检索结果-内蒙古大学图书馆

双极器件的快中子辐照损伤

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微电子学 1999年第6期29卷 452-454页

作者：黄燕肖鹏夏培邦模拟集成电路国家重点实验室重庆400060

从双极器件在快中子脉冲辐射下Frenkel缺陷的产生及其退火机理出发,推导出器件β在中子脉冲作用下随AF(t)和电荷浓度变化的数学模型。同时。

关键词：双极性晶体管快中子辐照硅双极器件

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一种14bit异步时序两级Pipelined-SAR模数转换器技术

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微电子学 2023年第3期53卷 444-450页

作者：陈凯让王冰王友华杨毓军重庆电子工程职业学院重庆401331 模拟集成电路国家级重点实验室重庆400060

设计了一种基于异步时序的两级Pipelined-SAR模数转换器。为实现时序灵活配置,采用一种基于边沿检测的自同步环路来产生频率和相位均可变的内部时钟;为降低整个ADC静态功耗,可调节延迟单元用于合理分配子ADC和增益级的工作时间;三级电... 详细信息

设计了一种基于异步时序的两级Pipelined-SAR模数转换器。为实现时序灵活配置,采用一种基于边沿检测的自同步环路来产生频率和相位均可变的内部时钟;为降低整个ADC静态功耗,可调节延迟单元用于合理分配子ADC和增益级的工作时间;三级电荷泵用于设计增益级,从而降低设计难度并进一步降低功耗。最终,该14 bit异步时序ADC在0.18μm CMOS工艺下设计并仿真。后仿真结果表明,在采样速率为10 kS/s时,该ADC的SNDR为83.5 dB,功耗为2.39μW,FoM_(s)值为176.7 dB。

关键词：异步时序流水线SAR-ADC 电荷泵边沿检测

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N极性GaN/AlGaN异质结二维电子气模拟

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物理学报 2014年第8期63卷 9-16页

作者：王现彬赵正平冯志红河北工业大学信息工程学院天津300130 专用集成电路国家级重点实验室石家庄050051

通过自洽求解薛定谔方程和泊松方程,较系统地研究了GaN沟道层、AlGaN背势垒层、Si掺杂和AlN插入层对N极性GaN/AlGaN异质结中二维电子气(2DEG)的影响,分析表明,GaN沟道层厚度、AlGaN背势垒层厚度及Al组分变大都能一定程度上提高二维电子... 详细信息

通过自洽求解薛定谔方程和泊松方程,较系统地研究了GaN沟道层、AlGaN背势垒层、Si掺杂和AlN插入层对N极性GaN/AlGaN异质结中二维电子气(2DEG)的影响,分析表明,GaN沟道层厚度、AlGaN背势垒层厚度及Al组分变大都能一定程度上提高二维电子气面密度,AlGaN背势垒层的厚度和Al组分变大也可提高二维电子气限阈性,且不同的Si掺杂形式对二维电子气的影响也有差异,而AlN插入层在提高器件二维电子气面密度、限阈性等方面表现都较为突出,在模拟中GaN沟道层厚度小于5nm时无法形成二维电子气,超过20nm后二维电子气面密度趋于饱和,而AlGaN背势垒厚度超过40nm后二维电子气也有饱和趋势,对均匀掺杂和delta掺杂而言AlGaN背势垒层Si掺杂浓度超过5×10^(19)cm^(-3)后2DEG面密度开始饱和,而厚度为2nmAlN插入层的引入会使2DEG面密度从无AlN插入层时的0.93×10^(13)cm^(-2)提高到1.17×10^(13)cm^(-2)。

关键词： N极性 GaN/AlGaN异质结二维电子气限阈性

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SAR ADC中一种比较器失调和噪声容忍的模型

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电子科技大学学报 2014年第5期43卷 669-673页

作者：高俊枫李梁李广军李强郭志勇电子科技大学通信专用集成电路工程中心成都611731 模拟集成电路国家重点实验室重庆南岸区400060

提出了一种针对逐次逼近型(SAR)模数转换器(ADC)中比较器失调和噪声容忍的低功耗模型。该模型在前n-m-1个比较周期引入一个快速低功耗的"差"比较器,从而减少高性能大功耗的"好"比较器的工作周期,并且通过第m+2周期... 详细信息

提出了一种针对逐次逼近型(SAR)模数转换器(ADC)中比较器失调和噪声容忍的低功耗模型。该模型在前n-m-1个比较周期引入一个快速低功耗的"差"比较器,从而减少高性能大功耗的"好"比较器的工作周期,并且通过第m+2周期的冗余电容和正常比较器的输出修正低功耗比较器的误差,从而实现单个"好"比较器工作时的性能。模型的容忍能力达到±2m LSB(最小权重位)。基于该模型,在0.13μm CMOS(互补金属氧化物半导体)工艺下设计并仿真了一个10位100 MS/s SAR ADC。版图提取参数后仿真得到SAR ADC在1.2 V电源下能够达到9.27位有效位数(ENOB),以及2.01 mW的功耗和33 fJ/conv的品质因数(FoM)。

关键词：低功耗电子噪声容忍失调容忍逐次逼近型模数转换器

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单密勒电容补偿多级放大器的设计(英文)

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重庆邮电大学学报（自然科学版） 2009年第5期21卷 617-621页

作者：周玮吴贵能李儒章重庆邮电大学重庆400065 模拟集成电路国家级重点实验室重庆400060

提出了一种结构简单的全新单密勒电容补偿技术。理论分析表明,该技术无需运放的跨导逐级增加就能获得良好的稳定特性,而且单位增益带宽大、补偿电容小。特别是每增加一级放大电路,就会增加一个左半平面零点,从而有效抵消新增加极点对运... 详细信息

提出了一种结构简单的全新单密勒电容补偿技术。理论分析表明,该技术无需运放的跨导逐级增加就能获得良好的稳定特性,而且单位增益带宽大、补偿电容小。特别是每增加一级放大电路,就会增加一个左半平面零点,从而有效抵消新增加极点对运放稳定性的影响,因此该补偿技术很容易拓展到N(N>3)级联放大结构,这一特性有利于运放在实际中的运用。

关键词：多级运算放大器嵌套式密勒补偿嵌套式Gm-C补偿单密勒电容补偿

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Si衬底上5.1W/mm功率密度的GaN HEMT

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Journal of Semiconductors 2007年第12期28卷 1949-1951页

作者：冯志宏尹甲运袁凤坡刘波梁栋默江辉张志国王勇冯震李效白杨克武蔡树军专用集成电路国家级重点实验室石家庄050051

利用MOCVD技术在Si(111)衬底上生长了高质量的GaNHEMT材料.1μm厚GaN外延层XRD(002)摇摆曲线半高宽573″,(102)摇摆曲线半高宽668″.通过插入层技术实现2μm厚GaNHEMT材料无裂纹,室温二维电子气迁移率1350cm2/(V.s),方块电阻328Ω/□.1m... 详细信息

利用MOCVD技术在Si(111)衬底上生长了高质量的GaNHEMT材料.1μm厚GaN外延层XRD(002)摇摆曲线半高宽573″,(102)摇摆曲线半高宽668″.通过插入层技术实现2μm厚GaNHEMT材料无裂纹,室温二维电子气迁移率1350cm2/(V.s),方块电阻328Ω/□.1mm栅宽GaN微波功率器件饱和电流大于0.8A/mm,跨导大于250mS/mm,2GHz下最大连续波输出功率5.1W,增益9.1dB,附加效率达到35%.

关键词： si衬底 GaN HEMT XRD半高宽二维电子气迁移率功率密度

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基于自对准和空气桥工艺的SiGe HBT研究

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西安电子科技大学学报 2005年第3期32卷 432-434,488页

作者：刘道广郝跃徐世六李开成刘玉奎刘嵘侃张静胡辉勇李培咸张晓菊徐学良西安电子科技大学微电子研究所陕西西安710071 国家模拟集成电路重点实验室

采用基区及发射区自对准和空气桥技术,降低了SiGe异质结晶体管器件的基极电阻及集电极和基极之间的结电容,提高了SiGe异质结晶体管器件的最高振荡频率fmax.以分子束外延SiGe材料为基础,研制出了SiGe异质结晶体管器件,取得了fmax为124.2... 详细信息

采用基区及发射区自对准和空气桥技术,降低了SiGe异质结晶体管器件的基极电阻及集电极和基极之间的结电容,提高了SiGe异质结晶体管器件的最高振荡频率fmax.以分子束外延SiGe材料为基础,研制出了SiGe异质结晶体管器件,取得了fmax为124.2GHz的结果.

关键词：自对准最高振荡频率 SiGe合金材料

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硅基MEMS渐变式缝隙天线(英文)

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光学精密工程 2009年第6期17卷 1333-1337页

作者：侯芳朱健郁元卫陈辰南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室江苏南京210016

为了增加天线带宽,提高天线机械稳定性,改善天线性能,提出并设计制作了一种工作在35GHz的硅基MEMS渐变式缝隙天线。针对渐变式缝隙天线在毫米波频段介电常数高、衬底极薄、易碎、不易制作等问题,利用ICP深刻蚀工艺在衬底上形成了周期性... 详细信息

为了增加天线带宽,提高天线机械稳定性,改善天线性能,提出并设计制作了一种工作在35GHz的硅基MEMS渐变式缝隙天线。针对渐变式缝隙天线在毫米波频段介电常数高、衬底极薄、易碎、不易制作等问题,利用ICP深刻蚀工艺在衬底上形成了周期性通孔阵列,从而减小了衬底有效介电常数,增加了衬底厚度,同时利用共面波导-槽线对该天线进行馈电。仿真结果表明,该天线带宽为28.2%,增益为8.7dB。采用微机械工艺对该天线进行加工,测得其带宽为13.2%。与传统天线相比,该天线进一步提高了天线衬底的机械稳定性,增加了天线带宽,且易于集成。

关键词：微机电系统渐变式缝隙天线 CPW馈电

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Si面4H-SiC衬底上外延石墨烯近平衡态制备

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物理学报 2014年第3期63卷 407-412页

作者：蔚翠李佳刘庆彬蔡树军冯志红中国电子科技集团公司第十三研究所专用集成电路国家级重点实验室石家庄050051

SiC热解法是制备大面积、高质量石墨烯的理想选择之一.外延石墨烯的晶体质量仍是制约其应用的关键因素之一.本文通过SiC热解法在4H-SiC(0001)衬底上制备单层外延石墨烯.通过引入氩气惰性气氛和硅蒸气,使SiC衬底表面的Si原子升华与返回... 详细信息

SiC热解法是制备大面积、高质量石墨烯的理想选择之一.外延石墨烯的晶体质量仍是制约其应用的关键因素之一.本文通过SiC热解法在4H-SiC(0001)衬底上制备单层外延石墨烯.通过引入氩气惰性气氛和硅蒸气,使SiC衬底表面的Si原子升华与返回概率接近平衡,外延石墨烯生长速率大大减慢,单层石墨烯的生长时间从15 min延长至75 min.测试分析表明,生长速率减慢,外延石墨烯中缺陷减少,晶体质量提高,使得外延石墨烯的电性能都得到改善,单层外延石墨烯的最高载流子迁移率达到1200 cm2/V·s,方阻604?/.以上结果表明,控制生长气氛,减慢生长速率是实现高质量外延石墨烯的可行途径之一.

关键词：生长外延石墨烯平衡态晶体质量

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基波平衡原理的推广

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固体电子学研究与进展 2008年第1期28卷 57-62页

作者：黄炳华陈辰韦善革黎彬广西大学电气工程学院南宁530004 单片集成电路和模块国家级重点实验室南京210016

注入网络的基波电流iS1=0。则可由Gi(Um,ωS)=0和Bi(Um,ωS)=0求出基波解的频率和幅值(ωS,Um)。如果有n对合理的正实数(ωSi,Umi,i=1,2,3….n≠∞),同时满足式Gi=0和Bi=0,则原网络会对应地建立n个周期振荡。以上情况被称为基波解严格... 详细信息

注入网络的基波电流iS1=0。则可由Gi(Um,ωS)=0和Bi(Um,ωS)=0求出基波解的频率和幅值(ωS,Um)。如果有n对合理的正实数(ωSi,Umi,i=1,2,3….n≠∞),同时满足式Gi=0和Bi=0,则原网络会对应地建立n个周期振荡。以上情况被称为基波解严格存在。若由式Gi≤0,Bi≤0解出的频率和幅值有无限多组解(ωS,Um),分布在一定连续较广范围内,这表明基波解不但在更加广泛的范围内存在,且有向负载送出实功与虚功的能力。含多个平衡点的非线性网络,能够在相空间建立多个座标体系分析网络的全局稳定性。不同的参考体系,应得出相同的结论。但用多个不同的座标体系能够发现相图性状的变化规律。

关键词：非线性虚功功率极限环多谐振荡器

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