检索结果-内蒙古大学图书馆

微电子学 2020年第4期50卷 503-508页

作者：张进贺李文钧杭州电子科技大学教育部射频电路与系统重点实验室杭州310018

设计了一种易于集成、适用于驱动高侧N型开关管的栅极驱动器,该电路具有成本低、速度快、驱动能力强等特点,可以满足大尺寸高侧N型开关管的驱动需求。内置的、可持续工作的电荷泵能够驱动高侧N型开关管,使之恒定导通,解决了传统自举电... 详细信息

设计了一种易于集成、适用于驱动高侧N型开关管的栅极驱动器,该电路具有成本低、速度快、驱动能力强等特点,可以满足大尺寸高侧N型开关管的驱动需求。内置的、可持续工作的电荷泵能够驱动高侧N型开关管,使之恒定导通,解决了传统自举电路中低侧开关管不工作时高侧开关管输出电压不稳定的问题。该方案无需使用外置的自举电容,降低了栅极驱动器的使用成本和封装成本。采用0.18μm BCD工艺进行设计,并成功流片。测试结果表明,该栅极驱动器可以驱动面积达0.5 mm^2的高侧N型开关管,电路可靠性高。

关键词：自举电路栅极驱动器电荷泵

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一种毫米波宽锁定范围的注入锁定倍频器设计

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微波学报 2020年第5期36卷 78-82页

作者：毛小庆何勇畅陈志巍喻青高海军杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室杭州310018

为提高毫米波段倍频器在低功耗下的工作带宽,采用IHP130 nm SiGe BiCMOS工艺,设计了一种采用双端注入(DEI)技术的毫米波宽锁定范围注入锁定倍频器。该注入锁定倍频器主要由谐波发生器和带有尾电流源的振荡器构成,由巴伦产生差分信号双... 详细信息

为提高毫米波段倍频器在低功耗下的工作带宽,采用IHP130 nm SiGe BiCMOS工艺,设计了一种采用双端注入(DEI)技术的毫米波宽锁定范围注入锁定倍频器。该注入锁定倍频器主要由谐波发生器和带有尾电流源的振荡器构成,由巴伦产生差分信号双端注入振荡器的形式提高三次谐波注入强度,使其在E、W等波段输出宽锁定范围和良好相位噪声性能的三倍频信号。仿真结果表明,注入锁定倍频器在工作电压为1.2 V,输入信号功率为0 dBm时,其锁定范围在57~105 GHz内。在相同工作电压和输入信号功率下,输入频率为32 GHz时,一次、二次和四次谐波抑制大于20 dBc,功耗为9.1 mW。

关键词：宽锁定范围注入锁定倍频器振荡器三次谐波相位噪声

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用于毫米波InP HBT建模的HICUM,VBIC和AHBT模型

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微纳电子技术 2016年第11期53卷 709-713页

作者：蒋盛烽刘军杭州电子科技大学"射频电路与系统"教育部重点实验室杭州310018

选取了HICUM,VBIC和AgilentHBT(AHBT)三种模型,介绍并分析了不同模型应用在磷化铟(InP)异质结双极型晶体管(HBT)器件模型抽取中的特点。HBT模型中的载流子渡越时间方程直接决定模型用于HBT器件截止频率表征精度,进而影响Pin-Pout和IMD3... 详细信息

选取了HICUM,VBIC和AgilentHBT(AHBT)三种模型,介绍并分析了不同模型应用在磷化铟(InP)异质结双极型晶体管(HBT)器件模型抽取中的特点。HBT模型中的载流子渡越时间方程直接决定模型用于HBT器件截止频率表征精度,进而影响Pin-Pout和IMD3等非线性仿真精度。在HICUM,VBIC和AHBT模型忽略各自衬底寄生网络,保持三类模型本征网络一致的情况下,着重分析了三种模型用于InP HBT器件载流子渡越时间和特征频率曲线建模精度。其中HBT器件发射极尺寸为8μm×3μm,频段为DC到67 GHz。最终评估结果表明,AHBT比另外两种模型更适用于InP HBT器件的模型抽取,同时也发现AHBT在电流更高区域的精度缺陷。

关键词： InP异质结双极型晶体管(HBT) HICUM VBIC AgilentHBT(AHBT) 毫米波

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基于Gabor滤波器的全参考图像质量评价方法

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浙江大学学报（工学版） 2013年第3期47卷 422-430页

作者：王翔丁勇浙江大学超大规模集成电路设计研究所浙江杭州310027 杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室浙江杭州310018

针对现有图像质量评价方法无法像人眼一样准确地评价各种图像失真,提出一种基于Gabor滤波器的全参考型图像质量评价方法.Gabor滤波器采用复数波形去调制高斯函数,得到一个在时间和频域上联合分辨率达到理论极限.通过优化Gabor滤波器的参... 详细信息

针对现有图像质量评价方法无法像人眼一样准确地评价各种图像失真,提出一种基于Gabor滤波器的全参考型图像质量评价方法.Gabor滤波器采用复数波形去调制高斯函数,得到一个在时间和频域上联合分辨率达到理论极限.通过优化Gabor滤波器的参数,可以有效地模拟人眼视觉特性.使用Gabor滤波器对图像的特征信息进行提取和对比之后,可以得到较好的图像质量评价效果.实验结果表明:该方法在对各种典型的失真图像的质量评价中,客观评分的各项指标均与人的主观感受较为一致.

关键词： Gabor滤波器全参考图像质量评价人眼视觉系统

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一种SiGe D波段高增益低噪声放大器

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微电子学 2020年第1期50卷 36-40页

作者：赵君鹏吴凯翔曹军蔡运城高海军杭州电子科技大学“射频电路与系统”教育部重点实验室杭州310018

基于IHP 0.13μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一种工作于D波段的高增益低噪声放大器。该放大器由两级Cascode结构和一级共发射极结构组成。利用发射极退化电感来同时实现噪声抑制和功率匹配,利用微带线进行输入输出匹配和级间匹配,采用增益... 详细信息

基于IHP 0.13μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一种工作于D波段的高增益低噪声放大器。该放大器由两级Cascode结构和一级共发射极结构组成。利用发射极退化电感来同时实现噪声抑制和功率匹配,利用微带线进行输入输出匹配和级间匹配,采用增益提升技术来提高前两级Cascode结构的增益。仿真结果表明,该放大器在中心频率140 GHz处实现了32 dB的增益,在125~148 GHz范围内均达到30 dB以上的增益,在相同频率范围内实现了小于6 dB的噪声系数,直流功耗仅为26 mW,芯片尺寸为610μm×340μm。该放大器具有低噪声和高增益的特点。

关键词： SiGe 低噪声放大器毫米波增益提升

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2．45GHz高线性功率放大器设计

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微电子学 2009年第6期39卷 747-750,755页

作者：赵明付孙玲玲文进才康劲杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室杭州310018

基于SMIC 0．18μm RF-CMOS工艺，实现了一种工作于2．45GHz的功率放大器，给出了电路仿真结果和电路版图。电路采用两级放大的结构，分别采用自偏置技术和电阻并联负反馈网络来缓解CMOS器件低去穿电压的限制，同时保证了稳定性的要求... 详细信息

基于SMIC 0．18μm RF-CMOS工艺，实现了一种工作于2．45GHz的功率放大器，给出了电路仿真结果和电路版图。电路采用两级放大的结构，分别采用自偏置技术和电阻并联负反馈网络来缓解CMOS器件低去穿电压的限制，同时保证了稳定性的要求。为了提高线性度，采用一种集成的二极管线性化电路对有源器件的输入电容变化提供一种补偿机制，漏端的LC谐振网络和优化的栅偏置用来消除由跨导产生的非线性谐波。在3V电源电压下，放大器功率增益为23dB，输出1dB压缩点约为25dBm，对应的功率附加效率PAE可达35％。

关键词： CMOS 功率放大器射频集成电路

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基于发夹式微带带通滤波器的小型化功率放大器的设计

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微波学报 2023年第1期39卷 95-98页

作者：黄谢镔程知群陈瑾张志维刘国华杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室杭州310018

基于发夹式微带带通滤波器提出了一种3.5 GHz频率的小型化功率放大器。采用将级联耦合微带线进行“U”型化处理来缩小输出匹配电路尺寸,可直接匹配至50Ω负载,无需设计基波匹配网络。该滤波器是基于三阶Chebyshev低通原型滤波器参量,奇... 详细信息

基于发夹式微带带通滤波器提出了一种3.5 GHz频率的小型化功率放大器。采用将级联耦合微带线进行“U”型化处理来缩小输出匹配电路尺寸,可直接匹配至50Ω负载,无需设计基波匹配网络。该滤波器是基于三阶Chebyshev低通原型滤波器参量,奇偶模阻抗分析用于计算滤波器参数,且具有高选择性带内响应和强带外抑制能力。实测结果显示,在3.2~3.7 GHz频段内,饱和输出功率高达41.2 dBm,饱和漏极效率在50.2%~61%,增益大于10 dB。

关键词：小型化 Chebyshev 发夹式微带带通滤波器

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可供便携式设备充电的移动电源设计

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电子器件 2014年第4期37卷 795-798页

作者：刘伟达董林玺杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室杭州310018

针对便携式设备续航时间短的问题,设计了一款能够在户外供其他移动数码产品充电的移动电源。此款移动电源基于锂电池充电芯片ASC8513和升压芯片ME2109,能做到自身的充电电流和输出电流均达到2 A,比普通产品的1 A电流高出1倍,并具有很好... 详细信息

针对便携式设备续航时间短的问题,设计了一款能够在户外供其他移动数码产品充电的移动电源。此款移动电源基于锂电池充电芯片ASC8513和升压芯片ME2109,能做到自身的充电电流和输出电流均达到2 A,比普通产品的1 A电流高出1倍,并具有很好的安全性和人性化设计。着重分析了移动电源系统中各模块的电路设计,参数设置和工作效率等问题,为设计一款性能优良的移动电源提供了解决方案。

关键词：移动电源锂电池充电 DC-DC升压过流保护

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基于CMOS工艺的改进型电流注入混频器

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微电子学 2009年第6期39卷 811-814页

作者：程知群李进傅开红周云芳徐胜军张胜杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室杭州310018

设计了一种改进型电流注入混频器。通过在吉尔伯特混频器电路的本振开关管源极引入电感形成谐振电路,消除了开关管源极寄生电容的影响,降低了混频器电路的闪烁噪声,增大了混频器电路的增益。混频器电路的设计采用SMIC 0.35μm CMOS工艺... 详细信息

设计了一种改进型电流注入混频器。通过在吉尔伯特混频器电路的本振开关管源极引入电感形成谐振电路,消除了开关管源极寄生电容的影响,降低了混频器电路的闪烁噪声,增大了混频器电路的增益。混频器电路的设计采用SMIC 0.35μm CMOS工艺库,本振功率为-3 dBm。仿真结果表明,与改进前的混频器电路相比,当本振功率为-3 dBm时,改进型电流注入混频器电路的增益提高了1.76 dB,IIP3提高2.1 dBm,噪声系数降低了0.5 dB。

关键词：吉尔伯特混频器电流注入闪烁噪声增益

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深冷温度毫米波低噪声放大器研究现状

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微电子学 2018年第5期48卷 672-676页

作者：刘军周明珠李志芸杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室杭州310018

分析了国内外深冷温度毫米波低噪声放大器(LNA)的发展现状。考虑到基础元器件结构在深冷温度下的行为,以及行为表征是电路设计的基础,对深冷温度基础元器件的模型和建模方法进行了讨论。对毫米波LNA的设计方法进行了总结。最后,对深冷... 详细信息

分析了国内外深冷温度毫米波低噪声放大器(LNA)的发展现状。考虑到基础元器件结构在深冷温度下的行为,以及行为表征是电路设计的基础,对深冷温度基础元器件的模型和建模方法进行了讨论。对毫米波LNA的设计方法进行了总结。最后,对深冷温度毫米波LNA设计技术的研究方向提出了建议。

关键词：深冷温度毫米波低噪声放大器

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