基于矢量信号发生器和频谱与信号分析仪的包络跟踪系统性能测试

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中国集成电路 2017年第5期26卷 66-69页

作者：李志强萧延彬刘昱张海英中国科学院微电子研究所新一代通信射频芯片技术北京市重点实验室北京100029

包络跟踪技术采用射频信号的包络作为功率放大器的电源,从而提高功率放大器的功率附加效率(PAE)。包络信号与射频信号的同步与对齐对于整体包络跟踪系统的效率提升具有重要影响,也给测试系统带来了较大的挑战。本文介绍了利用R&S公... 详细信息

包络跟踪技术采用射频信号的包络作为功率放大器的电源,从而提高功率放大器的功率附加效率(PAE)。包络信号与射频信号的同步与对齐对于整体包络跟踪系统的效率提升具有重要影响,也给测试系统带来了较大的挑战。本文介绍了利用R&S公司的矢量信号发生器SMW200A和频谱与信号分析仪FSW对基于自主设计的SOI CMOS工艺的电源调制器芯片和功率放大器芯片搭建的4G LTE终端包络跟踪系统进行测试,同时获取最佳的效率和线性度性能。

关键词：包络跟踪电源调制器功率放大器 SMW200A FSW

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一种2.2~4 GHz高增益低噪声放大器

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微电子学 2021年第4期51卷 471-476页

作者：雷华奎李志强王显泰段连成中国科学院大学北京100049 中国科学院微电子研究所北京100029 新一代通信射频芯片技术北京重点实验室北京100029 昂瑞微电子技术有限公司北京100084

采用0.25μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(pHEMT)工艺,设计并实现了一种应用于5G通信2.2~4 GHz频段的高增益共源共栅低噪声放大器(LNA)。通过将并联RC负反馈与共栅接地电容结合,不使用源极电感,实现了宽带高增益的LNA设计。测试结果表明... 详细信息

采用0.25μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(pHEMT)工艺,设计并实现了一种应用于5G通信2.2~4 GHz频段的高增益共源共栅低噪声放大器(LNA)。通过将并联RC负反馈与共栅接地电容结合,不使用源极电感,实现了宽带高增益的LNA设计。测试结果表明,2.2~4 GHz频段增益大于24 dB,输出3阶互调(OIP3)为28 dBm,噪声系数(NF)小于0.78 dB,功耗为190 mW,芯片面积为(810×710)μm^(2)。综合指标(FOM)为14.4 dB,与同类LNA相比具有一定的优势。

关键词：共源共栅低噪声放大器输出3阶互调综合指标

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