随着通信技术升级以及5G通信应用的驱动,各种智能设备所需的滤波器数量激增,促进了滤波器市场的繁荣,但对其性能要求也越来越高,例如大带宽、高频率、高功率容量、微型化、集成化以及低成本等指标是学术界与产业界重点关注的方向,而基于薄膜体声波谐振器(Thin Film Bulk Acoustic Resonator,FBAR)技术的FBAR滤波器已成为最有前景的滤波器之一。另外,当前空腔型FBAR滤波器已取得了一定的商业成功,但是仍面临性能不足、工艺复杂、成本略高、技术受限等困境。为此,本文试图从器件理论研究与结构优化、高性能压电材料制备与优化、新型工艺开发及技术融合三方面对FBAR滤波器的相关问题与关键技术进行综述,旨在为该研究领域的学者梳理FBAR滤波器技术进阶与迭代的脉络,以期为未来研究的路径与方向提供若干启发性思考。
本研究提出了一种基于连续域束缚态(bound states in the continuum,BIC)的全介质太赫兹超表面。超表面的每个结构单元由两个横截面为正方形的矩形块和衬底组成。衬底材料为石英,表面矩形块材料为无折射率损耗的硅。矩形块横截面面积的...
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本研究提出了一种基于连续域束缚态(bound states in the continuum,BIC)的全介质太赫兹超表面。超表面的每个结构单元由两个横截面为正方形的矩形块和衬底组成。衬底材料为石英,表面矩形块材料为无折射率损耗的硅。矩形块横截面面积的改变破坏了超表面的对称性,激发了准BIC,得到了具有极窄线宽的谐振。采用有限元方法(finite element method,FEM)和控制变量法研究了不同非对称参数、结构参数和材料参数下的透射光谱。同时,对所提出的超表面的Q值进行了计算,其Q值可达1.1006×10^(4),高于列出的相关文献中的Q值。此外,该研究针对目前对全介质超表面等效参数的研究相对较少的局限性,利用S参数提取法计算并分析了所提出的超表面的等效参数,并从该角度初步研究了超表面的物理性质。
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