背景:国内外对静磁场加载许旺细胞的研究较少,对其产生的生物学效应尚不清楚。目的:探索静磁场对许旺细胞分泌神经生长因子水平的影响。方法:将传代良好的许旺细胞随机分为3组,分别为0.05 m T静磁场组、0.1 m T静磁场组、空白对照组。...
详细信息
背景:国内外对静磁场加载许旺细胞的研究较少,对其产生的生物学效应尚不清楚。目的:探索静磁场对许旺细胞分泌神经生长因子水平的影响。方法:将传代良好的许旺细胞随机分为3组,分别为0.05 m T静磁场组、0.1 m T静磁场组、空白对照组。从接种第2天即开始静磁场加载,每天曝磁12 h,空白对照组不进行静磁场加载。加载6 d后利用RT-PCR技术检测许旺细胞中神经生长因子m RNA的表达,ELISA技术检测许旺细胞分泌神经生长因子水平。结果与结论:静磁场组培养上清中神经生长因子m RNA的表达和分泌神经生长因子水平显著高于空白对照组(P<0.05);0.1 m T静磁场组神经生长因子m RNA的表达和分泌神经生长因子水平虽高于0.05 m T静磁场组,但是差异无显著性意义(P>0.05)。结果表明一定强度的静磁场可以促进许旺细胞快速分泌神经生长因子。
暂无评论