介绍了一种超低功耗、无片上电阻、无双极型晶体管(BJT)的基于亚阈值CMOS特性的基准电压源,该带隙基准源主要用于低功耗型专用集成电路(ASIC)。采用Oguey电流源结构来减小静态电流,以降低功耗。通过使用工作在线性区的MOS管代替传统结构中的电阻消除迁移率和电流的温度影响,同时减小芯片面积;采用共源共栅电流镜以降低电源电压抑制比和电压调整率。电路基于SMIC 0.18μm CMOS工艺进行仿真。仿真结果表明,在-45~130℃内,温漂系数为29.1×10-6/℃,电源电压范围为0.8~3.3 V时,电压调整率为0.056%,在100 Hz时,电源电压抑制比为-53 d B。电路功耗仅为235 n W,芯片面积为0.01 mm2。
为了解决低轨双星时差(Time difference of arrival,TDOA)、频差(Frequency difference of arrival,FDOA)定位精度低这一问题,提出了一种应用虚拟参考站(Virtual reference station,VRS)技术来实现对低轨双星TDOA/FDOA进行精密修正的方...
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为了解决低轨双星时差(Time difference of arrival,TDOA)、频差(Frequency difference of arrival,FDOA)定位精度低这一问题,提出了一种应用虚拟参考站(Virtual reference station,VRS)技术来实现对低轨双星TDOA/FDOA进行精密修正的方法。该方法利用合作辐射源在未知辐射源附近建立一个物理上并不存在的虚拟参考站,然后再利用此虚拟参考站修正未知辐射源的时频误差。通过仿真分析,VRS处虚拟时差构建误差比虚拟频差构建误差要小,并且VRS对未知辐射源TDOA/FDOA系统误差的修正精度分别可以达到97%和95%。利用修正后的时频差对未知辐射源定位,其定位精度相对于未修正前有极大的提高。
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