检索结果-内蒙古大学图书馆

600 V-30 A 4H-SiC肖特基二极管作为IGBT续流二极管的研究

固体电子学研究与进展 2010年第2期30卷 292-296页

作者：李宇柱倪炜江李哲洋李赟陈辰陈效建南京电子器件研究所单片集成电路和模块国家级重点实验室南京210016

采用碳化硅外延和器件工艺制造了碳化硅肖特基(SBD)二极管,耐压超过600 V。正向压降为1.6 V时,器件电流达到30A。作为IGBT续流二极管,600 V碳化硅肖特基二极管和国际整流器公司的600 V超快恢复二极管(Ultra fast diode)进行了对比:125℃... 详细信息

采用碳化硅外延和器件工艺制造了碳化硅肖特基(SBD)二极管,耐压超过600 V。正向压降为1.6 V时,器件电流达到30A。作为IGBT续流二极管,600 V碳化硅肖特基二极管和国际整流器公司的600 V超快恢复二极管(Ultra fast diode)进行了对比:125℃IGBT模块动态开关测试中,碳化硅二极管的反向恢复能耗比硅二极管节省90%,相应的IGBT开通能耗节省30%。另外反向恢复中过电压从40%降为10%,这是由于碳化硅的软度高,提高了模块的可靠性。

关键词： 4H碳化硅肖特基二极管快恢复二极管软度

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伽玛辐照对SiGe异质结双极型晶体管的集电极电流和厄尔利电压的影响(英文)

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强激光与粒子束 2011年第2期23卷 545-549页

作者：温景超石瑞英龚敏唐龙谷田野谭开州蒲林四川大学物理科学与技术学院成都610064 微电子技术四川省重点实验室成都610064 模拟集成电路国家重点实验室重庆400060

研究了伽玛辐照效应对SiGe异质结双极型晶体管的集电极电流和厄尔利电压的影响。经过104Gy的伽玛总剂量辐照后,集电极电流和厄尔利电压均增加。另外,辐照后发射结和极电结的开启电压和击穿电压也均有一定程度的减小。以上这些变化均是... 详细信息

研究了伽玛辐照效应对SiGe异质结双极型晶体管的集电极电流和厄尔利电压的影响。经过104Gy的伽玛总剂量辐照后,集电极电流和厄尔利电压均增加。另外,辐照后发射结和极电结的开启电压和击穿电压也均有一定程度的减小。以上这些变化均是由于辐照产生的缺陷引起发射区和集电区有效掺杂浓度减小所致。

关键词：异质结双极型晶体管自建电势掺杂浓度集电极电流厄尔利电压伽玛辐照

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X波段GaN单片电路低噪声放大器

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固体电子学研究与进展 2011年第1期31卷 16-19页

作者：周建军彭龙新孔岑李忠辉陈堂胜焦刚李建平单片集成电路和模块国家级重点实验室南京电子器件研究所南京210016

采用0.25μm GaN HEMT制备工艺在AlGaN/GaN异质结材料上研制了高性能X波段GaN单片电路低噪声放大器。GaN低噪声单片电路采取两级微带线结构,10 V偏压下芯片在X波段范围内获得了低于2.2 dB的噪声系数,增益达到18 dB以上,耐受功率达到了27... 详细信息

采用0.25μm GaN HEMT制备工艺在AlGaN/GaN异质结材料上研制了高性能X波段GaN单片电路低噪声放大器。GaN低噪声单片电路采取两级微带线结构,10 V偏压下芯片在X波段范围内获得了低于2.2 dB的噪声系数,增益达到18 dB以上,耐受功率达到了27 dBm。在耐受功率测试中发现GaN低噪声HEMT器件存在一定的恢复效应,并进行了相应讨论。

关键词：低噪声放大器微波单片集成电路氮化镓高迁移率晶体管

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超大机电耦合系数声波谐振器的研究

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压电与声光 2021年第3期43卷 328-330,335页

作者：张小德王华磊李儒章钟慧石玉电子科技大学电子科学与工程学院四川成都610054 模拟集成电路重点实验室(国家级) 重庆400060

该文研究了Pb(In_(1/2)Nb_(1/2))O_(3)-Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_(3)-PbTiO_(3)(PIN-PMN-PT)基片上声表面波(SAW)的传播特性。利用COMSOL软件建立SAW谐振器三维模型并进行模拟仿真。通过优化谐振器参数,设计了一种具有超大机电耦合系数(K^... 详细信息

关键词：声表面波(SAW) PIN-PMN-PT COMSOL SH_(0)模态机电耦合系数

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5Gb／s单片集成光接收机前端模拟仿真及研制

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光电工程 2008年第11期35卷 29-32,72页

作者：范超陈堂胜陈辰焦世龙陈镇龙刘霖王昱琳叶玉堂电子科技大学光电信息学院成都610054 单片集成电路与模块国家级重点实验室南京210016

基于0.5μmGaAs PHEMT标准工艺研制了850nm单片集成光接收机前端,集成方式为PIN光探测器和跨阻放大器。论文依据已发表的文献数据为基础并借助SILVACO公司的模拟软件建立探测器模型,实验结果表明,模型和实测结果对比有较好的一致性。光... 详细信息

基于0.5μmGaAs PHEMT标准工艺研制了850nm单片集成光接收机前端,集成方式为PIN光探测器和跨阻放大器。论文依据已发表的文献数据为基础并借助SILVACO公司的模拟软件建立探测器模型,实验结果表明,模型和实测结果对比有较好的一致性。光接收机最高工作速率5Gb/s,其中,探测器光敏面直径50μm,电容0.51pF,暗电流小于30nA。跨阻放大器-3dB带宽接近10GHz,跨阻增益约43dBΩ,最小等效输入噪声电流密度约为17.6pA/Hz1/2。

关键词：光电集成电路 PHEMT PIN 跨阻放大器 ATLAS

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新型Al组分渐变结构的N极性GaN基HEMT中二维电子气研究

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真空科学与技术学报 2014年第12期34卷 1341-1346页

作者：王现彬王元刚房玉龙冯志红赵正平河北工业大学信息工程学院天津300130 专用集成电路国家级重点实验室石家庄050051

提出了一种含有Al N插入层的新型Al组分渐变的N极性Ga N基高电子迁移率晶体管(HEMT)结构,并通过自洽求解一维薛定谔方程和泊松方程,仿真研究了该新型N极性HEMT结构的二维电子气特性。结果表明采用该新型N极性HEMT结构其体载流子浓度峰... 详细信息

提出了一种含有Al N插入层的新型Al组分渐变的N极性Ga N基高电子迁移率晶体管(HEMT)结构,并通过自洽求解一维薛定谔方程和泊松方程,仿真研究了该新型N极性HEMT结构的二维电子气特性。结果表明采用该新型N极性HEMT结构其体载流子浓度峰值与普通Al组分渐变N极性HEMT结构相比提高了12%。同时定义了Al组分从大到小渐变层和从小到大渐变层厚度之比R及最大值xmax,仿真表明二维电子气面密度随R增大而减小,而xmax超过0.4后二维电子气面密度出现饱和趋势。

关键词： N极性 GaN/AlGaN 异质结 AlN插入层 Al组分渐变

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4H-SiC MESFET结构外延生长技术

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Journal of Semiconductors 2007年第Z1期28卷 379-381页

作者：李哲洋董逊柏松陈刚陈堂胜陈辰南京电子器件研究所单片集成电路和模块国家级重点实验室南京210016 南京电子器件研究所单片集成电路和模块国家级重点实验室南京210016 南京电子器件研究所单片集成电路和模块国家级重点实验室南京210016 南京电子器件研究所单片集成电路和模块国家级重点实验室南京210016 南京电子器件研究所单片集成电路和模块国家级重点实验室南京210016 南京电子器件研究所单片集成电路和模块国家级重点实验室南京210016

利用热壁式CVD技术生长4H-SiC MESFET结构外延材料,TMA和氮气分别用作p型和n型掺杂源.外延层厚度使用SEM进行表征,SIMS及汞探针C-V用作外延层掺杂浓度测试.通过优化生长参数,成功生长出高质量的MESFET结构外延材料并获得陡峭的过渡掺杂... 详细信息

利用热壁式CVD技术生长4H-SiC MESFET结构外延材料,TMA和氮气分别用作p型和n型掺杂源.外延层厚度使用SEM进行表征,SIMS及汞探针C-V用作外延层掺杂浓度测试.通过优化生长参数,成功生长出高质量的MESFET结构外延材料并获得陡峭的过渡掺杂曲线,并给出了部分器件测试结果.

关键词： 4H-SiC MESFET SEM SIMS 汞探针C-V

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基于MBE的SiGe非选择性图形外延技术研究

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微电子学 2008年第1期38卷 93-95页

作者：韩春李竞春谭开洲张静电子科技大学微电子与固体电子学院成都610054 模拟集成电路国家级重点实验室

针对siGe BiCMOS集成中材料低温特性和高温工艺的矛盾，研究了一种基于MBE的SiGe非选择性图形外延技术，并进行了扫描电子显微镜（SEM）、原子力显微镜（AFM）、X射线双晶衍射（XRD）与位错密度测试。结果表明，该生长工艺制得了高质量S... 详细信息

针对siGe BiCMOS集成中材料低温特性和高温工艺的矛盾，研究了一种基于MBE的SiGe非选择性图形外延技术，并进行了扫描电子显微镜（SEM）、原子力显微镜（AFM）、X射线双晶衍射（XRD）与位错密度测试。结果表明，该生长工艺制得了高质量SiGe薄膜，其表面平均粗糙度为0．45nm，位错密度为0．3×10^3cm^-2～1．2×10^3cm^-2，图形边界处材料生长良好，未出现位错堆积。实验证实，该技术可满足SiGe BiCMOS器件制备要求。

关键词： SiGe BiCMOS 非选择性图形外延 MBE

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SiGe HBT基区渡越时间与基区Ge组分剖面优化

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西安电子科技大学学报 2000年第3期27卷 305-308页

作者：张鹤鸣戴显英林大松孙建诚何林西安电子科技大学微电子所陕西西安710071 模拟集成电路国家重点实验室重庆400060

建立了SiGeHBT基区渡越时间与基区Ge组分任意剖面分布的分析模型 ,模拟分析了它们之间的关系 ,得到了获得最小基区渡越时间的基区Ge组分剖面函数 .结果表明 ,优化的Ge组分剖面在基区从发射结处正比于 xα 增加 ,到x0 点时 ,Ge组分达峰... 详细信息

建立了SiGeHBT基区渡越时间与基区Ge组分任意剖面分布的分析模型 ,模拟分析了它们之间的关系 ,得到了获得最小基区渡越时间的基区Ge组分剖面函数 .结果表明 ,优化的Ge组分剖面在基区从发射结处正比于 xα 增加 ,到x0 点时 ,Ge组分达峰值 ,并保持到收集结处 .α是大于 1的数 ,随基区中收集结侧相对发射结侧禁带变化量的增加而减小 ,x0

关键词： HBT 组分剖面基区渡越时间锗化硅

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导通和半绝缘衬底上的SiC MESFET

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Journal of Semiconductors 2007年第Z1期28卷 382-384页

作者：柏松陈刚李哲洋张涛汪浩蒋幼泉南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室南京210016 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室南京210016 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室南京210016 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室南京210016 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室南京210016 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室南京210016

分别在导通和半绝缘4H-SiC衬底上外延生长了MESFET结构并制成器件.两种衬底上的SiC MESFET具有类似的直流特性,饱和电流为350mA/mm,最大跨导为25～30mS/mm,击穿电压大于120V.导通衬底上的SiC MESFET在2GHz 50V工作时饱和输出功率为1.75W... 详细信息

分别在导通和半绝缘4H-SiC衬底上外延生长了MESFET结构并制成器件.两种衬底上的SiC MESFET具有类似的直流特性,饱和电流为350mA/mm,最大跨导为25～30mS/mm,击穿电压大于120V.导通衬底上的SiC MESFET在2GHz 50V工作时饱和输出功率为1.75W;在相同条件下半绝缘衬底的SiC MESFET饱和输出功率为3.38W,64V工作时最大输出功率超过4W.缓冲层参数的不同是造成微波性能差异的主要原因.

关键词：碳化硅导通衬底半绝缘衬底 MESFET 微波功率

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