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微波学报 2025年第1期41卷 16-20,97页

作者：王坤程知群贾民仕朱浙鸣钟保全李冰鑫杨正好杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室杭州310018 南京信息工程大学电子与信息工程学院南京210044

本文提出了一种具有高效集成滤波特性的宽带高效率Doherty功率放大器的设计。载波功率放大器采用扩展连续F类设计,耦合微带线滤波器结构用于后匹配设计。这种滤波结构的终端由级联在一起的微带线组成,以增强带外抑制效果。这种结构不仅... 详细信息

本文提出了一种具有高效集成滤波特性的宽带高效率Doherty功率放大器的设计。载波功率放大器采用扩展连续F类设计,耦合微带线滤波器结构用于后匹配设计。这种滤波结构的终端由级联在一起的微带线组成,以增强带外抑制效果。这种结构不仅提高了效率,而且拓宽了带宽。使用10 W氮化镓高电子迁移率晶体管器件设计和实现了Doherty功率放大器,验证了其宽带特性。在1.6 GHz~2.4 GHz频段内,实现了7.7 dB~9.9 dB的饱和增益和43.1 dBm~44.7 dBm的饱和功率,在功率回退6 dB和饱和功率时的漏极效率分别为50.1%~58.8%和59.9%~73.3%。

关键词：宽带扩展连续F类 Doherty功率放大器带通滤波后匹配网络

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基于扩展连续B/J类的带宽增强功率放大器设计

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微波学报 2025年第1期41卷 10-15,25页

作者：杨正好程知群贾民仕王坤钟保全朱浙鸣李冰鑫南京信息工程大学电子与信息工程学院南京210044 杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室杭州310018

介绍了一种基于扩展连续B/J类模式的宽带高效率功率放大器的设计。提出了一种带宽增强双路径阻抗匹配技术,将连续的B/J类模式进行扩展,以实现电阻性二次谐波阻抗为设计目标,并与带宽可扩展的双枝节调谐网络相结合,通过同时操纵4个频率点... 详细信息

介绍了一种基于扩展连续B/J类模式的宽带高效率功率放大器的设计。提出了一种带宽增强双路径阻抗匹配技术,将连续的B/J类模式进行扩展,以实现电阻性二次谐波阻抗为设计目标,并与带宽可扩展的双枝节调谐网络相结合,通过同时操纵4个频率点,在宽频段内实现最佳的二次谐波阻抗匹配,从而实现了功率放大器的带宽扩展和效率提高。为了验证所提出的设计理论,设计并制备了一个多倍频程的功率放大器,采用10 W氮化镓高电子迁移率晶体管器件,对设计思想进行了验证。所实现的功率放大器在0.45 GHz~2.55 GHz带宽范围内的相对带宽为140%。带内实现了39.3 dBm~42.4 dBm的输出功率、61.2%~76.7%的漏极效率和9.3 dB~12.4 dB的增益。

关键词：扩展连续B/J类宽带高效率功率放大器多倍频程氮化镓

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基于改进简化实频技术的超宽带功率放大器设计

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电子与信息学报 2021年第6期43卷 1617-1621页

作者：刘国华周国祥郭灿天赐程知群杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室杭州310018

该文提出了一种基于改进简化实频算法的跨多倍频超宽带功率放大器。结合负载牵引技术,分析晶体管负载端的最优阻抗值变化。通过改进简化实频法中的优化目标和误差函数,对频段内选取多个频点的最优阻抗进行分析,设计并优化出了功率放大... 详细信息

该文提出了一种基于改进简化实频算法的跨多倍频超宽带功率放大器。结合负载牵引技术,分析晶体管负载端的最优阻抗值变化。通过改进简化实频法中的优化目标和误差函数,对频段内选取多个频点的最优阻抗进行分析,设计并优化出了功率放大器的输出匹配电路,提高了功放的工作带宽。测试结果显示,在0.5~2.7 GHz频段内,饱和输出功率达到42.5 dBm,饱和漏极效率为64%~75%。

关键词：功率放大器简化实频法多倍频漏极效率

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随机栅长变化引起纳米MOSFET失配模型

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计算机辅助设计与图形学学报 2016年第7期28卷 1175-1179页

作者：吕伟锋王光义林弥孙玲玲杭州电子科技大学教育部射频电路与系统重点实验室杭州310018

随着CMOS技术进入纳米工艺,随机栅长变化成为影响集成电路性能和成品率最重要因素之一.文中分析并验证了纳米MOS器件随机栅长变化导致电流增益因子与阈值电压的之间的相关性及失配解析关系式,并以此为基础,结合偏差传递理论实现了22 nm... 详细信息

随着CMOS技术进入纳米工艺,随机栅长变化成为影响集成电路性能和成品率最重要因素之一.文中分析并验证了纳米MOS器件随机栅长变化导致电流增益因子与阈值电压的之间的相关性及失配解析关系式,并以此为基础,结合偏差传递理论实现了22 nm工艺MOSFET电流失配模型.仿真实验结果表明,该模型揭示了短沟道效应导致的器件阈值电压变化改变了载流子有效迁移率,进而影响电流增益因子及器件电流的规律,精确地估计了随机栅长变化导致的电气参数统计变化特性.

关键词：失配模型纳米MOS器件工艺参数波动短沟道效应

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金属栅功函数变异对纳米MOSFET模拟/射频性能影响的统计分析

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计算机辅助设计与图形学学报 2018年第11期30卷 2159-2163页

作者：薛佳帆戴良陈霖凯吕伟锋杭州电子科技大学教育部射频电路与系统重点实验室杭州310018

当集成电路技术进入到纳米尺度,金属栅极上分布的晶粒显著减少,功函数变异(WFV)对MOSFET器件和电路性能产生重要的影响.文中通过偏差反向传播(POV)方法将功函数变异解析为平带电压标准差,建立22nm NMOS器件模拟/射频性能的统计分析,这... 详细信息

当集成电路技术进入到纳米尺度,金属栅极上分布的晶粒显著减少,功函数变异(WFV)对MOSFET器件和电路性能产生重要的影响.文中通过偏差反向传播(POV)方法将功函数变异解析为平带电压标准差,建立22nm NMOS器件模拟/射频性能的统计分析,这些性能参数包括栅电容、跨导、截止频率和跨导效率.经HSPICE仿真分析结果表明:上述参数均受WFV影响产生随机波动现象,且参数变化相对标准偏差对栅电压非常敏感;从统计分布看,模拟/射频性能参数受WFV影响均偏离正态分布,但其概率统计特性却各有差异.

关键词：纳米NMOS器件功函数变异模拟/射频性能非正态统计分布

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一种忆感器模型及其振荡器的动力学特性研究

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物理学报 2015年第21期64卷 214-226页

作者：袁方王光义靳培培杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室现代电路与智能信息研究所杭州310018

忆感器是在忆阻器基础上定义的一种新型记忆电路元件.在实际忆感器尚未实现的情况下,为探索忆感器及其在非线性电路中的特性,提出了一种忆感器数学模型和电路模型.基于该模型设计了一个非线性振荡电路,采用理论分析、仿真分析和实验验... 详细信息

忆感器是在忆阻器基础上定义的一种新型记忆电路元件.在实际忆感器尚未实现的情况下,为探索忆感器及其在非线性电路中的特性,提出了一种忆感器数学模型和电路模型.基于该模型设计了一个非线性振荡电路,采用理论分析、仿真分析和实验验证的方法研究了忆感器模型的特性及其在电路中的动力学规律.分岔分析表明,在适当的参数下忆感器会使电路产生周期和混沌振荡.设计了实现忆感器模型及其振荡器的模拟电路,实验验证了忆感器模型和振荡器的特性,实验结果与理论分析完全一致.

关键词：忆感器振荡器混沌

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基于Rytov积分近似的有限口径定量反演成像(特邀)

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光子学报 2023年第10期52卷 139-149页

作者：徐魁文侯莎莎邓皓千苏江涛李文钧杭州电子科技大学电子信息学院射频电路与系统教育部重点实验室杭州310018

提出一种适用于有限口径下高相对介电常数和大尺寸目标物体的反演方法。首先分析了低损耗介质的复折射率,通过有效折射率的计算方法得到有效折射率与介电常数关系;利用高频近似估计对比度函数,通过近似估计散射体内部散射场及其梯度对传... 详细信息

提出一种适用于有限口径下高相对介电常数和大尺寸目标物体的反演方法。首先分析了低损耗介质的复折射率,通过有效折射率的计算方法得到有效折射率与介电常数关系;利用高频近似估计对比度函数,通过近似估计散射体内部散射场及其梯度对传统Rytov近似进行数学上的修正,产生无相位条件下Rytov积分近似模型,该模型可以实现定量重建高相对介电常数和大尺寸未知目标的对比度虚部。仿真结果显示有限口径下的Rytov积分近似可以对高介电常数和大尺寸目标的对比度虚部提供精确的形状重建。

关键词：计算电磁学逆散射问题电磁成像有限口径 Rytov积分近似高相对介电常数

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高线性度Al_xGa_(1-x)N/Al_yGa_(1-y)N/GaN高电子迁移率晶体管优化设计

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物理学报 2010年第2期59卷 1252-1257页

作者：程知群周肖鹏胡莎周伟坚张胜杭州电子科技大学电子信息学院射频电路与系统教育部重点实验室杭州310018

对新型复合沟道AlxGa1-xN/AlyGa1-yN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)进行了优化设计.从半导体能带理论与量子阱理论出发,自洽求解了器件层结构参数对器件导带能级以及二维电子气(2DEG)中载流子浓度和横向电场的影响.用TCAD软件仿真得到了... 详细信息

对新型复合沟道AlxGa1-xN/AlyGa1-yN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)进行了优化设计.从半导体能带理论与量子阱理论出发,自洽求解了器件层结构参数对器件导带能级以及二维电子气(2DEG)中载流子浓度和横向电场的影响.用TCAD软件仿真得到了器件的层结构参数对器件性能的影响.结合理论分析和仿真结果确定了器件的最佳外延层结构Al0.31Ga0.69N/Al0.04Ga0.96N/GaNHEMT.对栅长1μm,栅宽100μm的器件仿真表明,器件的最大跨导为300mS/mm,且在栅极电压-2—1V的宽范围内跨导变化很小,表明器件具有较好的线性度;器件的最大电流密度为1300mA/mm,特征频率为11.5GHz,最大振荡频率为32.5GHz.

关键词： AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管复合沟道自洽求解线性度

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碳基无源器件研究进展综述

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电子学报 2017年第12期45卷 3037-3045页

作者：王高峰赵文生孙玲玲杭州电子科技大学电子信息学院射频电路与系统教育部重点实验室浙江杭州310018

碳纳米材料具有诸多独特的物理特性,如极大的热导率和载流容量.根据国际半导体技术发展路线图给出的预测,碳纳米材料可望取代传统硅和铜材料成为下一代集成电路的基础材料.本文针对碳纳米材料在无源电子器件方面的发展现状和应用前景,... 详细信息

碳纳米材料具有诸多独特的物理特性,如极大的热导率和载流容量.根据国际半导体技术发展路线图给出的预测,碳纳米材料可望取代传统硅和铜材料成为下一代集成电路的基础材料.本文针对碳纳米材料在无源电子器件方面的发展现状和应用前景,详细讨论了碳纳米管、石墨烯纳米带等碳基纳米互连结构的电学特性.进而,简要评述了片上电感、电容器等碳基高频无源器件,并介绍了碳纳米材料在集成电路热管理方面的应用.

关键词：碳纳米管石墨烯铜-碳纳米材料互连线片上电感变容器散热器

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倾斜梳齿的MEMS电容式加速度传感器自我标定特性研究

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传感技术学报 2013年第10期26卷 1357-1363页

作者：董林玺楼进峰杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室杭州310018

研究MEMS电容式加速度传感器的自我标定方法,模拟机械振动台标定,提高标定效率和降低标定成本,并从理论上分析了DRIE工艺误差对传感器自我标定精度的影响。分析的传感器模型梳齿间距为4μm,厚度80μm,传感器自我标定以模拟幅值为1 g的... 详细信息

研究MEMS电容式加速度传感器的自我标定方法,模拟机械振动台标定,提高标定效率和降低标定成本,并从理论上分析了DRIE工艺误差对传感器自我标定精度的影响。分析的传感器模型梳齿间距为4μm,厚度80μm,传感器自我标定以模拟幅值为1 g的振动台标定为例,针对DRIE工艺加工的高深宽比梳齿电容存在正负侧壁倾斜角α的情况,分析了该倾斜角对梳齿式传感器自我标定的影响。分析结果表明：传感器工作在开环电路时,梳齿的倾斜对传感器自我标定影响明显,且随着倾斜角度的增大而增大。与梳齿完全平行时传感器的自我标定相比,倾斜角为＆#177;0.1＆#176;时,自我标定误差约为10%；倾斜角为0.5＆#176;时,自我标定误差约为27%；倾斜角为-0.5＆#176;时,极板发生吸合。表明传感器工作在开环电路时,梳齿的倾斜角对传感器的自我标定影响明显,而传感器工作在闭环电路时,梳齿的倾斜对自我标定的影响明显降低,当倾斜角小于＆#177;0.5＆#176;时,自我标定的误差小于0.6%,理论误差接近于激光干涉仪绝对标定法的误差（0.5%~1%）,证明了自我标定方法的可行性。还分析了倾斜角影响自我标定精度的原因以及提出了开环自我标定时减小倾斜角误差的方法,并阐述了具体的修正步骤。

关键词：电容式加速度传感器自我标定正负侧壁倾斜角

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