检索结果-内蒙古大学图书馆

光学精密工程 2025年第3期33卷 389-401页

作者：杨金张航瑛孟凯楼佩煌南京航空航天大学机电学院江苏南京210016 微波光子技术国家级重点实验室江苏南京210016 工业和信息化部空天集成电路与微系统重点实验室江苏南京210016

晶圆定位标记尺寸小,形貌多,传统聚焦评价函数进行计算时存在稳定性差、灵敏度低等问题。针对上述问题提出了一种基于多向梯度方差的自适应聚焦评价算法。首先针对标记图像进行特征边缘像素点自适应采样提取;然后联立Brenner函数和Robe... 详细信息

晶圆定位标记尺寸小,形貌多,传统聚焦评价函数进行计算时存在稳定性差、灵敏度低等问题。针对上述问题提出了一种基于多向梯度方差的自适应聚焦评价算法。首先针对标记图像进行特征边缘像素点自适应采样提取;然后联立Brenner函数和Roberts函数,构建适用于晶圆定位标记的多向梯度评价函数,对采样的像素点进行评价计算,得到初始聚焦评价函数值;最后对图像集的初始聚焦评价函数值进行方差计算,优化函数抗噪性,得到最终的聚焦评价函数值。实验结果表明,本文所提算法相较于传统评价算法平缓区域波动量降低了61.49%,灵敏度提升了2.56倍。本算法的提出为实现晶圆定位标记乃至其他具备明显边缘特征结构的微纳标记图像实现高灵敏度自动聚焦提供了一种更优的计算策略。

关键词：成像系统图像质量评价边缘分析自动聚焦聚焦函数

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基于GaN的高频高功率密度混合集成电源设计

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强激光与粒子束 2025年第3期37卷 102-109页

作者：朱伟龙王鹏郑辰雅孙鹏飞华东微电子研究所合肥230088 模拟集成电路国家重点实验室重庆400060

混合集成DC-DC变换器因其工作温度范围宽和长期可靠性高在苛刻环境及高可靠需求应用场景中得到广泛应用。基于GaNHEMT器件优异的高频低损耗特性,结合有源箝位软开关拓扑、混合集成微组装技术和高载流低热阻气密封装技术,设计了一款28V... 详细信息

混合集成DC-DC变换器因其工作温度范围宽和长期可靠性高在苛刻环境及高可靠需求应用场景中得到广泛应用。基于GaNHEMT器件优异的高频低损耗特性,结合有源箝位软开关拓扑、混合集成微组装技术和高载流低热阻气密封装技术,设计了一款28V输入、5V/20A输出的混合集成DC-DC变换器。该变换器开关频率800kHz,峰值效率达92%。详细阐述了有源箝位功率电路设计、GaNHEMT驱动电路寄生参数与震荡电压控制、同步整流时序与死区时间优化、厚膜混合集成工艺及散热的设计方法和技术细节,并通过仿真与样机实验,验证和展示了GaNHEMT和混合集成电路在高功率密度和高效率方面的优势。

关键词：混合集成电路有源箝位正激氮化镓同步整流高可靠

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硅基超薄柔性芯片的力学和电学特性研究进展

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微电子学 2023年第3期53卷 472-482页

作者：洪敏陈仙徐学良唐新悦张正元张培健模拟集成电路国家级重点实验室重庆400060

全面综述了硅基超薄柔性芯片在单轴弯曲应力下的力学和电学特性研究进展,包括弯曲形变的测试方法及应力计算公式,弯曲应力对器件及单元电路响应特性的影响,以及考虑应力效应的器件建模方法。弯曲应力会导致MOSFET的迁移率、阈值电压、... 详细信息

全面综述了硅基超薄柔性芯片在单轴弯曲应力下的力学和电学特性研究进展,包括弯曲形变的测试方法及应力计算公式,弯曲应力对器件及单元电路响应特性的影响,以及考虑应力效应的器件建模方法。弯曲应力会导致MOSFET的迁移率、阈值电压、漏极电流等关键电参数发生变化,且变化率与所施加的应力大小和方向均密切相关。将器件电学参数随应力变化的数学关系与常规的器件模型相结合,可得到适用于柔性可弯曲器件的紧凑模型,从而使下一代计算机辅助设计工具能够满足未来高性能柔性芯片的设计需求。

关键词：超薄柔性芯片弯曲应力效应 MOSFET 压阻系数器件建模

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具有增益均衡功能的新型宽带MMIC放大器

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固体电子学研究与进展 2008年第4期28卷 506-510页

作者：汪珍胜陈效建郑惟彬李辉单片集成电路与模块国家级重点实验室南京210016

由于行波管"山丘状"功率增益特性需要补偿,提出了具有增益均衡功能的新型宽带单片放大器结构。利用FET作可调元件的嵌入式低损无源滤波网络实现了增益均衡功能。设计中采用了有别于传统的分布放大器形式,选择了高效率高增益... 详细信息

由于行波管"山丘状"功率增益特性需要补偿,提出了具有增益均衡功能的新型宽带单片放大器结构。利用FET作可调元件的嵌入式低损无源滤波网络实现了增益均衡功能。设计中采用了有别于传统的分布放大器形式,选择了高效率高增益级联型单级分布放大器结构。研制出的嵌入增益均衡滤波网络的三级级联型单级分布放大器,在6～14GHz频带范围内,仅使用5个0.25×120μmp HEMT,小信号增益15.5±1.3dB;输入输出反射损耗<-10dB;NF<8dB;频带中部引入的电调衰减幅度超过7dB。芯片面积为2.48mm×1.25mm。验证了此新型电路结构的可行性。

关键词：微波单片集成电路频率均衡器可调增益级联型分布放大器微波功率模块

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4W/mm蓝宝石衬底AlGaN/GaN HEMT

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固体电子学研究与进展 2007年第3期27卷 320-324页

作者：任春江李忠辉焦刚董逊李肖陈堂胜李拂晓单片集成电路与模块国家级重点实验室南京210016

报道了利用南京电子器件研究所生长的蓝宝石衬底AlGaN/GaN异质结材料制作的HEMT,器件功率输出密度达4W/mm。通过材料结构及生长条件的优化,利用MOCVD技术获得了二维电子气(2DEG)面密度为0.97×1013cm-2、迁移率为1000cm2/Vs的AlGaN/... 详细信息

报道了利用南京电子器件研究所生长的蓝宝石衬底AlGaN/GaN异质结材料制作的HEMT,器件功率输出密度达4W/mm。通过材料结构及生长条件的优化,利用MOCVD技术获得了二维电子气(2DEG)面密度为0.97×1013cm-2、迁移率为1000cm2/Vs的AlGaN/GaN异质结构材料,用此材料完成了栅长1μm、栅宽200μm AlGaN/GaN HEMT器件的研制。小信号测试表明器件的fT为17GHz、最高振荡频率fmax为40GHz;负载牵引测试得到2GHz下器件的饱和输出功率密度为4.04W/mm。

关键词：氮化镓高电子迁移率晶体管二维电子气单位截止频率最高振荡频率

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级联型单级分布式宽带单片功率放大器

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固体电子学研究与进展 2008年第4期28卷 501-505页

作者：曹海勇陈效建钱峰单片集成电路与模块国家级重点实验室南京210016

报道了一个采用级联型单级分布式结构的宽带单片功率放大器的设计方法和研制结果。文中通过拓扑比较和人工传输线理论研究,分析出该功放设计的难点,并基于仿真实验,给出解决方案。最终研制的两级单片功放在6～18GHz频率范围内线性增益13... 详细信息

报道了一个采用级联型单级分布式结构的宽带单片功率放大器的设计方法和研制结果。文中通过拓扑比较和人工传输线理论研究,分析出该功放设计的难点,并基于仿真实验,给出解决方案。最终研制的两级单片功放在6～18GHz频率范围内线性增益13.5dB,平坦度±1dB,输入输出驻波比均小于2。全频带上,饱和输出功率为300～450mW,功率附加效率大于15%。该宽带单片功率放大器在100mm GaAs MMIC工艺线上采用0.25μm功率pHEMT标准工艺制作,芯片尺寸为2.7mm×1.25mm×0.08mm。

关键词：微波单片集成电路级联型单级分布式放大器宽带功率放大器

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金属-氧化物-半导体硅发光器件在集成电路中的应用前景

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物理学报 2019年第16期68卷 85-90页

作者：张宁徐开凯陈彦旭朱坤峰赵建明于奇电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室成都610054 中国电子科技集团公司模拟集成电路国家级重点实验室重庆400060

集成硅光电子学的目的之一就是为大众市场创造应用广泛、成本低廉的光子互连工具.随着摩尔定律逼近理论极限,集成芯片的金属互连越来越跟不上芯片体积微型化、频率高速化和功耗分配精益化的需求.本文基于硅基发光器件的发展历程,详细论... 详细信息

集成硅光电子学的目的之一就是为大众市场创造应用广泛、成本低廉的光子互连工具.随着摩尔定律逼近理论极限,集成芯片的金属互连越来越跟不上芯片体积微型化、频率高速化和功耗分配精益化的需求.本文基于硅基发光器件的发展历程,详细论证了金属-氧化物-半导体结构硅发光器件在未来集成电路中的合理应用,提出了全硅光电集成电路在理论和工艺上的可行性.这种电路突破了传统芯片电互连码之间串扰的瓶颈,改善之后的互连速度理论可达光速,有望成为新一代集成芯片的主流.

关键词：硅光电子学光互连光源

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基于脉冲方法的超短栅长GaN基高电子迁移率晶体管陷阱效应机理

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物理学报 2018年第17期67卷 321-328页

作者：周幸叶吕元杰谭鑫王元刚宋旭波何泽召张志荣刘庆彬韩婷婷房玉龙冯志红河北半导体研究所专用集成电路国家级重点实验室石家庄050051

陷阱效应导致的电流崩塌是制约GaN基微波功率电子器件性能提高的一个重要因素,研究深能级陷阱行为对材料生长和器件开发具有非常重要的意义.随着器件频率的提升,器件尺寸不断缩小,对小尺寸器件中深能级陷阱的表征变得越发困难.本文制备... 详细信息

陷阱效应导致的电流崩塌是制约GaN基微波功率电子器件性能提高的一个重要因素,研究深能级陷阱行为对材料生长和器件开发具有非常重要的意义.随着器件频率的提升,器件尺寸不断缩小,对小尺寸器件中深能级陷阱的表征变得越发困难.本文制备了超短栅长(Lg=80 nm)的AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管(MOSHEMT),并基于脉冲I-V测试和二维数值瞬态仿真对器件的动态特性进行了深入研究,分析了深能级陷阱对AlGaN/GaN MOSHEMT器件动态特性的影响以及相关陷阱效应的内在物理机制.结果表明,AlGaN/GaN MOSHEMT器件的电流崩塌随着栅极静态偏置电压的增加呈非单调变化趋势,这是由栅漏电注入和热电子注入两种陷阱机制共同作用的结果.根据研究结果推断,可通过改善栅介质的质量以减小栅漏电或提高外延材料质量以减少缺陷密度等措施达到抑制陷阱效应的目的,从而进一步抑制电流崩塌.

关键词：氮化镓高电子迁移率晶体管动态特性陷阱效应

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表面预处理对石墨烯上范德瓦耳斯外延生长GaN材料的影响

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物理学报 2017年第24期66卷 230-235页

作者：王波房玉龙尹甲运刘庆彬张志荣郭艳敏李佳芦伟立冯志红河北半导体研究所专用集成电路国家级重点实验室石家庄050051

基于范德瓦耳斯外延生长的氮化镓/石墨烯材料异质生长界面仅靠较弱的范德瓦耳斯力束缚,具有低位错、易剥离等优势,近年来引起了人们的广泛关注.采用NH_3/H_2混合气体对石墨烯表面进行预处理,研究了不同NH_3/H_2比对石墨烯表面形貌、拉... 详细信息

基于范德瓦耳斯外延生长的氮化镓/石墨烯材料异质生长界面仅靠较弱的范德瓦耳斯力束缚,具有低位错、易剥离等优势,近年来引起了人们的广泛关注.采用NH_3/H_2混合气体对石墨烯表面进行预处理,研究了不同NH_3/H_2比对石墨烯表面形貌、拉曼散射的影响,探讨了石墨烯在NH_3和H_2混合气氛下的表面预处理机制,最后在石墨烯上外延生长了1.6μm厚的GaN薄膜材料.实验结果表明:石墨烯中褶皱处的C原子更容易与气体发生刻蚀反应,刻蚀方向沿着褶皱进行;适当NH_3/H_2比的混合气体对石墨烯进行表面预处理可有效改善石墨烯上GaN材料的晶体质量.本研究提供了一种可有效提高GaN晶体质量的石墨烯表面预处理方法,可为进一步研究二维材料上高质量的GaN外延生长提供参考.

关键词：石墨烯氮化镓范德瓦耳斯外延表面预处理

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CrSi薄膜电阻退火条件的优化

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微电子学 2008年第3期38卷 316-319页

作者：罗山张正元空军工程大学模拟集成电路国家级重点实验室

针对CrSi薄膜电阻稳定性,对CrSi薄膜电阻阻值变化的机理进行分析;通过开展退火条件对CrSi薄膜电阻稳定性的影响实验,获得优化的退火条件,将CrSi薄膜电阻的温度系数从原来的100ppm降到20～50ppm,大大提高了电阻网络的稳定性。

关键词： CrSi电阻退火条件温度系数

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