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文献类型

  • 2 篇 期刊文献

馆藏范围

  • 2 篇 电子文献
  • 0 种 纸本馆藏

日期分布

学科分类号

  • 2 篇 工学
    • 1 篇 光学工程
    • 1 篇 电子科学与技术(可...

主题

  • 1 篇 复合基片
  • 1 篇 hfss
  • 1 篇 薄膜环行器
  • 1 篇 基片减薄结构
  • 1 篇 薄膜
  • 1 篇 退火条件
  • 1 篇 yig
  • 1 篇 薄膜厚度
  • 1 篇 带宽

机构

  • 2 篇 杭州电子科技大学
  • 1 篇 杭州电子科技大学...
  • 1 篇 电子科技大学

作者

  • 2 篇 郑辉
  • 2 篇 郑梁
  • 2 篇 秦会斌
  • 1 篇 晏学飞
  • 1 篇 cui jiadong
  • 1 篇 汪林
  • 1 篇 qin huibin
  • 1 篇 崔佳冬
  • 1 篇 zheng liang
  • 1 篇 zheng hui
  • 1 篇 邓江峡
  • 1 篇 wang lin

语言

  • 2 篇 中文
检索条件"机构=杭州电子科技大学新型电子器件与应用研究所电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室"
2 条 记 录,以下是1-10 订阅
排序:
退火条件对射频磁控溅射法制备YIG薄膜性能的影响
收藏 引用
电子世界 2014年 第5期 107-108页
作者: 晏学飞 邓江峡 郑辉 郑梁 秦会斌 杭州电子科技大学新型电子器件与应用研究所 杭州电子科技大学新型电子器件与应用研究所电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
本文采用射频磁控溅射法在硅基片上沉积YIG薄膜,主要研究了退火条件对YIG薄膜性能的影响。研究结果表明在750oC退火4小时制备的薄膜性能最好,其饱和磁化强度可达到185.9emu/cm3,远大于YIG块材的Ms(139emu/cm3)。此外,其磁性与Fe2+相关。
来源: 评论
基片减薄结构的薄膜环行器的仿真设计
收藏 引用
电子元件与材料 2016年 第1期35卷 44-46,67页
作者: 汪林 郑梁 郑辉 崔佳冬 秦会斌 杭州电子科技大学新型电子器件与应用研究所 浙江杭州310018 电子科技大学薄膜与集成器件国家重点实验室 四川成都610054
利用三维电磁仿真软件HFSS研究了基片减薄结构对微带薄膜环行器性能的影响。提出了一种减薄非磁性介质基片的结构:首先将基片进行减薄处理,再与具有孔洞的硅基片结合,组合成复合基片。研究了复合基片结构对薄膜环行器S参数的影响。研究... 详细信息
来源: 评论