检索结果-内蒙古大学图书馆

微电子学 2017年第5期47卷 614-619,624页

作者：周峰韦保林王博徐卫林韦雪明段吉海桂林电子科技大学广西精密导航技术与应用重点实验室广西桂林541004

基于g_m/I_D设计方法和电流复用型折叠共源共栅运算放大器结构,采用SMIC 0.18μm CMOS工艺,设计了一种应用于卫星接收机的低功耗可自动调谐双模式有源RC复数滤波器。引入了调零电阻,补偿由非理想运算放大器引起的Q值升高导致的通带纹波... 详细信息

基于g_m/I_D设计方法和电流复用型折叠共源共栅运算放大器结构,采用SMIC 0.18μm CMOS工艺,设计了一种应用于卫星接收机的低功耗可自动调谐双模式有源RC复数滤波器。引入了调零电阻,补偿由非理想运算放大器引起的Q值升高导致的通带纹波性能恶化。同时,引入了全集成调谐电路模块,补偿无源器件在IC制造中因工艺偏差导致的频率响应偏移。仿真结果表明:滤波器分别工作在GPS-L1和BD-B1模式,中心频率为4.092 MHz(带宽2 MHz)和6 MHz(带宽4MHz)时,镜像抑制比分别为65dB和61dB,增益分别为2dB和-1dB。滤波器芯片面积为0.6mm^2,在1.8V电源电压下,功耗仅为1.75mW。

关键词：双模式自动调谐复数滤波器低功耗模拟集成电路

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一种高速高线性度采样保持电路

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微电子学 2018年第2期48卷 183-188页

作者：洪喆颖段吉海徐卫林韦保林桂林电子科技大学广西精密导航技术与应用重点实验室广西桂林541004

采用SMIC 0.18μm CMOS工艺,设计了一种应用于高速ADC的采样保持电路。运用大信号建模分析方法,针对采样保持电路中的缓冲器,引入一个PMOS管构成类Cascode结构,以消除二级效应对线性度的影响。同时,增加了一条低阈值NMOS管构成的电流通... 详细信息

采用SMIC 0.18μm CMOS工艺,设计了一种应用于高速ADC的采样保持电路。运用大信号建模分析方法,针对采样保持电路中的缓冲器,引入一个PMOS管构成类Cascode结构,以消除二级效应对线性度的影响。同时,增加了一条低阈值NMOS管构成的电流通路来减小整个电路的寄生电容,进而提高缓冲器的线性度。仿真结果表明,该采样保持电路在1GHz采样频率以内均可达到9位以上的有效位数。当采样频率为500 MHz时,该电路的SFDR为79.76dB,ENOB为12.02bit,THD为-85.33dB,功耗约为26.8mW。

关键词：源极跟随器采样保持电路谐波失真线性度

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一种自校准高精度时间放大器

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微电子学 2019年第1期49卷 78-83页

作者：韦雪明覃毅青蒋丽韦保林徐卫林桂林电子科技大学广西精密导航技术与应用重点实验室广西桂林541004

提出了一种应用于时间数字转换器的2倍增益自校准时间放大器。该时间放大器能动态调整支路电容的充放电时间,有效提高了增益稳定性。基于65nm CMOS工艺进行设计,电源电压为1V。仿真结果表明,在不同温度和工艺角下,动态输入范围可达600ps... 详细信息

提出了一种应用于时间数字转换器的2倍增益自校准时间放大器。该时间放大器能动态调整支路电容的充放电时间,有效提高了增益稳定性。基于65nm CMOS工艺进行设计,电源电压为1V。仿真结果表明,在不同温度和工艺角下,动态输入范围可达600ps,增益误差小于10%。在6级级联的条件下,最小精度为0.46ps,归一化差分误差为0.15LSB,归一化绝对误差为0.19LSB。与传统时间放大器相比,该时间放大器的性能明显改善。

关键词：时间数字转换器时间放大器自校准高精度

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基于多尺度连接的区域自适应去雾算法

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计算机仿真 2023年第2期40卷 510-516页

作者：韦照川王皓坤纪元法桂林电子科技大学广西精密导航技术与应用重点实验室广西桂林541004

针对传统单幅图像去雾算法中细节信息丢失导致去雾后物体轮廓不清晰,以及雾浓度分布不均匀使得去雾不完全等问题,提出一种基于多尺度连接的区域自适应去雾算法,设计了一个由编/解码部分以及区域非局部块构成的自适应去雾网络;首先在不... 详细信息

针对传统单幅图像去雾算法中细节信息丢失导致去雾后物体轮廓不清晰,以及雾浓度分布不均匀使得去雾不完全等问题,提出一种基于多尺度连接的区域自适应去雾算法,设计了一个由编/解码部分以及区域非局部块构成的自适应去雾网络;首先在不同编码层中使用密集连接残差块和非局部操作提取不同尺度的特征信息。然后将来自不同编码层的特征信息聚合后,送入各级解码器中进行解码操作。最后将解码输出的特征图与原始雾图逐元素相加后恢复出清晰图像。在RESIDE数据集上进行仿真,将实验结果与较新算法进行定性和定量比较。提出算法的峰值信噪比提高了1.77dB、结构相似度提高了0.02,去雾效果得到明显提升。

关键词：图像去雾背景细节多路连接特征聚合区域非局部块

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一种有源无源混合的噪声整形SAR ADC

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微电子学 2021年第4期51卷 455-460页

作者：翁浩然徐卫林肖鑫符征裕段吉海桂林电子科技大学广西精密导航技术与应用重点实验室广西桂林541004

传统无源噪声整形SAR ADC因无源开关电容积分器有增益误差、相位误差而整形能力较弱。在无源噪声整形的基础上,文章设计了一种有源无源结合的噪声整形SAR ADC。该电路融合了低增益OTA和正反馈电路,仅增加少量功耗,基本消除了无源噪声整... 详细信息

传统无源噪声整形SAR ADC因无源开关电容积分器有增益误差、相位误差而整形能力较弱。在无源噪声整形的基础上,文章设计了一种有源无源结合的噪声整形SAR ADC。该电路融合了低增益OTA和正反馈电路,仅增加少量功耗,基本消除了无源噪声整形模块的增益误差、相位误差。结果表明,该噪声整形10位SAR ADC的带宽为10 kHz,采样率为320 kHz,功耗仅109μW,有效位数达15.6位。在-40℃~85℃、不同工艺角下,有效位数均超过15位。

关键词：噪声整形逐次逼近寄存器A/D转换器 Δ-ΣA/D转换器

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电离层残差法对载波相位周跳探测的改进

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电讯技术 2016年第5期56卷 551-556页

作者：蔡成林王亮亮王金辉秦懿李刚桂林电子科技大学广西精密导航技术与应用重点实验室广西桂林541004

针对传统电离层残差法在实际数据处理中的缺陷,提出了一种电离层残差与高次差结合的改进型周跳探测方法。该改进方法首先借鉴高次差的高通滤波特性,对电离层残差的组合观测值求一次差,从而有效抑制低频信号并消除常数部分,使实际发生的... 详细信息

针对传统电离层残差法在实际数据处理中的缺陷,提出了一种电离层残差与高次差结合的改进型周跳探测方法。该改进方法首先借鉴高次差的高通滤波特性,对电离层残差的组合观测值求一次差,从而有效抑制低频信号并消除常数部分,使实际发生的周跳影响放大,再结合组合观测值的方差进行周跳探测。算法验证表明该方法不论对"北斗"卫星不同星座的数据还是对全球定位系统(GPS)卫星的数据均有良好的探测效果,弥补了原电离层残差法在电离层活跃期间以及数据质量不佳时其不易有效探测出小周跳的缺陷,且避免了原算法经常出现误判断的情况,使其成为一种较优的周跳探测方法。

关键词：卫星导航定位载波相位周跳探测电离层残差高次差

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一种具有分段式DEM的二阶噪声整形SAR ADC

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微电子学 2023年第5期53卷 752-757页

作者：杨松段吉海李冀尹仁川桂林电子科技大学广西精密导航技术与应用重点实验室广西桂林541004

设计了一种具有分段式动态元件匹配(DEM)的高分辨率、低功耗噪声整形SAR ADC。该电路实现了具有无源增益的二阶噪声整形滤波器,从而增强了噪声整形能力。此外,提出了一种分段式动态元件匹配电路来解决由DAC电容失配引起的谐波失真问题,... 详细信息

设计了一种具有分段式动态元件匹配(DEM)的高分辨率、低功耗噪声整形SAR ADC。该电路实现了具有无源增益的二阶噪声整形滤波器,从而增强了噪声整形能力。此外,提出了一种分段式动态元件匹配电路来解决由DAC电容失配引起的谐波失真问题,以进一步提高ADC的信噪失真比(SNDR)。仿真结果表明,在4 MS/s的采样速率和40倍过采样率(OSR)的情况下,所设计的噪声整形SAR ADC的信噪失真比达到91.1 dB。当电源电压为1.8 V时,该ADC的功耗仅为231μW,并实现了174.5 dB Schreier优值(FOM)。

关键词：无源增益动态元件匹配噪声整形模数转换器

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一种应用于音频的可重构Σ-Δ连续时间调制器

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微电子学 2024年第2期54卷 183-188页

作者：罗育豪韦保林岳宏卫桂林电子科技大学广西精密导航技术与应用重点实验室广西桂林541004

基于180 nm CMOS工艺,设计了一种应用于音频领域的可重构前馈式3阶Σ-Δ连续时间调制器。传统Σ-Δ连续时间调制器只有一种工作模式,而该设计利用可重构的积分器使Σ-Δ连续时间调制器具有高精度和低功耗两种工作模式。此外,采用的加法... 详细信息

基于180 nm CMOS工艺,设计了一种应用于音频领域的可重构前馈式3阶Σ-Δ连续时间调制器。传统Σ-Δ连续时间调制器只有一种工作模式,而该设计利用可重构的积分器使Σ-Δ连续时间调制器具有高精度和低功耗两种工作模式。此外,采用的加法器提前技术减小了调制器功耗,负电阻补偿技术提高了调制器的SNDR,额外环路延时补偿技术提高了调制器的稳定性。仿真结果表明,在20 kHz信号带宽、1.8 V电源电压下,低功耗模式下调制器的SNDR为94.7 dB,功耗为291μW;高精度模式下调制器的SNDR为108 dB,功耗为436.6μW。

关键词：连续时间可重构 Σ-Δ调制器高精度

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一种快速最优自适应频率校准电路

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微电子学与计算机 2018年第4期35卷 108-113页

作者：徐卫林朱潮勇于越周茜李海鸥广西精密导航技术与应用重点实验室桂林电子科技大学广西桂林541004

提出一种快速最优自适应频率校准电路,应用于卫星导航接收机的宽带频率合成器中.该自适应频率校准电路通过共用频率合成器中多模分频器的分频码,快速定位到多频带压控振荡器的理想目标频带,并进行反馈校准,搜索出目标频点的上下两条实... 详细信息

提出一种快速最优自适应频率校准电路,应用于卫星导航接收机的宽带频率合成器中.该自适应频率校准电路通过共用频率合成器中多模分频器的分频码,快速定位到多频带压控振荡器的理想目标频带,并进行反馈校准,搜索出目标频点的上下两条实际目标频带,并分别与之比较偏差,选择距离最近的目标频带.该自适应频率校准电路采用数模混合电路设计,模拟部分以减小搜索步长,数字部分以提高校准算法的准确性和减少搜索步数.基于0.18μm CMOS工艺的混合信号仿真验证表明,相对于传统的频率校准电路,提出的快速最优自适应频率校准电路可以实现更短的锁定时间,并选取最优频带,从而有利于频率合成器的环路稳定和相位噪声优化.

关键词：自适应频率校准快速数模混合最优算法

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钝化处理对Al_2O_3/InP MOS电容界面特性的影响

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半导体技术 2019年第6期44卷 438-443页

作者：李海鸥李玺李跃刘英博孙堂友李琦李陈成陈永和桂林电子科技大学广西精密导航技术与应用重点实验室广西桂林541004

制备了Al/Al_2O_3/InP金属氧化物半导体(MOS)电容,分别采用氮等离子体钝化工艺和硫钝化工艺处理InP表面。研究了在150、200和300 K温度下样品的界面特性和漏电特性。实验结果表明,硫钝化工艺能够有效地降低快界面态,在150 K下测试得到... 详细信息

制备了Al/Al_2O_3/InP金属氧化物半导体(MOS)电容,分别采用氮等离子体钝化工艺和硫钝化工艺处理InP表面。研究了在150、200和300 K温度下样品的界面特性和漏电特性。实验结果表明,硫钝化工艺能够有效地降低快界面态,在150 K下测试得到最小界面态密度为1.6×10^(10) cm^(-2)·eV^(-1)。与硫钝化工艺对比,随测试温度升高,氮等离子体钝化工艺可以有效减少边界陷阱,边界陷阱密度从1.1×10^(12) cm^(-2)·V^(-1)降低至5.9×10^(11) cm^(-2)·V^(-1),同时减少了陷阱辅助隧穿电流。氮等离子体钝化工艺和硫钝化工艺分别在降低边界陷阱和快界面态方面有一定优势,为改善器件界面的可靠性提供了依据。

关键词：氮等离子体钝化硫钝化界面态密度边界陷阱密度隧穿电流

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