检索结果-内蒙古大学图书馆

半导体技术 2008年第S1期33卷 15-20页

作者：刘军孙玲玲吴颜明杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室杭州310037

提出一种新的、可同时适用于GaAs、GaN基PHEMT/HEMT/HFET器件大/小信号等效电路模型。沟道电流模型方程连续、可导,可精确拟合实际器件正、反向区、截止区以及亚阈值区特性,且漏导精确,主结构跨导至少可精确拟合至3阶。电荷方程在实现... 详细信息

提出一种新的、可同时适用于GaAs、GaN基PHEMT/HEMT/HFET器件大/小信号等效电路模型。沟道电流模型方程连续、可导,可精确拟合实际器件正、反向区、截止区以及亚阈值区特性,且漏导精确,主结构跨导至少可精确拟合至3阶。电荷方程在实现连续、高阶可导且导数精确的基础上,满足电荷守恒规律。模型综合考虑了器件弱雪崩击穿以及热效应特性,对器件跨导频率分布效应也作了灵活的考虑。模型以Verilog-A语言描述,并开发为DesignKit形式嵌入ADS2005A中。给出了对一GaAs基PHEMT器件建模结果,从大/小信号测量和仿真对比结果来看,模型已有较好精度,可供实用。

关键词： GaAs/GaN PHEMT/HEMT/HFET 大/小信号模型 Verilog-A ADS2005A

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一种新型的SOI MOSFET衬底模型提取方法

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电子器件 2016年第6期39卷 1302-1308页

作者：周文勇刘军汪洁杭州电子科技大学"射频电路与系统"教育部重点实验室杭州310027

衬底寄生网络建模和参数提取,对RF SOI MOSFET器件输出特性的模拟有着非常重要的影响。考虑BOX层引入的体区和Si衬底隔离,将源、体和衬底短接接地,测试栅、漏二端口S参数的传统测试结构,无法准确区分衬底网络影响。提出一种改进的测试结... 详细信息

衬底寄生网络建模和参数提取,对RF SOI MOSFET器件输出特性的模拟有着非常重要的影响。考虑BOX层引入的体区和Si衬底隔离,将源、体和衬底短接接地,测试栅、漏二端口S参数的传统测试结构,无法准确区分衬底网络影响。提出一种改进的测试结构,通过把SOI MOSFET的漏和源短接为信号输出端、栅为信号输入端,测试栅、漏/源短接二端口S参数的方法,把衬底寄生在二端口S参数中直接体现出来,并开发出一种解析提取衬底网络模型参数的方法,支持SOI MOSFET衬底网络模型的精确建立。采用该方法对一组不同栅指数目的SOI MOSFET进行建模,测量和模型仿真所得S参数在20 GHz频段范围内得到很好吻合。

关键词： RF SOI MOSFET 衬底模型测试结构参数提取

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具有超高耐压(>1200V)的薄埋氧层BPL SOI LDMOS(英文)

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电子器件 2012年第2期35卷 119-124页

作者：张海鹏许生根杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室杭州310018

为了在薄埋氧层SOI衬底上实现超高耐压LDMOS铺平道路,提出了一种具有P埋层(BPL)的薄埋氧层SOI LDMOS结构,耐压1200V以上。该BPL SOI LDMOS在传统SOI LDMOS的埋氧层和N型漂移区之间引入了一个P型埋层。当器件正向截止时,N型漂移区与P埋... 详细信息

为了在薄埋氧层SOI衬底上实现超高耐压LDMOS铺平道路,提出了一种具有P埋层(BPL)的薄埋氧层SOI LDMOS结构,耐压1200V以上。该BPL SOI LDMOS在传统SOI LDMOS的埋氧层和N型漂移区之间引入了一个P型埋层。当器件正向截止时,N型漂移区与P埋层之间的反偏PN结将承担器件的绝大部分纵向压降。采用2维数值仿真工具Silvaco TCAD对BPL SOI LDMOS进行虚拟制造和器件仿真,结果表明该结构采用适当的参数既能实现1 280 V的耐压,将BOL减薄到几百纳米以下又可以改善其热特性。

关键词：功率LDMOS P埋层SOI 工艺与器件仿真超高耐压热性能

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一种基于复合左右手传输线结构的模拟移相器

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微电子学 2020年第6期50卷 823-827,834页

作者：邱泽琦苏国东刘军杭州电子科技大学“射频电路与系统”教育部重点实验室杭州310018

基于0.25μm GaAs pHEMT工艺设计了一种工作在Ku波段的可调谐模拟移相器。该移相器采用集总参数型复合左右手传输线(CRLH-TL)拓扑结构实现相移网络,并利用可变电容结构进行相位调谐。为了解决端口失配问题,插入了共源共栅缓冲器来增加... 详细信息

基于0.25μm GaAs pHEMT工艺设计了一种工作在Ku波段的可调谐模拟移相器。该移相器采用集总参数型复合左右手传输线(CRLH-TL)拓扑结构实现相移网络,并利用可变电容结构进行相位调谐。为了解决端口失配问题,插入了共源共栅缓冲器来增加隔离度,并中和无源器件带来的损耗。电路采用统一的偏置电压来控制所有变容结构,简化了电路结构。仿真结果表明,该移相器在工作频率内的相移可调谐范围大于90°,在电源电压为1.5 V下,直流功耗为63.3 mW,平均增益大于8.5 dB,幅度波动小于5 dB。

关键词：移相器 pHEMT工艺复合左右手传输线共源共栅

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不同检测电容结构对MEMS电容传感器性能的影响分析

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传感技术学报 2010年第4期23卷 501-507页

作者：董林玺李寿洛陈金丹颜海霞许立王光义孙玲玲杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室杭州310018 东芝水电设备有限公司杭州311504

改进传感器检测电容几何结构能有效改善传感器的性能。本文对梳齿电极结构、栅形电极结构及梳栅电极结构检测电容的性能特点进行分析比较,重点分析了振子质量、空气阻尼、系统阻尼系数比以及灵敏度等特性,得出在相同的外轮廓尺寸、支撑... 详细信息

改进传感器检测电容几何结构能有效改善传感器的性能。本文对梳齿电极结构、栅形电极结构及梳栅电极结构检测电容的性能特点进行分析比较,重点分析了振子质量、空气阻尼、系统阻尼系数比以及灵敏度等特性,得出在相同的外轮廓尺寸、支撑梁、振子厚度以及振子到衬底的距离的条件下,栅形结构传感器的振子质量最大,空气阻尼最小,适合制作高分辨率的传感器;在大气下,梳齿结构灵敏度增加的同时空气阻尼力也会增加,且振子质量较小,适合制作高灵敏度,低分辨率传感器结构;梳栅结构的特点居于两者之间,适合制作需要兼顾分辨率和灵敏度的传感器。通过实例计算,证明了该结果。

关键词： MEMS 微电容式惯性传感器检测电容结构

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基于0.15μm GaAs pHEMT工艺的X波段自混频三倍频器

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微电子学 2020年第5期50卷 637-642页

作者：何勇畅毛小庆陈志巍喻青曹军高海军杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室杭州300018

基于0.15μm GaAs pHEMT工艺,设计了一种自混频三倍频器,实现了将X波段信号倍频为Ka波段信号。仿真结果表明,该三倍频器的相对带宽为16%,频率覆盖范围为8.9~10.5 GHz,涵盖了大部分的X波段。当输入信号为0 dBm时,在9.5 GHz频点处的输出... 详细信息

基于0.15μm GaAs pHEMT工艺,设计了一种自混频三倍频器,实现了将X波段信号倍频为Ka波段信号。仿真结果表明,该三倍频器的相对带宽为16%,频率覆盖范围为8.9~10.5 GHz,涵盖了大部分的X波段。当输入信号为0 dBm时,在9.5 GHz频点处的输出功率为-12 dBm。在带宽范围内,谐波抑制比大于15 dBc。采用渐变形电感,提高了电感的Q值,实现了去耦电容接地的无源Marchand巴伦。仿真结果表明,无源巴伦的相对带宽达到120%,幅值平衡度得到了有效提高。该三倍频器具有0.4 V、0.8 V、1 V三个直流偏置,芯片尺寸为1.9 mm×0.67 mm。

关键词：三倍频器自混频无源Marchand巴伦倍频器

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恒包络光OFDM基带系统设计与实现

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电子测量技术 2021年第21期44卷 145-151页

作者：吴正辉郑兴苏江涛孙玲玲杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室杭州310018

为有效解决光正交频分复用(OOFDM)系统中高峰值平均功率比(PAPR)的问题,提出一种结合恒包络OFDM调制技术的恒包络光OFDM基带系统设计方案。恒包络光OFDM系统是在普通光OFDM系统的基础上在基带中将OFDM信号调制到恒包络载波信号的相位上... 详细信息

为有效解决光正交频分复用(OOFDM)系统中高峰值平均功率比(PAPR)的问题,提出一种结合恒包络OFDM调制技术的恒包络光OFDM基带系统设计方案。恒包络光OFDM系统是在普通光OFDM系统的基础上在基带中将OFDM信号调制到恒包络载波信号的相位上,经过数模转换后调制到光载波上,得到的恒包络光OFDM信号的PAPR为0 dB,解决了光纤传输中的非线性器件工作效率问题。在MATLAB中搭建恒包络光OFDM基带系统数学模型进行仿真,在现场可编程门阵列(FPGA)上实现,并在搭建的系统中寻找最优的调制系数。实验结果表明:恒包络光OFDM基带系统在实际中可以将PAPR降低至接近0 dB,系统在调制系数≤1时系统得到最高的频谱利用率,在调制系数为1.3时系统得到最低的误比特率。

关键词：恒包络调制峰值平均功率比光OFDM FPGA

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一种2μm GaAs HBT低相噪宽带VCO

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微电子学 2020年第1期50卷 90-94,100页

作者：蔡运城曹军赵君鹏吴凯翔高海军杭州电子科技大学“射频电路与系统”教育部重点实验室杭州310018

提出了一种2μm GaAs HBT工艺的低相噪宽带压控振荡器(VCO)。与CMOS工艺相比,采用HBT工艺设计的VCO噪声性能更好,具有较大的电流放大倍数和跨导。该VCO采用差分Colpitts结构,并对无源器件进行结构优化,在4.1 GHz处,片上螺旋电感的品质... 详细信息

提出了一种2μm GaAs HBT工艺的低相噪宽带压控振荡器(VCO)。与CMOS工艺相比,采用HBT工艺设计的VCO噪声性能更好,具有较大的电流放大倍数和跨导。该VCO采用差分Colpitts结构,并对无源器件进行结构优化,在4.1 GHz处,片上螺旋电感的品质因数超过21,实现了较低的相位噪声。通过二极管组成变容阵列,实现了较宽的调谐范围。流片测试结果表明,VCO调谐范围为3.370~4.147 GHz,最大输出功率为-16.13 dBm,直流功耗为43 mW。在振荡频率为4.1 GHz时,相位噪声为-125.2 dBc/Hz@1 MHz。该VCO在相对较宽的调谐范围内实现了较低的相位噪声。

关键词：压控振荡器电容阵列 Colpitts结构相位噪声宽带

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基于HBT工艺的高功率低相位噪声QVCO

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微电子学 2020年第1期50卷 95-100页

作者：曹军蔡运城赵君鹏吴凯翔高海军杭州电子科技大学“射频电路与系统”教育部重点实验室杭州310018

基于Sanan 2μm GaAs HBT工艺,提出了一种差分Colpitts结构的高功率低相位噪声正交压控振荡器(QVCO)。该QVCO采用四只环形连接的二极管,通过二次谐波反相作用,迫使压控振荡器基波正交。该QVCO比传统串并联晶体管耦合电路具有更高的输出... 详细信息

基于Sanan 2μm GaAs HBT工艺,提出了一种差分Colpitts结构的高功率低相位噪声正交压控振荡器(QVCO)。该QVCO采用四只环形连接的二极管,通过二次谐波反相作用,迫使压控振荡器基波正交。该QVCO比传统串并联晶体管耦合电路具有更高的输出功率和更低的相位噪声。仿真结果表明,该QVCO的调谐范围为12.98~14.05 GHz。振荡频率为13.51 GHz时,输出信号功率为12.557 dBm。相位噪声为-117.795 dBc/Hz@1 MHz。

关键词：异质结双极晶体管正交压控振荡器高功率低相位噪声

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适合集成电路实现的非均匀同步过采样谐波测量算法

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电力系统自动化 2013年第7期37卷 102-107页

作者：赵岩孙玲玲谭年熊浙江大学电气工程学院浙江省杭州市310027 教育部射频电路与系统重点实验室杭州电子科技大学浙江省杭州市310018

从集成电路设计的角度,提出了一种基于非均匀同步过采样技术的谐波测量算法。通过合理设计过采样和降采样2个阶段中非均匀采样时钟频率的概率分布函数,使得频域的非均匀采样噪声可以被忽略。降采样得到的数据可以视为均匀同步采样的结... 详细信息

从集成电路设计的角度,提出了一种基于非均匀同步过采样技术的谐波测量算法。通过合理设计过采样和降采样2个阶段中非均匀采样时钟频率的概率分布函数,使得频域的非均匀采样噪声可以被忽略。降采样得到的数据可以视为均匀同步采样的结果直接采用快速傅里叶变换进行分析,降低了对分析过程运算能力的要求。利用采样时钟的非均匀特性,大幅简化了延时锁定环路时钟产生电路的复杂度,降低了电路实现代价。仿真结果显示,算法大幅提高了谐波测量的精度。

关键词：非均匀同步过采样延时锁定环路概率分布函数谐波测量硬件实现

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