检索结果-内蒙古大学图书馆

A位元素非化学计量Bi_(0.5)(Na,K)_(0.5)TiO_3-BiFeO_3压电陶瓷

硅酸盐学报 2009年第9期37卷 1464-1468页

作者：周昌荣刘心宇杨桂华江民红桂林电子科技大学广西信息材料重点实验室广西桂林541004 桂林工学院电子与计算机系广西桂林541004

采用传统陶瓷制备方法,制备了A位元素非化学计量无铅压电陶瓷0.79(Bi0.5Na0.5)tTiO3–0.18(Bi0.5K0.5)tTiO3–0.03BitFeO3(t=0.95～1.05)。研究了A位元素非化学计量对该体系陶瓷微观结构、压电性能的影响,同时通过测量不同外加应力下压... 详细信息

采用传统陶瓷制备方法,制备了A位元素非化学计量无铅压电陶瓷0.79(Bi0.5Na0.5)tTiO3–0.18(Bi0.5K0.5)tTiO3–0.03BitFeO3(t=0.95～1.05)。研究了A位元素非化学计量对该体系陶瓷微观结构、压电性能的影响,同时通过测量不同外加应力下压电应变常数(d33),研究了影响d33和径向机电耦合系数(kp)的不同机理。结果表明:A位元素缺乏较多时,析出第二相。kp随A位元素过量与不足的增加而减少,d33随A位元素过量的增加基本不变,随A位元素不足的增加而减少。采用极化相位角(θmax)衡量陶瓷极化程度,发现kp随θmax增加而增加,d33随θmax增加变化不明显。d33在低于临界应力时基本不变,当应力高于临界应力后,随应力增加而下降。压电陶瓷中的应力场对畴壁运动与弹性偶极子的作用是影响d33的作用机理之一。

关键词：钛酸铋钠非化学计量压电性能极化相位角

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新型无铅压电陶瓷Bi_(0.5)(Na_(0.82)K_(0.18))_(0.5)Ti_O3-LiNbO_3的研究

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航空材料学报 2009年第4期29卷 94-97页

作者：周昌荣刘心宇杨桂华袁昌来杨华斌桂林电子科技大学广西信息材料重点实验室广西桂林541004 桂林工学院电子与计算机系广西桂林541004

采用传统陶瓷制备方法制备了一种新型无铅压电陶瓷材料(1-x)Bi0.5(Na0.82K0.18)0.5TiO3-xLiNbO3(BNKT-LNx)。研究了LiNbO3对BNKT-LNx陶瓷晶体结构、显微组织和压电性能的影响。结果表明:在所研究的组成范围内陶瓷材料均能够形成纯钙钛... 详细信息

采用传统陶瓷制备方法制备了一种新型无铅压电陶瓷材料(1-x)Bi0.5(Na0.82K0.18)0.5TiO3-xLiNbO3(BNKT-LNx)。研究了LiNbO3对BNKT-LNx陶瓷晶体结构、显微组织和压电性能的影响。结果表明:在所研究的组成范围内陶瓷材料均能够形成纯钙钛矿固溶体,LiNbO3促进陶瓷晶粒生长。陶瓷介电温谱存在两个反常峰,随LiNbO3含量增加低温反常峰向低温移动,εm降低,介电弥散相变特征越明显。在x=0.01时该体系陶瓷压电性能达到最大值:d33=195 pC/N,kp=0.336。

关键词：钛酸铋钠无铅压电陶瓷钙钛矿结构弥散相变

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铋基无铅压电陶瓷Bi_(0.5)(Na_(0.82)K_(0.18))_(0.5)TiO_3-BiCrO_3的微观组织与电性能

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中国有色金属学报 2009年第7期19卷 1289-1293页

作者：周昌荣刘心宇杨桂华袁昌来江民红桂林电子科技大学广西信息材料重点实验室桂林541004 桂林工学院电子与计算机系桂林541004

采用传统陶瓷制备方法,制备一种新型无铅压电陶瓷(1-x)Bi0.5(Na0.82K0.18)0.5TiO3-xBiCrO3(BNKT-BCx)。研究Bi基铁电体BiCrO3对BNKT-BCx陶瓷晶体结构和压电介电性能的影响。结果表明:在所研究的组成范围内,陶瓷材料的主体结构为纯钙钛... 详细信息

采用传统陶瓷制备方法,制备一种新型无铅压电陶瓷(1-x)Bi0.5(Na0.82K0.18)0.5TiO3-xBiCrO3(BNKT-BCx)。研究Bi基铁电体BiCrO3对BNKT-BCx陶瓷晶体结构和压电介电性能的影响。结果表明:在所研究的组成范围内,陶瓷材料的主体结构为纯钙钛矿固溶体,微量BiCrO3(x=0～0.02,摩尔分数)不改变陶瓷的晶体结构;当BiCrO3含量x>0.02时,晶体结构由三方、四方共存转变为伪立方结构,并出现明显的第二相;当x=0.015时,d33=168pC/N;当x=0.01时,kp=0.32,为该体系压电性能的最大值;随BiCrO3含量的增加,陶瓷的低温介电反常峰向低温移动,高温介电反常峰向高温移动,反铁电相区域增加,弥散指数增加。

关键词：钛酸铋钠无铅压电陶瓷压电性能钙钛矿结构

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BMN掺杂NBT压电陶瓷的介电特性研究

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压电与声光 2009年第3期31卷 398-400页

作者：周昌荣刘心宇陈国华许积文江民红桂林电子科技大学广西信息材料重点实验室广西桂林541004

采用传统陶瓷制备方法,制备了一种新无铅压电陶瓷材料(1-x)Na1/2Bi1/2TiO3-xBi(Mg2/3Nb1/3)O3。研究了Bi(Mg2/3Nb1/3)O3掺杂对(Na1/2Bi1/2)TiO3陶瓷晶体结构、弥散相变与介电弛豫行为的影响。X-射线衍射(XRD)分析表明,在所研究的组成范... 详细信息

采用传统陶瓷制备方法,制备了一种新无铅压电陶瓷材料(1-x)Na1/2Bi1/2TiO3-xBi(Mg2/3Nb1/3)O3。研究了Bi(Mg2/3Nb1/3)O3掺杂对(Na1/2Bi1/2)TiO3陶瓷晶体结构、弥散相变与介电弛豫行为的影响。X-射线衍射(XRD)分析表明,在所研究的组成范围内陶瓷材料均能形成纯钙钛矿固溶体。材料的介电常数-温度曲线显示陶瓷具有2个介电反常峰Tf和Tm,低掺杂的样品低频介电常数在居里温度以上异常增加。该体系陶瓷表现出与典型弛豫铁电体明显不同的弛豫行为。根据宏畴-微畴转变理论探讨了该体系陶瓷产生介电弛豫的机理。

关键词：钛酸铋钠无铅压电陶瓷介电性能弛豫特性

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分层压印准LIGA工艺中对准系统误差分析和实验研究

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装备制造技术 2010年第1期 45-47页

作者：王权岱向家伟杨连发段玉岗西安理工大学机械与精密仪器工程学院陕西西安710048 西安交通大学机械制造系统工程国家重点实验室陕西西安710049 桂林电子科技大学机电工程学院广西桂林541004

系统分析了分层压印准LIGA工艺中对准系统的误差来源,给出了相应的消减误差的措施,并对经过畸变校正、自动聚焦及环境保障后对准系统的套印精度进行了实验研究,结果表明系统套印精度达到1.5μm,可以满足分层压印准LIGA工艺制作微米级微... 详细信息

系统分析了分层压印准LIGA工艺中对准系统的误差来源,给出了相应的消减误差的措施,并对经过畸变校正、自动聚焦及环境保障后对准系统的套印精度进行了实验研究,结果表明系统套印精度达到1.5μm,可以满足分层压印准LIGA工艺制作微米级微结构对准的需要。

关键词：准LIGA工艺对准精度分析

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无铅压电陶瓷K_(0.5)Na_(0.5)NbO_3-BiFeO_3的烧结工艺与压电性能研究

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无机材料学报 2009年第6期24卷 1178-1182页

作者：江民红陈何欣刘心宇杨理清周昌荣桂林电子科技大学广西信息材料重点实验室桂林541004 中南大学材料科学与工程学院长沙410083

采用传统常压固相烧结工艺制备了掺杂0.8at%BiFeO3(BF)的K0.5Na0.5NbO3(KNN)无铅压电陶瓷,着重研究了烧结温度与保温时间对陶瓷的晶体结构、相转变、致密度与压电、介电性能的影响.研究结果表明,所有陶瓷样品都为单一的钙钛矿结构,烧结... 详细信息

采用传统常压固相烧结工艺制备了掺杂0.8at%BiFeO3(BF)的K0.5Na0.5NbO3(KNN)无铅压电陶瓷,着重研究了烧结温度与保温时间对陶瓷的晶体结构、相转变、致密度与压电、介电性能的影响.研究结果表明,所有陶瓷样品都为单一的钙钛矿结构,烧结温度与保温时间对陶瓷样品的室温晶体结构与相转变温度几乎没有影响,但对陶瓷的表面形貌、密度和压电性能有较大的影响.当保温时间为3h,在1100℃至1150℃范围内,随烧结温度的升高,陶瓷的压电常数d33、平面机电耦合系数Kp及机械品质因数Qm均一直升高,介电损耗tanδ则显著降低.当烧结温度为1150℃时,随保温时间的增加,陶瓷的压电性能先显著提高后基本保持不变.1150℃保温2h烧结的陶瓷获得良好的性能:密度ρ=4.50g/cm3(致密度为95.63%),d33=132pC/N,Kp=45%,Qm=333.73,tanδ=2.39%.

关键词：无铅压电陶瓷 K0.5Na0.5NbO3 烧结温度压电性能

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Al掺杂ZnO薄膜的热处理工艺与性能研究

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材料热处理学报 2009年第2期30卷 53-56页

作者：江民红刘心宇桂林电子科技大学广西信息材料重点实验室广西桂林541004 中南大学材料科学与工程学院湖南长沙410083

采用陶瓷烧结靶材、射频磁控溅射法制备了(002)择优取向的Al掺杂ZnO薄膜,着重研究了不同的热处理工艺对显微结构、光电性能的影响。结果表明,真空400℃退火能大幅提高ZAO薄膜的导电性能,并保持其平均透光率在85%以上,而非真空退火(大气... 详细信息

采用陶瓷烧结靶材、射频磁控溅射法制备了(002)择优取向的Al掺杂ZnO薄膜,着重研究了不同的热处理工艺对显微结构、光电性能的影响。结果表明,真空400℃退火能大幅提高ZAO薄膜的导电性能,并保持其平均透光率在85%以上,而非真空退火(大气环境)将使ZAO薄膜材料绝缘化,400℃真空退火时间或退火次数对导电性能无明显影响,但随退火时间和退火次数的增加薄膜组织恶化,在真空循环退火条件下尤为严重;经400℃真空退火的薄膜样品,其最低电阻率达8.4×10-4Ω.cm。

关键词： ZAO薄膜真空退火导电性能组织

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42轮SHACAL-2新的相关密钥矩形攻击

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通信学报 2009年第1期30卷 7-11,17页

作者：韦永壮胡予濮西安电子科技大学计算机网络与信息安全教育部重点实验室陕西西安710071 桂林电子科技大学信息与通信学院广西桂林541004

利用SHACAL-2密码算法轮变换的特点,构造了一个新型的34轮区分器。基于该区分器和部分密钥分别猜测的技术,针对40轮、42轮简化SHACAL-2分别给出了新的攻击方法。研究结果表明:利用2个相关密钥,对40轮SHACAL-2进行相关密钥矩形攻击其数... 详细信息

利用SHACAL-2密码算法轮变换的特点,构造了一个新型的34轮区分器。基于该区分器和部分密钥分别猜测的技术,针对40轮、42轮简化SHACAL-2分别给出了新的攻击方法。研究结果表明:利用2个相关密钥,对40轮SHACAL-2进行相关密钥矩形攻击其数据复杂度约为2235选择明文数据量,计算复杂度约为2432.6次加密;而对42轮SHACAL-2进行相关密钥矩形攻击其数据复杂度约为2235选择明文数据量,计算复杂度约为2472.6次加密。与已有的结果相比较,这些新分析所需的数据复杂度和计算复杂度均有明显的降低。

关键词：分组密码相关密钥矩形攻击 SHACAL-2算法计算复杂度

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碳纳米管改性对环氧树脂复合材料热学和电学性能的影响

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材料导报（纳米与新材料专辑） 2009年第2期23卷 101-104,108页

作者：于英俊马传国蒋杰桂林电子科技大学广西信息材料重点实验室桂林541004 桂林电子科技大学信息材料科学与工程系桂林541004

分别采用混酸(浓H_2SO_4和浓HNO_3)、浓HNO_3、浓NaOH及浓H_2SO_4/H_2O_2对碳纳米管(CNTs)在室温下进行表面处理,通过FTIR、SEM、DSC和TGA研究了各改性方法对CNTs/环氧树脂(EP)复合材料热性能和电性能的影响。结果表明,混酸处理使CNTs... 详细信息

分别采用混酸(浓H_2SO_4和浓HNO_3)、浓HNO_3、浓NaOH及浓H_2SO_4/H_2O_2对碳纳米管(CNTs)在室温下进行表面处理,通过FTIR、SEM、DSC和TGA研究了各改性方法对CNTs/环氧树脂(EP)复合材料热性能和电性能的影响。结果表明,混酸处理使CNTs在EP中的分散性、EP的玻璃化温度和热分解温度都显著提高,其它3种方法也有这种作用,相比较而言,H_2SO_4/H_2O_2和HNO_3的改性作用稍差,而NaOH的最差。4种处理方法都使复合材料的导电性能、介电常数以及介电损耗显著下降,其中混酸处理使上述性能下降的程度最高,其次为H_2SO_4/H_2O_2处理,NaOH处理和HNO_3处理对电性能影响较小。

关键词：碳纳米管环氧树脂热学性能电学性能

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一种新的数字电视Widget交互平台模型

一种新的数字电视Widget交互平台模型

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2010年第十二届全国消费电子技术年会暨数字电视研讨会

作者：邓平范科峰张素兵莫玮桂林电子科技大学广西桂林 541004 北京邮电大学网络与交换国家重点实验室信息安全中心北京 100876 中国电子技术标准化研究所国家数字音视频及多媒体产品质量监督检验中心北京 100007

现有的数字电视交互平台在内容的合理利用和管理上存在着不足，针对其问题，本文基于Widget技术，结合MCU硬件平台和Linux OS，提出了一种新的终端嵌入、多样性、跨平台交互平台使用模型。最后对模型的使用性能进行了比较研究，并对模... 详细信息

现有的数字电视交互平台在内容的合理利用和管理上存在着不足，针对其问题，本文基于Widget技术，结合MCU硬件平台和Linux OS，提出了一种新的终端嵌入、多样性、跨平台交互平台使用模型。最后对模型的使用性能进行了比较研究，并对模型的性能进行对比分析。分析结果表明，该模型安全可靠性高，易于实现。为数字电视交互式平台的应用奠定了基础。

关键词： Widget 数字电视内容管理交互平台

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