检索结果-内蒙古大学图书馆

电子学报 2022年第10期50卷 2530-2541页

作者：赵文生方宇浩王大伟刘军杭州电子科技大学电子信息学院浙江省大规模集成电路设计重点实验室浙江杭州310018

微波谐振式传感器具有低成本、高灵敏度、实时、无损检测等特点,在生物、医疗、环境等领域都有着广阔的应用前景.一般来说,微波谐振式传感器通过传输线激励谐振单元,通过谐振频率偏移等特征变化获得待测量.本文对微波谐振式传感器现有... 详细信息

微波谐振式传感器具有低成本、高灵敏度、实时、无损检测等特点,在生物、医疗、环境等领域都有着广阔的应用前景.一般来说,微波谐振式传感器通过传输线激励谐振单元,通过谐振频率偏移等特征变化获得待测量.本文对微波谐振式传感器现有研究成果进行了详细的综述.首先简要介绍了微波谐振式传感器分类、基本工作原理及关键性能指标,其次以位移传感器、介质传感器及液体传感器这3种类型总结当前微波谐振式传感器国内外研究进展,之后着重探讨了群智能算法、机器学习等优化算法在微波谐振式传感器优化设计方面的应用,最后展望了微波谐振式传感器的发展前景以及存在的挑战.

关键词：微波谐振式传感器传感机理材料表征群智能算法超材料谐振器

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基于波形测试的异质结双极型晶体管器件负载失配影响分析

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强激光与粒子束 2024年第1期36卷 30-36页

作者：张津豪苏江涛谢炜誉邵世缘徐魁文李文钧杭州电子科技大学浙江省大规模集成电路设计重点实验室杭州310018

大功率电磁脉冲冲击下,射频集成微系统内部容易产生负载失配问题,严重者可能导致系统失效甚至损毁。采用实时的波形测试方法,对射频器件的负载失配进而导致器件损毁的机理进行了分析。该方法以矢量网络分析仪作为主要测试仪器,结合回波... 详细信息

大功率电磁脉冲冲击下,射频集成微系统内部容易产生负载失配问题,严重者可能导致系统失效甚至损毁。采用实时的波形测试方法,对射频器件的负载失配进而导致器件损毁的机理进行了分析。该方法以矢量网络分析仪作为主要测试仪器,结合回波信号注入和相位参考模块获得待测器件实时电压电流波形,进而分析其负载失配影响机制。采用有源负载牵引技术模拟大功率耦合电磁脉冲注入,进行了电压驻波比39∶1的失配测试,大幅提升了测试范围。创新性地采用了谐波信号源注入模拟杂散谐波电磁干扰,评估器件的谐波阻抗失配特性。通过实际异质结双极型晶体管(HBT)器件测试的结果表明,基波的失配会造成负载端电压过大,增加器件的易损性;基波和谐波频率的干扰分量组合使得输出电压瞬态峰值升高,造成器件的损毁。在进行电磁安全防护时,应同时考虑基波和谐波频率的防护。

关键词：负载失配波形测试异质结双极型晶体管电磁安全防护

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漏/阻双模高性能D波段无源混频器

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浙江大学学报（工学版） 2016年第9期50卷 1815-1822页

作者：张胜洲孙玲玲文进才刘军浙江大学电气工程学院超大规模集成电路设计研究所浙江杭州310027 杭州电子科技大学教育部射频电路与系统重点实验室浙江杭州310018 杭州电子科技大学浙江省大规模集成电路重点实验室浙江杭州310018

介绍一种基于70nm砷化镓变晶性高电子迁移率晶体管(mHEMT)工艺的漏/阻双模、高性能D波段无源混频器.该单片集成基波混频器采用共面波导(CPW)实现.为了保证电路高频设计的准确性,对共面波导进行电磁场仿真建模.采用谐波平衡法对漏极、阻... 详细信息

介绍一种基于70nm砷化镓变晶性高电子迁移率晶体管(mHEMT)工艺的漏/阻双模、高性能D波段无源混频器.该单片集成基波混频器采用共面波导(CPW)实现.为了保证电路高频设计的准确性,对共面波导进行电磁场仿真建模.采用谐波平衡法对漏极、阻性2种状态的端口大信号阻抗进行仿真分析,设计出射频(RF)和本振(LO)信号共用的匹配网络.测试结果表明:在漏极状态下,当射频频率从110GHz变化到150GHz、中频频率固定为1GHz、本振信号功率设置为3dBm时,转换增益位于-4.4^-11.6dB;在阻性状态下,当射频频率从110GHz变化到150GHz、中频频率固定为1GHz、本振信号功率设置为0dBm时,转换增益位于-8.0^-18.6dB.包含焊盘在内,芯片面积为0.86mm×0.43mm.

关键词：漏/阻双模 D波段共面波导(CPW) 变晶性高电子迁移率晶体管(mHEMT) 微波单片集成电路(MMIC) 优良指数(FOMs)

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基于Gabor滤波器的全参考图像质量评价方法

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浙江大学学报（工学版） 2013年第3期47卷 422-430页

作者：王翔丁勇浙江大学超大规模集成电路设计研究所浙江杭州310027 杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室浙江杭州310018

针对现有图像质量评价方法无法像人眼一样准确地评价各种图像失真,提出一种基于Gabor滤波器的全参考型图像质量评价方法.Gabor滤波器采用复数波形去调制高斯函数,得到一个在时间和频域上联合分辨率达到理论极限.通过优化Gabor滤波器的参... 详细信息

针对现有图像质量评价方法无法像人眼一样准确地评价各种图像失真,提出一种基于Gabor滤波器的全参考型图像质量评价方法.Gabor滤波器采用复数波形去调制高斯函数,得到一个在时间和频域上联合分辨率达到理论极限.通过优化Gabor滤波器的参数,可以有效地模拟人眼视觉特性.使用Gabor滤波器对图像的特征信息进行提取和对比之后,可以得到较好的图像质量评价效果.实验结果表明:该方法在对各种典型的失真图像的质量评价中,客观评分的各项指标均与人的主观感受较为一致.

关键词： Gabor滤波器全参考图像质量评价人眼视觉系统

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一个简单的65nm MOSFET失配模型

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计算机辅助设计与图形学学报 2011年第7期23卷 1280-1284页

作者：吕伟锋孙玲玲杭州电子科技大学教育部射频电路与系统重点实验室杭州310018 浙江大学超大规模集成电路设计研究所杭州310027

MOSFET的精确匹配对模拟和混合集成电路的性能至关重要,随着器件特征尺寸减小至纳米,将MOSFET失配模型进行改良以适应新工艺显得十分迫切.文中应用改进的ALPHA律平均漏电流模型拟合65 nm器件的HSPICE仿真数据,并提取了相关工艺参数,该... 详细信息

MOSFET的精确匹配对模拟和混合集成电路的性能至关重要,随着器件特征尺寸减小至纳米,将MOSFET失配模型进行改良以适应新工艺显得十分迫切.文中应用改进的ALPHA律平均漏电流模型拟合65 nm器件的HSPICE仿真数据,并提取了相关工艺参数,该模型与BSIM4模型数据相比平均相对误差为1.70%,相对标准差8.26%;再利用该模型并结合偏差传递公式实现了一个简单的65 nm工艺MOS器件电流失配标准差计算模型.实验结果显示,该模型与HSPICE蒙特-卡罗仿真数据相比平均相对误差为7.69%,相对标准差为10.49%.这表明文中模型简单、有效,又能保证精度.

关键词：失配 MOS模型工艺波动纳米器件

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基于复数权神经元的布尔函数稳健学习算法

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电子学报 2011年第11期39卷 2708-2712页

作者：吕伟锋林弥孙玲玲杭州电子科技大学教育部射频电路与系统重点实验室浙江杭州310018 浙江大学超大规模集成电路设计研究所浙江杭州310027

复数权神经元由于引入了多阈值逻辑而具有更强的性能.文中根据其数学模型,结合二进感知器神经元稳健设计概念,提出了该神经元的稳健性数学定义,并根据定义,得到了简单逻辑和异或逻辑的单个神经元稳健实现方案.然后根据该方案提出了任意... 详细信息

复数权神经元由于引入了多阈值逻辑而具有更强的性能.文中根据其数学模型,结合二进感知器神经元稳健设计概念,提出了该神经元的稳健性数学定义,并根据定义,得到了简单逻辑和异或逻辑的单个神经元稳健实现方案.然后根据该方案提出了任意复杂布尔函数稳健实现算法,同时证明了该算法的正确性.最后通过具体实例演示该算法实现布尔函数的过程和方法,结果表明了基于该神经元的稳健学习算法实现布尔函数优点和灵活性,说明了其强大的逻辑处理能力.

关键词：复数权值多值神经元布尔函数稳健设计

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基于欠定盲分离的并行识别防碰撞算法

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浙江大学学报（工学版） 2014年第5期48卷 865-870页

作者：岳克强孙玲玲游彬楼立恒浙江大学电气工程学院超大规模集成电路设计研究所浙江杭州310027 杭州电子科技大学教育部射频电路与系统重点实验室浙江杭州310018

针对射频识别(RFID)中标签同时通信导致的碰撞问题,提出一种并行识别标签的欠定盲分离的防碰撞算法.该算法通过分析系统通信中阅读器天线数目小于标签数目的情况,建立同步欠定盲分离的标签碰撞模型,得出RFID多标签数据碰撞符合欠定盲分... 详细信息

针对射频识别(RFID)中标签同时通信导致的碰撞问题,提出一种并行识别标签的欠定盲分离的防碰撞算法.该算法通过分析系统通信中阅读器天线数目小于标签数目的情况,建立同步欠定盲分离的标签碰撞模型,得出RFID多标签数据碰撞符合欠定盲分离算法要求的结论,使用非负矩阵分解来实现不具有稀疏性的碰撞标签信号的欠定盲分离.在分离性能和吞吐量2个方面对所提出的算法进行性能仿真,实验结果表明所提出的基于欠定盲分离的防碰撞算法能够有效地分离标签信号,同时在相同的3根接收天线情况下,该算法的最大吞吐量比当前的盲分离标签防碰撞算法提高了100%.

关键词：射频识别(RFID) 并行防碰撞欠定盲分离非负矩阵分解

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模拟电路MOSFET晶体管失配研究:模型和参数

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固体电子学研究与进展 2011年第2期31卷 124-129页

作者：吕伟锋孙玲玲浙江大学超大规模集成电路设计研究所杭州310027 杭州电子科技大学教育部射频电路与系统重点实验室杭州310018

MOSFET晶体管的精确匹配对模拟和混合集成电路最终性能至关重要,因此漏电流失配方差或标准差大小的计算伴随着MOSFET器件特征尺寸的减小一直不断地发展和演进。针对模拟集成电路设计中MOSFET漏电流失配,围绕模型和参数选取这一核心问题... 详细信息

MOSFET晶体管的精确匹配对模拟和混合集成电路最终性能至关重要,因此漏电流失配方差或标准差大小的计算伴随着MOSFET器件特征尺寸的减小一直不断地发展和演进。针对模拟集成电路设计中MOSFET漏电流失配,围绕模型和参数选取这一核心问题进行回顾、分析和总结,并说明其应用。同时研究其最新的进展情况及面临的问题,最后提出了解决失配问题的部分思路。

关键词：失配模型工艺波动

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一种用于大信号测试的矢量校准快速修正方法

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半导体技术 2019年第8期44卷 652-658页

作者：苏江涛郭庭铭刘军许吉郑兴杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室杭州310018 浙江省大规模集成电路设计重点实验室杭州310018

大信号测试系统是评估GaN功率器件的非线性特性的重要手段,而精准的矢量校准是获得稳定可信测试数据的第一步。为了解决毫米波频段矢量校准易随时间增加而失效的难题,对不同的校准方法进行了讨论,并以直通-反射-匹配负载(TRM)校准方法... 详细信息

大信号测试系统是评估GaN功率器件的非线性特性的重要手段,而精准的矢量校准是获得稳定可信测试数据的第一步。为了解决毫米波频段矢量校准易随时间增加而失效的难题,对不同的校准方法进行了讨论,并以直通-反射-匹配负载(TRM)校准方法为基础,对校准过程中的误差系数随时间变化的趋势进行了数据分析,提出了一种可以实时快速修正校准模型中误差系数的方法。采用这种方法,失效的校准状态可以在1 min内得到快速修正而恢复初始校准状态;矢量校准的时间稳定度与传统方法相比,可延长10倍以上。该方法有力地保证了大信号测试中数据的一致性,可广泛应用于器件建模和电路设计等领域。

关键词： GaN器件负载牵引矢量校准直通-反射-匹配负载(TRM)校准技术矢量网络分析仪(VNA)

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126.6～128.1 GHz基波压控振荡器设计

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浙江大学学报（工学版） 2018年第9期52卷 1788-1795页

作者：苏国东孙玲玲王翔王尊峰张胜洲雷宇超浙江大学电气工程学院超大规模集成电路设计研究所浙江杭州310027 杭州电子科技大学教育部射频电路与系统重点实验室浙江杭州310018 中国电子科技集团公司第41研究所山东青岛255666

采用65 nm CMOS工艺,设计一款基波压控振荡器(VCO).采用负阻单元的寄生电容与用户自定义电感形成VCO的电感-电容(LC)谐振网络.采用交叉耦合对管作为VCO的负阻单元,维持VCO的稳定输出信号.通过控制尾电流管的偏置电压大小调节交叉耦合管... 详细信息

采用65 nm CMOS工艺,设计一款基波压控振荡器(VCO).采用负阻单元的寄生电容与用户自定义电感形成VCO的电感-电容(LC)谐振网络.采用交叉耦合对管作为VCO的负阻单元,维持VCO的稳定输出信号.通过控制尾电流管的偏置电压大小调节交叉耦合管的寄生电容,从而实现输出频率的调谐. VCO输出缓冲器(buffer)采用共源-共栅(Cascode)结构以减小负载电阻对电路振荡的影响.所设计的片上变压器实现了差分信号转单端信号功能,并与传输线、地-信号-地(GSG)焊盘实现了VCO输出匹配.测试结果表明,电路的输出频率范围为126.6~128.1 GHz,调谐范围为1.5 GHz.当电路工作频率为127.2 GHz时,输出功率为–26.8 dBm,偏频为1 MHz处相位噪声的仿真值为–86.3 dBc/Hz.该电路的芯片面积为405μm×440μm.

关键词：压控振荡器(VCO) LC谐振槽交叉耦合对管共源共栅结构片上变压器传输线 GSG焊盘

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