检索结果-内蒙古大学图书馆

强激光与粒子束 2024年第1期36卷 30-36页

作者：张津豪苏江涛谢炜誉邵世缘徐魁文李文钧杭州电子科技大学浙江省大规模集成电路设计重点实验室杭州310018

大功率电磁脉冲冲击下,射频集成微系统内部容易产生负载失配问题,严重者可能导致系统失效甚至损毁。采用实时的波形测试方法,对射频器件的负载失配进而导致器件损毁的机理进行了分析。该方法以矢量网络分析仪作为主要测试仪器,结合回波... 详细信息

大功率电磁脉冲冲击下,射频集成微系统内部容易产生负载失配问题,严重者可能导致系统失效甚至损毁。采用实时的波形测试方法,对射频器件的负载失配进而导致器件损毁的机理进行了分析。该方法以矢量网络分析仪作为主要测试仪器,结合回波信号注入和相位参考模块获得待测器件实时电压电流波形,进而分析其负载失配影响机制。采用有源负载牵引技术模拟大功率耦合电磁脉冲注入,进行了电压驻波比39∶1的失配测试,大幅提升了测试范围。创新性地采用了谐波信号源注入模拟杂散谐波电磁干扰,评估器件的谐波阻抗失配特性。通过实际异质结双极型晶体管(HBT)器件测试的结果表明,基波的失配会造成负载端电压过大,增加器件的易损性;基波和谐波频率的干扰分量组合使得输出电压瞬态峰值升高,造成器件的损毁。在进行电磁安全防护时,应同时考虑基波和谐波频率的防护。

关键词：负载失配波形测试异质结双极型晶体管电磁安全防护

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微波谐振式传感器研究进展

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电子学报 2022年第10期50卷 2530-2541页

作者：赵文生方宇浩王大伟刘军杭州电子科技大学电子信息学院浙江省大规模集成电路设计重点实验室浙江杭州310018

微波谐振式传感器具有低成本、高灵敏度、实时、无损检测等特点,在生物、医疗、环境等领域都有着广阔的应用前景.一般来说,微波谐振式传感器通过传输线激励谐振单元,通过谐振频率偏移等特征变化获得待测量.本文对微波谐振式传感器现有... 详细信息

微波谐振式传感器具有低成本、高灵敏度、实时、无损检测等特点,在生物、医疗、环境等领域都有着广阔的应用前景.一般来说,微波谐振式传感器通过传输线激励谐振单元,通过谐振频率偏移等特征变化获得待测量.本文对微波谐振式传感器现有研究成果进行了详细的综述.首先简要介绍了微波谐振式传感器分类、基本工作原理及关键性能指标,其次以位移传感器、介质传感器及液体传感器这3种类型总结当前微波谐振式传感器国内外研究进展,之后着重探讨了群智能算法、机器学习等优化算法在微波谐振式传感器优化设计方面的应用,最后展望了微波谐振式传感器的发展前景以及存在的挑战.

关键词：微波谐振式传感器传感机理材料表征群智能算法超材料谐振器

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一种基于GaAs和FO-WLP工艺的异质异构集成PDK

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杭州电子科技大学学报（自然科学版） 2024年第1期44卷 31-38页

作者：董泽瑞陈展飞刘军杭州电子科技大学浙江省大规模集成电路设计重点实验室浙江杭州310018

异质异构集成技术是实现电子系统向微型化、高性能、低功耗及低成本方向发展的最重要方法,也是决定微电子系统领域未来发展的一项核心技术。为进一步推进异质异构集成技术研究,通过研究异质异构集成PDK的开发难点和开发方法,提出一种基... 详细信息

异质异构集成技术是实现电子系统向微型化、高性能、低功耗及低成本方向发展的最重要方法,也是决定微电子系统领域未来发展的一项核心技术。为进一步推进异质异构集成技术研究,通过研究异质异构集成PDK的开发难点和开发方法,提出一种基于GaAs和FO-WLP工艺的异质异构集成PDK。该PDK对异质异构集成技术文件、器件模型、Pcell和物理验证文件进行创新并提供了支持,实现了在ADS平台上设计GaAs芯片封装电路,并通过ADS平台物理验证工具验证版图和原理图的准确性。

关键词：异质异构集成 PDK FO-WLP GaAs

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国产EDA平台下化合物半导体工艺PDK的开发研究

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杭州电子科技大学学报（自然科学版） 2023年第5期43卷 21-29页

作者：贾古凯游彬陈展飞杭州电子科技大学浙江省大规模集成电路设计重点实验室浙江杭州310018

介绍了集成电路设计中工艺设计组件(PDK)技术的研究情况,国产EDA平台下PDK发展存在的难题;详细介绍了PDK的组成部分及其应用。分析了国产EDA平台下PDK的设计难点,并提出解决方案。提出了一种基于国产EDA平台下新的整套PDK开发方式。指... 详细信息

介绍了集成电路设计中工艺设计组件(PDK)技术的研究情况,国产EDA平台下PDK发展存在的难题;详细介绍了PDK的组成部分及其应用。分析了国产EDA平台下PDK的设计难点,并提出解决方案。提出了一种基于国产EDA平台下新的整套PDK开发方式。指出采用该方法可快速地完成参数化单元(Pcell)和设计规则检查文件(DRC)的开发。进而在国产EDA平台下完成了一种化合物半导体工艺(0.15μm GaAs pHEMT工艺)PDK的开发和模型库的集成,通过单级LNA的原理图和版图设计对PDK进行验证,结果表明能确保在国产EDA平台下使用化合物半导体工艺PDK成功实现射频集成电路(RFIC)的设计。

关键词： PDK 国产EDA 工艺设计组件射频集成电路化合物半导体工艺

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基于GaAs工艺的Ku波段功率放大器设计

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杭州电子科技大学学报（自然科学版） 2023年第6期43卷 13-19页

作者：李圣麒韩磊苏国东王翔刘军杭州电子科技大学浙江省大规模集成电路设计重点实验室浙江杭州310018

本文研制一款12 GHz~18 GHz的Ku波段三级功放(功率放大器,Power Amplifier)。该电路采用三级级联拓扑结构,利用双L型结构有耗匹配网络设计每一级晶体管的输入/级间匹配,通过输出匹配将端口阻抗与最佳负载阻抗进行匹配,实现12 GHz~18 GH... 详细信息

本文研制一款12 GHz~18 GHz的Ku波段三级功放(功率放大器,Power Amplifier)。该电路采用三级级联拓扑结构,利用双L型结构有耗匹配网络设计每一级晶体管的输入/级间匹配,通过输出匹配将端口阻抗与最佳负载阻抗进行匹配,实现12 GHz~18 GHz范围内的宽带阻抗匹配。进一步地,将直流供电端采用的扼流电感参与阻抗匹配,进而避免使用面积较大的扼流电感,在增加匹配网络自由度改善功放带宽的同时有效地减小了功放的面积。该功放基于0.5μm GaAs pHEMT工艺设计、加工与制造,包含了焊盘的芯片面积为1.91 mm×0.76 mm。测量结果表明,在12 GHz~18 GHz的工作频率范围内,该功放的小信号增益为15.7 dB、输入输出驻波比均小于1.71、带内平坦度为±1.2 dB、输出饱和功率为23 dBm、功率附加效率为大于20%。

关键词： GaAs 功率放大器 Ku波段驻波比带内平坦度饱和功率功率附加效率

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基于BSIM-BULK的体接触SOI器件的射频建模

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杭州电子科技大学学报（自然科学版） 2024年第5期44卷 13-19页

作者：庄宇周文勇陈展飞刘军杭州电子科技大学浙江省大规模集成电路设计重点实验室杭州310018 北京华大九天科技股份有限公司北京100102

提出了一种适用于体接触SOI器件的建模方法。在BSIM-BULK模型的基础上,模型新增一个SOI器件所需的体端口,对体-衬底的结构进行表征,通过外围寄生电路模型来表征SOI的射频寄生效应。提出了明确的参数提取方法。通过调节外围寄生元件参数... 详细信息

提出了一种适用于体接触SOI器件的建模方法。在BSIM-BULK模型的基础上,模型新增一个SOI器件所需的体端口,对体-衬底的结构进行表征,通过外围寄生电路模型来表征SOI的射频寄生效应。提出了明确的参数提取方法。通过调节外围寄生元件参数以及内部模型参数,拟合测试数据曲线得到SOI模型。模型可以准确表征SOI器件工作区域的特性,使BSIM-BULK可以适用于SOI器件。射频模型参数提取之后,模型仿真数据和测试数据吻合良好。

关键词： BSIM-BULK 体接触射频模型外围寄生

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一种基于神经网络的高频电阻建模方法

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杭州电子科技大学学报（自然科学版） 2022年第3期42卷 8-12,35页

作者：李志强任坤刘军杭州电子科技大学浙江省大规模集成电路设计重点实验室浙江杭州310018

提出一种基于神经网络的高频电阻全局模型。利用先验信息进行数据扩充,并建立特征工程,解决了小样本学习中过拟合问题,提高了神经网络的泛化能力。与传统建模方法相比,提出的基于神经网络的高频电阻建模方法降低了模型表征的误差,提升... 详细信息

提出一种基于神经网络的高频电阻全局模型。利用先验信息进行数据扩充,并建立特征工程,解决了小样本学习中过拟合问题,提高了神经网络的泛化能力。与传统建模方法相比,提出的基于神经网络的高频电阻建模方法降低了模型表征的误差,提升了建模效率。

关键词：神经网络器件建模小样本学习

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基于GaAs pHEMT工艺的C波段低噪声放大器设计

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杭州电子科技大学学报（自然科学版） 2023年第6期43卷 7-12,19页

作者：张先乐孙登宝彭轶瑶齐晓琳周聪刘军苏国东中国电子科技集团公司信息科学研究院北京100086 杭州电子科技大学浙江省大规模集成电路设计重点实验室浙江杭州310018

本文提出一款两级C波段(4-8 GHz)低噪声放大器(LNA)。电路中采用了电感退化拓扑与并联RLC负反馈结构,对电路的输入阻抗进行补偿,从而降低输入匹配的难度,提高了功率转换效率;并通过设计最佳噪声源阻抗点,在实现最佳噪声匹配同时,实现了... 详细信息

本文提出一款两级C波段(4-8 GHz)低噪声放大器(LNA)。电路中采用了电感退化拓扑与并联RLC负反馈结构,对电路的输入阻抗进行补偿,从而降低输入匹配的难度,提高了功率转换效率;并通过设计最佳噪声源阻抗点,在实现最佳噪声匹配同时,实现了较好的输入输出回波性能与增益平坦度。文中提出的LNA采用基于GaAs pHEMT工艺研制,测试结果表明,在工作频段内,电路的小信号增益为14.7±0.5 dB,最大噪声系数1.9 dB。

关键词： GaAs pHEMT C波段低噪声放大器噪声匹配

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高性能毫米波CSRR-SIW带通滤波器研制

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杭州电子科技大学学报（自然科学版） 2022年第2期42卷 8-13页

作者：周聪董洪成王禁城苏国东王翔刘军杭州电子科技大学浙江省大规模集成电路设计重点实验室浙江杭州310018 毫米波国家重点实验室江苏南京210096

基于集成无源器件(Integrated Passive Device,IPD)技术,研制了一款工作于毫米波频段的基片集成波导(Substrate Integrated Waveguide,SIW)带通滤波器。在SIW顶层金属上加载2个对称的并联互补开口谐振环(Complementary Split-Ring Resonator,CSRR),为带通滤波器提供了良好的带外抑制效果。测试结果表明,研制的带通滤波器在3dB频带(35.8~56.6 GHz)范围内的最低插入损耗为1.07 dB,回波损耗在38.1~55.8 GHz频带内小于-10 dB,带外抑制在65.5 GHz频点达到-33.6 dB。

关键词：毫米波带通滤波器互补开口谐振环 IPD技术

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一款55.5~63.1GHz基片集成波导带通滤波器设计

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杭州电子科技大学学报（自然科学版） 2022年第4期42卷 7-12页

作者：吕金杰周明珠王禁城董洪成苏国东刘军杭州电子科技大学浙江省大规模集成电路设计重点实验室浙江杭州310018 毫米波国家重点实验室江苏南京210096

基于切比雪夫带通滤波器原型分析,设计了一款工作频率在55.5~63.1 GHz基片集成波导(Substrate Integrated Waveguide,SIW)带通滤波器(Bandpass Filter,BPF)。加载2组互补开口谐振环(Complimentary Split Resonant Ring,CSRR),采用其带阻特性在带外产生传输零点,获得了更好的带外抑制效果,改善了滤波器的矩形系数。采用集成无源器件(Integrated Passive Device,IPD)工艺加工了设计的带通滤波器,实测结果表明,滤波器通带内最小插入损耗(Insertion Loss,IL)为-2.7 dB,通带内回波损耗(Return Loss,RL)小于-16.3 dB,面积为3.4 mm×1.4 mm。

关键词： SIW 切比雪夫带通滤波器 CSRR 插入损耗

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