检索结果-内蒙古大学图书馆

桂林电子科技大学学报 2024年第3期44卷 229-236页

作者：杨会田马姣君刘思焱高伟么蕾彭洪亮张可翔徐芬孙立贤桂林电子科技大学材料科学与工程学院广西桂林541004 桂林电子科技大学广西电子信息材料构效关系重点实验室广西桂林541004

针对燃料电池氧发生还原反应(ORR)、氧析出反应(OER)所需催化剂材料存在的储量稀少、价格昂贵及ORR、OER性能不能兼得等问题,提出一种利用水-浴法,掺杂Fe、Ni制备FeNi/C-PM-X双功能催化剂的方法。利用场发射扫描电镜、场发射透射电镜分... 详细信息

针对燃料电池氧发生还原反应(ORR)、氧析出反应(OER)所需催化剂材料存在的储量稀少、价格昂贵及ORR、OER性能不能兼得等问题,提出一种利用水-浴法,掺杂Fe、Ni制备FeNi/C-PM-X双功能催化剂的方法。利用场发射扫描电镜、场发射透射电镜分析其表面形貌、组成元素;利用物理吸附仪表征样品的比表面积和孔径;利用X-射线衍射仪测试材料的晶格结构;利用光谱仪(分析样品的石墨化程度);利用X-射线光电子能谱仪表征样品元素价态、元素含量及含有的官能团。研究发现,催化剂FeNi/C-PM-900具有优异的抗甲醇中毒能力,且氧还原反应半波电位达0.801 V,可与铂基催化剂相媲美;电流密度为10 mA·cm^(-2)时,FeNi/C-PM-900的氧析出反应过电位为0.44 V,双功能催化剂良好;Fe、Ni金属掺杂碳材料具有较理想的比表面积和稳定性。实验结果表明,Fe掺杂可大大加速电荷转移动力学,并在Ni中心与自身之间产生协同效应,可极大提高氧还原和氧析出性能。

关键词：燃料电池电催化剂碳材料氧还原反应氧析出反应

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基于矩形金属块阵列结构的等离子体颜色滤波器

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激光与光电子学进展 2021年第9期58卷 137-147页

作者：肖功利杨寓婷杨宏艳张开富曾丽珍李海鸥刘兴鹏傅涛桂林电子科技大学广西精密导航技术与应用重点实验室广西桂林541004 桂林电子科技大学广西自动检测技术与仪器重点实验室广西桂林541004 桂林电子科技大学电子工程与自动化学院广西桂林541004 桂林电子科技大学研究生院广西桂林541004

设计了一种基于矩形金属块阵列结构的等离子体颜色滤波器,该器件结合表面等离子体共振效应与平板波导的导波特性,利用非对称矩形金属块周期性阵列结构对入射光偏振敏感的特点,在可见光波段实现对透射谱的动态调控。采用时域有限差分法... 详细信息

设计了一种基于矩形金属块阵列结构的等离子体颜色滤波器,该器件结合表面等离子体共振效应与平板波导的导波特性,利用非对称矩形金属块周期性阵列结构对入射光偏振敏感的特点,在可见光波段实现对透射谱的动态调控。采用时域有限差分法研究了阵列周期、填充因子、电介质层与金属层厚度、入射光偏振角等参数对透射谱及其滤色特性的影响。结果表明,通过改变矩形金属块阵列周期参数可静态调控透射谱;矩形金属块阵列周期不对称时,通过改变入射光偏振角可对透射谱进行动态调控。通过调节结构参数,得到滤波器在可见光范围内的透射率可高达75%,且可同步实现对滤出颜色的静态和动态调控。该研究为下一代颜色可调谐等离子体颜色滤波器的设计提供理论依据。

关键词：衍射颜色滤波器表面等离子体平板波导矩形金属块阵列时域有限差分法

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红外热成像非接触式体温监控系统设计

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电子制作 2025年第5期33卷 98-101页

作者：赵雨庆何志毅韩金丽杨文浩石锦鹏桂林电子科技大学信息与通信学院广西桂林541004 桂林电子科技大学广西无线宽带通信与信号处理重点实验室广西桂林541004

随着公共健康安全问题的日益关注,特别是在疫情防控期间,快速,非接触式的人体体温检测成为重要的健康监测手段。因此,设计一款基于MLX90640红外阵列传感器和STM32微控制器的人体体温检测系统。MLX90640传感器能够精确采集人体表面温度数... 详细信息

随着公共健康安全问题的日益关注,特别是在疫情防控期间,快速,非接触式的人体体温检测成为重要的健康监测手段。因此,设计一款基于MLX90640红外阵列传感器和STM32微控制器的人体体温检测系统。MLX90640传感器能够精确采集人体表面温度数据,并生成红外热图像,STM32作为核心处理单元,负责数据采集、图像处理和温度异常检测,通过算法分析快速判断体温变化,并通过显示终端和报警系统反馈结果。该系统适用人群体温筛查,具备响应速度快、精度高、抗干扰能力强等特点,广泛应用于机场、车站、医院等公共场所。

关键词： MLX90640 STM32 红外体温检测非接触式公共安全

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自动化门限掩码新方法

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计算机应用研究 2022年第5期39卷 1546-1550,1556页

作者：杨蕊涵韦永壮李灵琛桂林电子科技大学广西密码学与信息安全重点实验室广西桂林541004

为了有效抵御差分功耗攻击,密码芯片通常在算法级使用掩码防护。现有的门限掩码方法主要依赖于手工对密码核心部件的分解、推算及随机比特数的配置,其明显的缺点是计算及验证过程复杂、烦琐,而且掩码方案实现效率往往较低。如何在不注... 详细信息

为了有效抵御差分功耗攻击,密码芯片通常在算法级使用掩码防护。现有的门限掩码方法主要依赖于手工对密码核心部件的分解、推算及随机比特数的配置,其明显的缺点是计算及验证过程复杂、烦琐,而且掩码方案实现效率往往较低。如何在不注入额外随机数的情况下,自动化地生成掩码方案是目前业界讨论的热点问题。基于依赖函数的最小共享数目提出一种自动化门限掩码新方法。该方法仅需在拆分变元时用到随机数,而其他掩码环节不需引入额外随机数。实验结果表明:该方法应用于轻量级密码LBlock算法及16类最优4 bit密码S盒上的一阶门限掩码防护时,其T-test的峰值较于不加防护情形下的峰值缩小10倍以上;在实际平台的差分功耗攻击下,使用100万条能量迹也无法恢复出LBlock密码算法的任何密钥比特。这证实该掩码防护是新型有效的。此外,针对SKINNY、Midori、PRESENT和PRINCE等轻量级密码算法使用的密码S盒还分别给出其一阶自动化门限掩码新方案。

关键词：侧信道分析差分功耗攻击门限掩码 LBlock 自动化掩码

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基于误差来源的孔轴直线度检测的测点优化方法

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仪器仪表学报 2021年第5期42卷 49-58页

作者：黄美发刘廷伟唐哲敏刘振辉桂林电子科技大学机电工程学院桂林541004 桂林电子科技大学广西制造系统与先进制造技术重点实验室桂林541004

针对测量间距的选择难以兼顾准确及效率的问题,提出一种基于误差来源的孔轴直线度检测的测点优化方法。分析实际零件的误差来源,得到零件表面形状的尺寸误差;根据误差来源和直线度公差的工程语义,构建零件表面形状的模拟函数;基于误差... 详细信息

针对测量间距的选择难以兼顾准确及效率的问题,提出一种基于误差来源的孔轴直线度检测的测点优化方法。分析实际零件的误差来源,得到零件表面形状的尺寸误差;根据误差来源和直线度公差的工程语义,构建零件表面形状的模拟函数;基于误差理论的原理,在模拟函数的基础上分析测量间距与误差评定值的关系,构建测点集精度函数;对于给定的公差和加工方法,基于蒙特卡罗法仿真原理随机生成一系列模拟表面,用建立的测点集精度函数分析和统计各模拟表面的最佳测量间距,并进一步分析真实零件的最佳测量间距。最后,通过两个工程实例分别验证提出方法的准确性和有效性;实例结果表明,与理论方法相比,实例一(实例二)的轴向和径向的测点数分别减少1994(226)个和42(396)个,提出的方法在满足精度的条件下提高了测量效率。

关键词：误差来源测点模拟函数蒙特卡罗法孔轴直线度

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外电场下单层InSe电子结构的第一性原理计算

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桂林电子科技大学学报 2024年第3期44卷 304-309页

作者：刘赵一周刚王智敏赵维乐桂林电子科技大学材料科学与工程学院广西桂林541004 桂林电子科技大学广西电子信息材料构效关系重点实验室广西桂林541004

由于具有大的塞贝克系数和电导率,单层InSe具有优异的热电性能。采用第一性原理计算方法系统地研究了外电场作用下单层InSe的结构、电子结构和电荷转移。研究结果表明,当电场强度在0~0.6 V/?时,费米能级附近的导带和价带对外电场的作用... 详细信息

由于具有大的塞贝克系数和电导率,单层InSe具有优异的热电性能。采用第一性原理计算方法系统地研究了外电场作用下单层InSe的结构、电子结构和电荷转移。研究结果表明,当电场强度在0~0.6 V/?时,费米能级附近的导带和价带对外电场的作用不敏感,且带隙几乎不随外电场变化。主要是因为施加外电场后,上、下Se-In原子层周围的自由电子发生了转移,使得单层InSe对外电场有屏蔽作用;在屏蔽效应下,单层InSe的结构及其内部化学键受到外电场的影响较小,使得单层InSe的能带对外电场作用不敏感。本研究可为二维材料电子结构和物性的外电场调控机制提供一定的理论参考。

关键词： InSe 单层InSe 外电场电子结构第一性原理

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ITO/AgNWs/ITO薄膜的制备及其性能研究

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人工晶体学报 2024年第7期53卷 1150-1159页

作者：杨涛陈彩明黄瑜佳吴少平徐华蕊汪坤喆朱归胜桂林电子科技大学材料科学与工程学院电子信息材料与器件教育部工程研究中心广西信息材料重点实验室桂林541004 广西中沛光电科技有限公司来宾546100

随着显示面板向超大尺寸、超高清、可触控的方向发展,单一的氧化铟锡(ITO)薄膜难以满足显示器件越来越高的光电性能要求,因此复合导电薄膜得以发展。本文制备了以二维银纳米线(AgNWs)导电网络嵌入ITO薄膜形成的ITO(222)/AgNWs/ITO(400)... 详细信息

随着显示面板向超大尺寸、超高清、可触控的方向发展,单一的氧化铟锡(ITO)薄膜难以满足显示器件越来越高的光电性能要求,因此复合导电薄膜得以发展。本文制备了以二维银纳米线(AgNWs)导电网络嵌入ITO薄膜形成的ITO(222)/AgNWs/ITO(400)复合薄膜结构,系统研究了AgNWs添加量和上层ITO薄膜溅射温度对复合薄膜结构与光电性能的影响,AgNWs金属导电网络不仅提升了薄膜的电学性能,还保持了优良的光学性能。结果表明,在旋涂600μL的AgNWs分散液、上层ITO薄膜的溅射温度为175℃时,制备的复合ITO薄膜方阻为7.13Ω/□,在550 nm处透过率为91.52%,且品质因数为57.82×10^(-3)Ω^(-1),实现了超低电阻率和高可见光透过率复合ITO薄膜的制备。

关键词： ITO薄膜磁控溅射 AgNWs 导电网络复合薄膜光电性能溅射温度

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Cr^(3+)掺杂对Mn_(3)O_(4)结构、形貌以及磁电性能的影响

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桂林电子科技大学学报 2024年第3期44卷 292-298页

作者：崔梦范王松伟张鑫杨瑞鑫张亚乐邓胜龙周欣桂林电子科技大学材料科学与工程学院广西桂林541004 桂林电子科技大学广西电子信息材料构效关系重点实验室广西桂林541004

为了探究Cr^(3+)掺杂对Mn_(3)O_(4)体系磁电效应的影响,采用传统固相法成功制备了Mn_(3)O_(4)及Mn_(1.8)Cr_(1.2)O_(4)的单相多晶样品。X射线衍射及精修结果表明,掺杂前后存在晶体结构的改变,由四方晶系转变为立方晶系,其空间群由I41/am... 详细信息

为了探究Cr^(3+)掺杂对Mn_(3)O_(4)体系磁电效应的影响,采用传统固相法成功制备了Mn_(3)O_(4)及Mn_(1.8)Cr_(1.2)O_(4)的单相多晶样品。X射线衍射及精修结果表明,掺杂前后存在晶体结构的改变,由四方晶系转变为立方晶系,其空间群由I41/amd变为Fd3m。场发射扫描电镜结果显示,掺杂前样品的晶粒呈紧密的镶嵌结构,掺杂后样品呈离散的五面体及八面体形貌,且尺寸约是掺杂前的1/8。磁性研究结果表明,掺杂前、后样品Yafet-Kittel型亚铁磁相变温度由43 K提高到60 K,这源自Cr^(3+)掺杂使Mn^(3+)(Cr^(3+))/Mn^(2+)—O键长缩短,Mn^(3+)(Cr^(3+))—O—Mn^(3+)(Cr^(3+))键角增大,磁相互作用增强。此外,掺杂后矫顽力显著降低,这可根据离散的晶粒间作用力减小来理解。介电效应研究发现,掺杂前、后样品在磁相变点附近存在不随频率移动的介电异常峰,表明该体系存在与磁序相关的铁电极化,这源自体系的非线性磁结构。

关键词：固相法 Cr^(3+)掺杂磁性测量介电测量磁电耦合

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扫描位移过程中低功耗测试的设计与实现

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半导体技术 2023年第11期48卷 1012-1019页

作者：李尤鹏纪元法肖有军雷鹏桂林电子科技大学信息与通信学院广西桂林5541004 桂林电子科技大学广西精密导航技术与应用重点实验室广西桂林5541004 卫星导航定位与位置服务国家地方联合工程研究中心广西桂林541004 创意电子(南京)有限公司南京210018

针对扫描位移功耗过高带来的生产成本增加、良率降低的问题,提出采用时钟相位调整技术和逻辑阻隔技术相组合的方式来降低测试功耗。利用布局布线之后的时钟偏差和物理位置等信息对时钟相位进行调整,从而降低峰值功耗;通过寄存器输出端... 详细信息

针对扫描位移功耗过高带来的生产成本增加、良率降低的问题,提出采用时钟相位调整技术和逻辑阻隔技术相组合的方式来降低测试功耗。利用布局布线之后的时钟偏差和物理位置等信息对时钟相位进行调整,从而降低峰值功耗;通过寄存器输出端的扇出数量来决定阻隔逻辑电路插入点,从而降低平均功耗。将该方案应用于实际项目中,从面积、覆盖率、功耗角度分析了时钟相位调整技术和逻辑阻隔技术的特点。结果表明,在面积和覆盖率影响较小的情况下,采用两种技术组合后扫描位移的峰值功耗降低了73.24%,平均功耗降低了6.78%。该方案具有良好的实用性,可为大规模集成电路低功耗可测性设计提供参考。

关键词：扫描测试低功耗测试位移功耗时钟相位调整阻隔逻辑电路

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Brown单增量的局部泛函重对数律

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数学学报（中文版） 2022年第6期65卷 1083-1092页

作者：刘永宏张晴晴桂林电子科技大学数学与计算科学学院广西高校数据分析与计算重点实验室桂林541004

本文利用Brown单与Brown单增量的大偏差,得到了Brown单与Brown单增量的局部泛函重对数律.

关键词： Brown单增量局部泛函重对数律

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