针对超高速射武器弹药对高频高安全及高一致性点火的发展需求,基于半导体桥芯片点火技术,设计了一种新型钝感高瞬发底火。通过对比研究4种半导体桥芯片及其2种封装结构,选用斯蒂芬酸铅和亚铁氢化铅/高氯酸钾作为两级复合装药,优化形成了模块化结构的半导体桥底火样机。该底火满足了与弹药接口的匹配要求,并达到1 A 1 W 5 min不发火的安全性要求。发火性能试验表明,所研制的半导体桥底火作用时间不大于200μs,散布不大于30μs,与传统桥丝电底火相比瞬发度和作用时间一致性显著提高,综合性能更好。
采用电晕注极和热注极技术,在厚度为25μm的氟化乙丙烯共聚物(FEP)表面制备了宽度为2 mm和3mm的具有栅型电场分布的驻极体,研究了注极温度和电极宽度对其电荷存储性能的影响.样品注极后经150天的存储,栅型电场分布变得清晰而有规律,覆盖铝电极区电位已衰减至接近零,未覆盖铝电极区仍保持高电位;对电极宽度为2 mm和3 mm的样品,覆盖铝电极区与未覆盖铝电极区的表面电位差分别为110 V和130V(电场强度差分别为44 k V/cm和52 k V/cm).表面电位跟踪测试结果表明:电晕注极样品初始表面电位高于热注极样品;在相同的注极方法下,注极温度越高初始表面电位越高,电极宽度越小初始表面电位越低.依据电晕注极和热注极原理对实验结果的分析表明,FEP和金属铝在电荷存储性能上的差异是FEP表面蒸镀铝电极后能获得栅型电场分布的原因所在.
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