检索结果-内蒙古大学图书馆

高压物理学报 2025年第1期39卷 98-108页

作者：叶紫阳吴红波杨仕春黄菓树李天浩孙翼马成帅任梦雨安徽理工大学化工与爆破学院安徽淮南232001 安徽江南化工股份有限公司安徽合肥230031 无锡盛景微电子股份有限公司江苏无锡214000 安徽中金立华矿业工程有限公司安徽安庆246003

为探究电子雷管内的电子控制模块在延期状态下受冲击载荷时的失效机制,采用分离式霍普金森压杆(split Hopkinson pressure bar,SHPB)对电子雷管试件进行了高过载加载测试,得到了整体电子控制模块和分离出钽电容的其余电子控制模块受不... 详细信息

为探究电子雷管内的电子控制模块在延期状态下受冲击载荷时的失效机制,采用分离式霍普金森压杆(split Hopkinson pressure bar,SHPB)对电子雷管试件进行了高过载加载测试,得到了整体电子控制模块和分离出钽电容的其余电子控制模块受不同加载压力时的失效情况。结果显示:钽电容在1.495×10^(5)g过载时出现电压下降现象,且过载越大,短路失效情况越明显;在一定过载范围内,钽电容因其特有的自愈性,可在短时间内回到起始量级;当过载超过临界范围,达到3.848×10^(5)g时,钽电容损坏且无法逆转。模块内其余组件的抗过载能力强于电容,芯片在4.155×10^(5)g过载后检测异常,电阻元件失效发生在4.249×10^(5)g以上过载。

关键词：电子雷管电子控制模块分离式霍普金森压杆高过载失效

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改进Transformer模型的语音识别轻量化设计

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计算机工程与应用 2025年

作者：王艳红赵亮王官军西南科技大学信息工程学院浙江芯劢微电子股份有限公司成都分公司

语音识别作为AI的重要应用分支近年来取得了显著的成果，其中基于Transformer模型的语音识别发展尤为突出。然而，Transformer模型较大的参数量和较高的计算复杂度，难以在边缘设备上实现部署，因此设计轻量化的Transformer模型以用于... 详细信息

语音识别作为AI的重要应用分支近年来取得了显著的成果，其中基于Transformer模型的语音识别发展尤为突出。然而，Transformer模型较大的参数量和较高的计算复杂度，难以在边缘设备上实现部署，因此设计轻量化的Transformer模型以用于语音识别部署是亟需解决的问题。为此，本文设计了一种轻量化Transformer模型，通过将Query、Key、Value的线性操作替换为轻量级卷积操作，优化多头注意力机制以改善注意力分布，并在前馈神经网络中引入分块低秩分解以最大化模型压缩。实验结果表明，在AISHELL-1和LRS2数据集上，该模型在同等条件下模型大小减少68.03%，参数量减少67.06%，错词率相对降低23.19%。

关键词： Transformer 语音识别轻量化模型压缩深度学习

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Android平台HDMI-CEC HAL的设计与实现

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福建电脑 2025年第3期41卷 59-66页

作者：纪大峣瑞芯微电子股份有限公司研发部福州350003

HDMI-CECHAL是Android系统中HDMI-CEC控制服务的核心。如何确保HDMI-CECHAL的可移植性是HDMI-CECHAL设计与实现的关键问题。为此,本文提出一种HDMI-CECHAL的设计与实现。它通过将芯片厂家针对具体芯片的CEC实现剥离到独立的厂家实现库,... 详细信息

HDMI-CECHAL是Android系统中HDMI-CEC控制服务的核心。如何确保HDMI-CECHAL的可移植性是HDMI-CECHAL设计与实现的关键问题。为此,本文提出一种HDMI-CECHAL的设计与实现。它通过将芯片厂家针对具体芯片的CEC实现剥离到独立的厂家实现库,从而将具体芯片的CEC实现与CECHAL中的AIDL服务解耦合,提高了HDMI-CEC HAL的可移植性。实验结果表明,采用该方案能够降低Android平台HDMI-CEC HAL中AIDL服务的复杂度并提高了芯片厂家适配新版本Android平台的移植效率,该设计已经在多款芯片的量产Android固件平台中得到了广泛应用。

关键词：消费电子控制硬件抽象层厂家实现库 Android平台移植

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多核编解码器的驱动设计与实现

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福建电脑 2025年第5期41卷 81-84页

作者：丁炜瑞芯微电子股份有限公司核心算法中心福州350001

为了解决多核编解码器在芯片设计中的资源竞争与协同问题,本文提出一种分层式的驱动设计方案。该方案针对异构多核,采用共享任务队列与读写信号量机制来有效处理资源竞争。针对同构多核,则引入CCU层、负载均衡与共享IOMMU内存映射表,以... 详细信息

为了解决多核编解码器在芯片设计中的资源竞争与协同问题,本文提出一种分层式的驱动设计方案。该方案针对异构多核,采用共享任务队列与读写信号量机制来有效处理资源竞争。针对同构多核,则引入CCU层、负载均衡与共享IOMMU内存映射表,以实现高效协同工作。实践结果表明,该驱动灵活性强,仅需配置DTSI文件即可适配不同硬件平台,满足多核编解码器的设计需求。

关键词：多核编解码器分层式驱动同构多核异构多核

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多因素作用下增粘剂表面处理对晶圆接触角影响的研究

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今日自动化 2025年第1期 40-42页

作者：姜倍鸿王浩然孙鹏齐鹏关丽沈阳芯源微电子设备股份有限公司辽宁沈阳110168

文章研究了增粘过程中多种因素对晶圆接触角的影响。结果表明,HMDS(六甲基二硅氮烷)喷涂时间、增粘单元热板温度、增粘单元发泡氮气流速、增粘单元保护氮气流速、增粘单元盘盖排风、发泡罐内液体液位高度以及不同工艺处理后晶圆(不同厂... 详细信息

文章研究了增粘过程中多种因素对晶圆接触角的影响。结果表明,HMDS(六甲基二硅氮烷)喷涂时间、增粘单元热板温度、增粘单元发泡氮气流速、增粘单元保护氮气流速、增粘单元盘盖排风、发泡罐内液体液位高度以及不同工艺处理后晶圆(不同厂家、规格的晶圆)均会对晶圆表面接触角及均一性造成一定影响。依据试验结果,文章对增粘工艺中不同的工艺条件给出了合理的参数设置,为增粘过程的优化、膜厚均匀性及缺陷控制提供了一定的理论指导。

关键词： HMDS 接触角增粘工艺多因素诱导

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爆炸冲击对电子雷管发火电容释能特性的影响

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兵工学报 2025年第3期46卷 225-233页

作者：李洪伟王家乐梁昊周恩孙翼章万龙郭子如安徽理工大学化工与爆破学院安徽淮南232001 无锡盛景微电子股份有限公司江苏无锡214142 淮南舜泰化工有限责任公司安徽淮南232001

为了探究爆炸冲击作用对电子雷管发火能量的影响,利用水下爆炸的方法对液态铝电解电容进行7组不同强度的冲击实验,研究电容在冲击载荷下的介电击穿行为和漏电流变化规律。分析电子雷管电容的能量损耗途径,建立电子雷管的冲击-发火模型,... 详细信息

为了探究爆炸冲击作用对电子雷管发火能量的影响,利用水下爆炸的方法对液态铝电解电容进行7组不同强度的冲击实验,研究电容在冲击载荷下的介电击穿行为和漏电流变化规律。分析电子雷管电容的能量损耗途径,建立电子雷管的冲击-发火模型,得到冲击波超压与电子雷管发火能量之间的函数关系。研究结果表明:在8.5~40.6 MPa的冲击波超压作用下,实验电容样品会发生介电击穿,随着冲击波超压的增大,电容发生介电击穿时电压下降幅度呈指数级增长;当冲击波超压超过某一临界值时,电容发生介电击穿后无法完全自愈,漏电流增大到毫安级,均值为1.62 mA;随着冲击波强度的增大,电子雷管发火能量逐渐减小,并在漏电流增大时发火能量出现骤降。

关键词：电子雷管铝电解电容水下爆炸介电击穿漏电流

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A股半导体行业大市值上市公司市值管理研究——基于价值创造、经营与实现的战略视角

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中国经贸导刊 2025年第8期 145-147页

作者：丁芝永紫光国芯微电子股份有限公司

本文精确地关注到A股半导体行业中市值超过500亿元的领先企业，采用技术突破、资本协同和市场传导这一独特的三维战略视角，深入探讨市值管理的实践路径和核心逻辑。通过众多案例和研究分析，发现技术研发强度的提升与市值增长之间存在... 详细信息

本文精确地关注到A股半导体行业中市值超过500亿元的领先企业，采用技术突破、资本协同和市场传导这一独特的三维战略视角，深入探讨市值管理的实践路径和核心逻辑。通过众多案例和研究分析，发现技术研发强度的提升与市值增长之间存在紧密的联系，每增加1%，市盈率可增长0.3倍。动态信息披露机制的效果显著，能够使机构预测误差率降低53%，而研发分红联动机制有效地将机构持股周期延长了41%。此外，文章还提出了“研发—量产双轨考核体系”和“市值波动预警指数模型”等实用工具，从技术投入与市场表现平衡的角度，为半导体企业提供了一套较为合理的解决方案，以助力企业稳健发展。

关键词：上市公司市值管理价值创造半导体行业

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高精度低V_(drop)可调式恒流驱动设计

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固体电子学研究与进展 2021年第6期41卷 459-464页

作者：史良俊叶宗祥无锡力芯微电子股份有限公司江苏无锡214028

在恒流驱动的集成电路设计中,很难将高精度、低V_(drop)以及电流可调等方面结合在一起。本文改进了传统的恒流驱动结构,通过引入MOS管线性电阻区的方式实现了低V_(drop)的可调式恒流驱动设计,并且通过误差平均化的方式提高了输出电流的... 详细信息

在恒流驱动的集成电路设计中,很难将高精度、低V_(drop)以及电流可调等方面结合在一起。本文改进了传统的恒流驱动结构,通过引入MOS管线性电阻区的方式实现了低V_(drop)的可调式恒流驱动设计,并且通过误差平均化的方式提高了输出电流的精度。采用0.18μm CMOS工艺设计了恒流驱动芯片,芯片面积为1.04 mm×0.64 mm,实现了最大电流驱动能力为48 mA、10 mA恒流输出时V_(drop)<120 mV的低V_(drop)恒流驱动。

关键词：低输出电压恒流驱动线性电阻区误差平均化

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数字微镜器件衍射模型建立及其在激光直写机台中的应用

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激光与光电子学进展 2024年第15期61卷 308-314页

作者：方林蔡健叶加良蔡潍张琦合肥芯碁微电子装备股份有限公司安徽合肥230088

数字微镜器件(DMD)是激光直写光刻设备(LDI)的核心光学器件。基于LDI实际生产条件建立相关衍射模型,仿真和分析不同参数下DMD频谱面衍射光斑分布和像平面成像质量的对应关系,解释同一型号的DMD投影图形对比度差异原因。首次通过改变光... 详细信息

数字微镜器件(DMD)是激光直写光刻设备(LDI)的核心光学器件。基于LDI实际生产条件建立相关衍射模型,仿真和分析不同参数下DMD频谱面衍射光斑分布和像平面成像质量的对应关系,解释同一型号的DMD投影图形对比度差异原因。首次通过改变光线入射角来调控DMD的衍射光斑分布,从而提升激光直写设备图形解析效果,解决了工艺批次带来的DMD投影图形对比度不佳问题,降低了直写光刻设备的物料成本。

关键词：数字微镜器件直写光刻衍射模型图像对比度

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电流采样电阻短路保护电路、方法、芯片、系统及设备

电流采样电阻短路保护电路、方法、芯片、系统及设备

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作者：秦浩陈静静赵倡申李海松 214145 江苏省无锡市新吴区长江路16号芯朋大厦

一种电流采样电阻短路保护电路、方法、芯片、系统及设备。所述电流采样电阻短路保护电路包括：负载模式确定电路，适于在所述变压器异名端的电压向上过零后，基于所述变压器的工作状态，确定开关电源系统当前的负载模式，并输出负载标... 详细信息

标准号: CN115693590A

一种电流采样电阻短路保护电路、方法、芯片、系统及设备。所述电流采样电阻短路保护电路包括：负载模式确定电路，适于在所述变压器异名端的电压向上过零后，基于所述变压器的工作状态，确定开关电源系统当前的负载模式，并输出负载标识信号；逻辑保护电路，适于基于所述负载标识信号，输出是否触发电流采样电阻短路保护的标识信号；当所述负载标识信号表示开关电源系统当前的负载模式为重负载模式时，触发所述电流采样电阻短路保护；当所述负载标识信号表示开关电源系统当前的负载模式为轻负载模式时，不触发所述电流采样电阻短路保护。采用上述方案，可以在保证外围系统精简的条件下，精准的实现电流采样电阻短路保护。

关键词：电流采样电阻负载模式短路保护开关电源系统负载标识短路保护电路标识信号信号表示触发变压器逻辑保护电路系统及设备采样电阻触发电流输出负载外围系统轻负载电路芯片输出保证

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