检索结果-内蒙古大学图书馆

微电子学 2018年第6期48卷 784-790,801页

作者：陈光炳模拟集成电路国家重点实验室重庆400060

基于国际公开发表的逐次逼近型A/D转换器(SAR ADC)技术论文,总结了不同架构下高性能SAR结构A/D转换器的技术特点。分析了SAR ADC中主要模块的关键技术,包括高速高线性采样开关技术、高速低功耗比较器技术、高速旁路SAR逻辑技术,以及相... 详细信息

基于国际公开发表的逐次逼近型A/D转换器(SAR ADC)技术论文,总结了不同架构下高性能SAR结构A/D转换器的技术特点。分析了SAR ADC中主要模块的关键技术,包括高速高线性采样开关技术、高速低功耗比较器技术、高速旁路SAR逻辑技术,以及相关技术在电路级实现时需要考虑的因素。针对SAR ADC的主要模块,介绍了近年来新技术的改进方法。这些高性能低功耗SAR ADC新技术及发展动态的综述对设计者可提供有益的帮助。

关键词： SAR结构A/D转换器低功耗高性能

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一种专用可重配置的FPGA嵌入式存储器模块的设计和实现

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电子学报 2012年第2期40卷 215-222页

作者：余慧王健复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室

本文设计了一种满足FPGA芯片专用定制需求的嵌入式可重配置存储器模块.一共8块,每块容量为18Kbits的同步双口BRAM,可以配置成16K×1bit、8K×2bits、4K×4bits、2K×9bits、1K×18bits、512×36bits六种不同的... 详细信息

本文设计了一种满足FPGA芯片专用定制需求的嵌入式可重配置存储器模块.一共8块,每块容量为18Kbits的同步双口BRAM,可以配置成16K×1bit、8K×2bits、4K×4bits、2K×9bits、1K×18bits、512×36bits六种不同的位宽工作模式;write-first、no-change两种不同的写入模式.多个BRAM还可以通过FPGA中互连电路的级联来实现深度或宽度的扩展.本文重点介绍实现可重配置功能的电路及BRAM嵌入至FPGA中的互连电路.采用SMIC 0.13μm 8层金属CMOS工艺,产生FDP-II芯片的完整版图并成功流片,芯片面积约为4.5mm×4.4mm.运用基于March C+算法的MBIST测试方法,软硬件协同测试,结果表明FDP-II中的BRAM无任何故障,可重配置功能正确,证实了该存储器模块的设计思想.

关键词：嵌入式存储器可重配置 FPGA 互连灵敏放大器

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基于微流控原理的液体粘度测量方法研究

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仪器仪表学报 2018年第5期39卷 188-194页

作者：杜林周嘉复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室

针对传统粘度测量装置体积庞大,检测精度不高,不能满足液体粘度抽检时的快速高效要求的问题,以对称腔体、共用通道和T型管道等结构设计了一种液体粘度测量装置。并基于微流控技术的原理,推导得出待测液体液滴形成频率和其粘度的关系,在... 详细信息

针对传统粘度测量装置体积庞大,检测精度不高,不能满足液体粘度抽检时的快速高效要求的问题,以对称腔体、共用通道和T型管道等结构设计了一种液体粘度测量装置。并基于微流控技术的原理,推导得出待测液体液滴形成频率和其粘度的关系,在微流量泵流量速度为2.4 m L/h的条件下,分别对不同粘度的油和乙醇溶液进行了测试。实验结果表明,通过油滴形成频率可以测量未知液体的粘度值,且可靠性更高,粘度测量的平均相对误差为3.52%,满足实际使用中的粘度测量要求。

关键词：微流控泊肃叶定律粘度测量频率检测

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针对SoC系统的Cache攻击方法及建模分析

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计算机研究与发展 2011年第6期48卷 955-963页

作者：张随欲韩军卢仕听曾晓洋复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室

针对SoC平台,提出并实现了一种高效的基于Cache的AES旁道攻击方法.该方法利用AES软件运行过程中查找表操作泄漏的时间信息,结合AES算法前两轮的特征,快速确定攻击表与AES查找表间的映射关系,并最终恢复出全部128b密钥.基于此攻击方法,... 详细信息

针对SoC平台,提出并实现了一种高效的基于Cache的AES旁道攻击方法.该方法利用AES软件运行过程中查找表操作泄漏的时间信息,结合AES算法前两轮的特征,快速确定攻击表与AES查找表间的映射关系,并最终恢复出全部128b密钥.基于此攻击方法,在充分考虑各种系统噪声影响的情况下,进一步提出了一种统计分析模型.该模型揭示了上述攻击方法的内在机理,并能够较为准确地估算攻击所需的最小样本数.该模型的重要意义在于不仅可以用来衡量特定SoC系统的抗攻击能力,同时为抗攻击研究指明了方向.

关键词： SoC 高速缓存高级加密标准抗噪声能力抗攻击方法

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金属-氧化物-半导体硅发光器件在集成电路中的应用前景

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物理学报 2019年第16期68卷 85-90页

作者：张宁徐开凯陈彦旭朱坤峰赵建明于奇电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室成都610054 中国电子科技集团公司模拟集成电路国家级重点实验室重庆400060

集成硅光电子学的目的之一就是为大众市场创造应用广泛、成本低廉的光子互连工具.随着摩尔定律逼近理论极限,集成芯片的金属互连越来越跟不上芯片体积微型化、频率高速化和功耗分配精益化的需求.本文基于硅基发光器件的发展历程,详细论... 详细信息

集成硅光电子学的目的之一就是为大众市场创造应用广泛、成本低廉的光子互连工具.随着摩尔定律逼近理论极限,集成芯片的金属互连越来越跟不上芯片体积微型化、频率高速化和功耗分配精益化的需求.本文基于硅基发光器件的发展历程,详细论证了金属-氧化物-半导体结构硅发光器件在未来集成电路中的合理应用,提出了全硅光电集成电路在理论和工艺上的可行性.这种电路突破了传统芯片电互连码之间串扰的瓶颈,改善之后的互连速度理论可达光速,有望成为新一代集成芯片的主流.

关键词：硅光电子学光互连光源

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双极器件的快中子辐照损伤