检索结果-内蒙古大学图书馆

材料科学 2022年第5期12卷 481-499页

作者：陈星宇何柏桐贺涛王江涌徐从康汕头大学半导体材料与器件研究中心广东汕头汕头大学物理系广东汕头

随着柔性电子器件的高速发展,特别是有机发光二极管(OLED)和有机光电池(OPV)的商品化,极大推动了柔性封装超高阻隔膜的发展。本文从早期的阻隔膜到当前柔性超高阻隔膜的发展历程进行了评述,介绍了目前研发超高阻隔膜的设计原理和制备超... 详细信息

随着柔性电子器件的高速发展,特别是有机发光二极管(OLED)和有机光电池(OPV)的商品化,极大推动了柔性封装超高阻隔膜的发展。本文从早期的阻隔膜到当前柔性超高阻隔膜的发展历程进行了评述,介绍了目前研发超高阻隔膜的设计原理和制备超高阻隔膜的工艺技术,并对已广泛应用于特殊包装领域的柔性超高阻隔的发展、应用方向及制备技术提出了展望。随着柔性电子产品的发展,必将对超高阻隔薄膜提出更高的要求,越来越多的研究成果和新型合成工艺将投入到市场中去。未来超高阻隔薄膜会在生产成本、工艺效率、阻隔性能方向上有新的突破。

关键词：超高阻隔膜合成工艺当前应用发展现状

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卷对卷电子束蒸镀高阻隔膜研究进展

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材料科学 2022年第9期12卷 912-925页

作者：陈捷豪贺涛陈星宇马赛刘莹王江涌徐从康汕头大学物理系广东汕头汕头大学半导体材料与器件中心广东汕头

卷对卷电子束蒸发作为优秀的高阻隔膜制备工艺技术,兼顾了制备薄膜的致密性和高速成膜,受到国外各大高阻隔膜产商的青睐,然而,国内的卷对卷电子束蒸发高阻隔膜产业尚未形成,相关的研究也远落后于国外。本文对电子枪技术的发展、应用现状... 详细信息

卷对卷电子束蒸发作为优秀的高阻隔膜制备工艺技术,兼顾了制备薄膜的致密性和高速成膜,受到国外各大高阻隔膜产商的青睐,然而,国内的卷对卷电子束蒸发高阻隔膜产业尚未形成,相关的研究也远落后于国外。本文对电子枪技术的发展、应用现状,以及对卷对卷电子束蒸发技术进行了介绍,并对卷对卷电子束制备高阻隔膜的关键技术工艺的现状进行了综述,对国产卷对卷电子束蒸镀高阻隔膜的发展进行了展望。

关键词：电子束高阻隔膜卷对卷发展现状

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三种溅射深度剖析定量分析模型解析表达式的比较

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真空 2023年第3期60卷 24-41页

作者：钟凤敏王穗鹏郑锦权杨浩 Siegfried Hofmann 徐从康王江涌汕头大学物理系广东汕头515063 马克斯普朗克智能系统研究所德国斯图加特D-70569 汕头大学半导体材料与器件研究中心广东汕头515063

本文系统地讨论了三种广泛应用于溅射深度剖析定量分析的原子混合-粗糙度-信息深度(MRI)模型、上下坡(UDS)模型与粗糙度-级联混合-反冲注入(RMR)模型的解析表达式。先从定义、公式推导、仿真结果分析三方面逐一分析了这三种模型对应的... 详细信息

本文系统地讨论了三种广泛应用于溅射深度剖析定量分析的原子混合-粗糙度-信息深度(MRI)模型、上下坡(UDS)模型与粗糙度-级联混合-反冲注入(RMR)模型的解析表达式。先从定义、公式推导、仿真结果分析三方面逐一分析了这三种模型对应的剖面特征,再通过其对应的深度分辨率子函数、深度分辨率函数、分析膜层厚度的解析表达式以及实验数据的拟合,将三种模型进行了细致的比较。最后解释了上下坡模型存在的不足,纠正了粗糙度-级联混合-反冲注入模型存在的错误描述,实测/模拟深度剖面的动态特性验证了原子混合-粗糙度-信息深度模型的可靠性和优越性。

关键词：深度剖析定量分析原子混合-粗糙度-信息深度模型上下坡模型粗糙度-级联混合-反冲注入模型解析表达式动态特性

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辉光放电发射光谱高分辨率深度谱的定量分析

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材料研究与应用 2021年第5期15卷 474-485,I0002页

作者：杨浩马泽钦蒋洁李镇舟宋一兵王江涌徐从康汕头大学理学院物理系广东汕头515063 汕头大学理学院化学系广东汕头515063 汕头大学理学院数学系广东汕头515063 汕头大学半导体材料与器件研究中心广东汕头515063

介绍了辉光放电发射光谱仪(GDOES)的发展和应用领域,以及测量深度谱定量分析的MRI模型。主要对单晶硅表面自然氧化的SiO2层、单层硫脲分子和Mo/B4C/Si多层光学膜进行了GDOES高分辨率深度谱的定量分析,由此获得了膜层结构、界面粗糙度及... 详细信息

介绍了辉光放电发射光谱仪(GDOES)的发展和应用领域,以及测量深度谱定量分析的MRI模型。主要对单晶硅表面自然氧化的SiO2层、单层硫脲分子和Mo/B4C/Si多层光学膜进行了GDOES高分辨率深度谱的定量分析,由此获得了膜层结构、界面粗糙度及元素溅射速率等定量信息。同时,对Mo/Si多层膜GDOES与SMIS深度分辨率进行了比较,最后展望了GDOES和MRI模型的发展趋势。

关键词：辉光放电发射光谱纳米多层膜深度剖析定量分析 MRI模型深度分辨率坑道效应粗糙度

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高分辨率钼/硅纳米多层膜TOF-SIMS和Pulsed-RF-GDOES深度谱的定量分析

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真空 2023年第1期60卷 17-22页

作者：马泽钦李海鸣庄妙霞李婷婷李镇舟蒋洁连松友王江涌徐从康汕头大学理学院物理系广东汕头515063 汕头大学理学院数学系广东汕头515063 广东省半导体材料与器件研究中心广东汕头515063

飞行时间二次离子质谱(TOF-SIMS)和脉冲射频辉光放电发射光谱(Pulsed-RF-GDOES)是两种重要的深度剖析技术,前者广泛应用于半导体工业的质量控制,后者主要应用于工业涂层及表面氧(氮)化层的分析。Mo/Si纳米多层膜由于其出色的反射特性被... 详细信息

飞行时间二次离子质谱(TOF-SIMS)和脉冲射频辉光放电发射光谱(Pulsed-RF-GDOES)是两种重要的深度剖析技术,前者广泛应用于半导体工业的质量控制,后者主要应用于工业涂层及表面氧(氮)化层的分析。Mo/Si纳米多层膜由于其出色的反射特性被广泛应用于纳米光刻、极紫外显微镜等领域。本文利用原子混合-粗糙度-信息深度(MRI)模型分辨率函数,通过卷积及反卷积方法分别对Mo(3.5nm)/Si(3.5nm)多层膜的TOF-SIMS和Pulsed-RF-GDOES深度谱数据进行了定量分析,获得了相应的膜层结构、膜层间界面粗糙度及深度分辨率等信息。结果表明:GDOES深度剖析产生了较大的溅射诱导粗糙度,SIMS的深度分辨率优于GDOES。

关键词： Pulsed-RF-GDOES TOF-SIMS MRI模型深度分辨率卷积反卷积

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稀土离子掺杂钙钛矿纳米材料的光学性质及光电应用研究

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应用技术学报 2023年第1期23卷 20-31页

作者：徐珂罗彬彬陈昆峰薛冬峰中国科学院深圳先进技术研究院先进材料科学与工程研究所多尺度晶体材料研究中心广东深圳518055 汕头大学化学化工学院广东汕头515063 山东大学新一代半导体材料研究院晶体材料国家重点实验室济南250100

金属卤化物钙钛矿材料具备可调的可见光谱区带隙、良好的载流子传输性能、长的电荷扩散长度、弱激子结合能、高吸收系数、高光电转化效率、高缺陷容忍度、良好的催化性能和简单的制备工艺等一系列独特的理化性质,使其在多种新兴光电技... 详细信息

金属卤化物钙钛矿材料具备可调的可见光谱区带隙、良好的载流子传输性能、长的电荷扩散长度、弱激子结合能、高吸收系数、高光电转化效率、高缺陷容忍度、良好的催化性能和简单的制备工艺等一系列独特的理化性质,使其在多种新兴光电技术领域备受关注。稀土离子具有丰富的4f能级跃迁效应,有望促使钙钛矿纳米材料的吸收、激发和发射,从而表现出范围宽且内涵丰富的量子行为和光电特性。面向实际光电应用的需求,稀土离子掺杂的钙钛矿纳米材料能够显著提升钙钛矿纳米材料的光电性质,解决钙钛矿纳米材料难以直接在近红外光区的应用,改善环境稳定性和含铅毒性的不足。总结了稀土离子掺杂钙钛矿纳米材料的结构性质、制备工艺、光学性质、稳定性及在光电领域应用的研究进展,并对其在新型光电技术领域的发展前景进行了展望。

关键词：钙钛矿稀土掺杂纳米材料光学性质光电应用

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