检索结果-内蒙古大学图书馆

电子元件与材料 2011年第8期30卷 67-71页

作者：刘培生仝良玉王金兰沈海军施建根罗向东南通大学江苏省专用集成电路设计重点实验室江苏南通226019 南通富士通微电子股份有限公司江苏南通226006

铜线键合技术近年来发展迅速,超细间距引线键合是目前铜线键合的主要发展趋势。介绍了铜线键合的防氧化措施以及键合参数的优化,并从IMC生长及焊盘铝挤出方面阐述了铜线键合的可靠性机理。针对铜线在超细间距引线键合中面临的问题,介绍... 详细信息

铜线键合技术近年来发展迅速,超细间距引线键合是目前铜线键合的主要发展趋势。介绍了铜线键合的防氧化措施以及键合参数的优化,并从IMC生长及焊盘铝挤出方面阐述了铜线键合的可靠性机理。针对铜线在超细间距引线键合中面临的问题,介绍了可解决这些问题的镀钯铜线的性能,并阐述了铜线的成弧能力及面临的挑战。

关键词：铜线键合 Pd-Cu线综述铜线弧铝挤出

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基于氮化铝薄膜的二维模态谐振器双模结构设计与仿真

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南通大学学报（自然科学版） 2024年第1期23卷 49-57页

作者：赵继聪王星宇孙海燕南通大学江苏省专用集成电路设计重点实验室江苏南通226019

基于氮化铝(aluminum nitride,AlN)压电薄膜的二维模态谐振器(two-dimensional-mode resonators,2DMR)由于其较高的有效机电耦合系数k^(2)_(eff)及其与集成电路工艺兼容等优势,引起了业内广泛的关注。然而,传统的2DMR只研究单谐振模态,... 详细信息

基于氮化铝(aluminum nitride,AlN)压电薄膜的二维模态谐振器(two-dimensional-mode resonators,2DMR)由于其较高的有效机电耦合系数k^(2)_(eff)及其与集成电路工艺兼容等优势,引起了业内广泛的关注。然而,传统的2DMR只研究单谐振模态,难以满足多模无线通信系统的需求。针对该问题,提出一种应用于5G new radio(5GNR)频段为2.6~3.4 GHz的二维模态(2DM)双模谐振器,通过合理设计电极宽度和电极周期,使得2个模态的品质因数Q和k^(2)_(eff)相当,实现了S1模态和高阶S1模态的有效激励。通过有限元方法研究分析了压电材料厚度及梳齿电极结构对2DMR双模谐振频率和k^(2)_(eff)的影响,S1模态谐振频率主要受压电材料厚度影响,高阶S1模态谐振频率在受压电材料厚度影响的同时还易受金属电极宽度影响。基于Al N压电薄膜中d_(33)和d_(31)压电系数的共同作用,所设计的2DMR中2个模态的k^(2)_(eff)分别达到3.1%和3.6%。随后,基于S1模态和高阶S1模态谐振处无杂散和高机电耦合性能,设计了含有50Ω阻抗匹配网络的双频带通滤波器,通过增加阶数提高器件的带外抑制。滤波器的2个传输频带相邻,无带内波纹且陡峭滚降,中心频率分别位于2.852和3.082 GHz,插入损耗分别为2.0和1.9 dB,分数带宽分别为29和39 MHz。研究结果说明了这种2DMR双模结构设计在射频前端极具应用潜力。

关键词：氮化铝压电谐振器二维模态双模有效机电耦合系数滤波器氮化铝滤波器

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硅通孔技术的发展与挑战

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电子元件与材料 2012年第12期31卷 76-80页

作者：刘培生黄金鑫仝良玉沈海军施建根南通大学江苏省专用集成电路设计重点实验室江苏南通226019 南通富士通微电子股份有限公司江苏南通226006

3D堆叠技术近年来发展迅速,采用硅通孔技术(TSV)是3D堆叠封装的主要趋势。介绍了3D堆叠集成电路、硅通孔互连技术的研究现状、TSV模型;同时阐述了TSV的关键技术与材料,比如工艺流程、通孔制作、通孔填充材料、键合技术等;最后分析了其... 详细信息

3D堆叠技术近年来发展迅速,采用硅通孔技术(TSV)是3D堆叠封装的主要趋势。介绍了3D堆叠集成电路、硅通孔互连技术的研究现状、TSV模型;同时阐述了TSV的关键技术与材料,比如工艺流程、通孔制作、通孔填充材料、键合技术等;最后分析了其可靠性以及面临的挑战。TSV技术已经成为微电子领域的热点,也是未来发展的必然趋势,运用它将会使电子产品获得高性能、低成本、低功耗和多功能性。

关键词：硅通孔三维封装综述高性能

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圆片级封装的研究进展

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电子元件与材料 2012年第1期31卷 68-72页

作者：刘培生仝良玉黄金鑫沈海军施建根朱海清南通大学江苏省专用集成电路设计重点实验室江苏南通226019 南通富士通微电子股份有限公司江苏南通226006

圆片级封装(wafer level package,WLP)因其在形状因数、电性能、低成本等方面的优势,近年来发展迅速。概述了WLP技术近几年的主要发展。首先回顾标准WLP结构,并从焊球结构等方面对其进行了可靠性分析。其次介绍了扩散式WLP工艺以及它的... 详细信息

圆片级封装(wafer level package,WLP)因其在形状因数、电性能、低成本等方面的优势,近年来发展迅速。概述了WLP技术近几年的主要发展。首先回顾标准WLP结构,并从焊球结构等方面对其进行了可靠性分析。其次介绍了扩散式WLP工艺以及它的典型应用,并说明了扩散式WLP存在的一些可靠性问题。最后总结了WLP技术结合硅通孔技术(TSV)在三维叠层封装中的应用。

关键词：圆片级封装标准WLP 综述扩散式WLP 3D叠层封装

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两种抑制载波双边带信号的载波提取方法比较

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南通大学学报（自然科学版） 2011年第1期10卷 10-15页

作者：陈联连孙玲南通大学江苏省专用集成电路设计重点实验室江苏南通226019

在介绍平方环和科斯塔斯环实现抑制载波双边带调制信号载波提取原理的基础上,基于Matlab中的Simulink组件,分别给出了两种方法进行该信号载波提取的具体过程,设置了合理的环路滤波器参数和VCO单元的控制灵敏度.通过仿真分析比较了两种... 详细信息

在介绍平方环和科斯塔斯环实现抑制载波双边带调制信号载波提取原理的基础上,基于Matlab中的Simulink组件,分别给出了两种方法进行该信号载波提取的具体过程,设置了合理的环路滤波器参数和VCO单元的控制灵敏度.通过仿真分析比较了两种方法的可行性和优缺点.结果表明,两种方法提取抑制载波双边带调制信号的载波是可行的,但科斯塔斯环法的抗噪声性能优于平方环法.

关键词：抑制载波双边带信号载波提取平方环科斯塔斯环锁相环

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FBGA封装阵列制造工艺过程的翘曲研究

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电子元件与材料 2014年第1期33卷 48-51页

作者：刘培生仝良玉沈海军陶玉娟黄金鑫缪小勇南通大学江苏省专用集成电路设计重点实验室江苏南通226019 南通富士通微电子股份有限公司江苏南通226006

采用有限元分析法,就一款1-block形式的FBGA封装阵列产品在注塑成型过程中所经历的带状翘曲现象进了预测分析,并用测试结果验证了有限元分析的有效性。在此基础上,从理论方面分析了材料性能对封装翘曲的影响,并对塑封料CTE参数进行了优... 详细信息

采用有限元分析法,就一款1-block形式的FBGA封装阵列产品在注塑成型过程中所经历的带状翘曲现象进了预测分析,并用测试结果验证了有限元分析的有效性。在此基础上,从理论方面分析了材料性能对封装翘曲的影响,并对塑封料CTE参数进行了优化分析和仿真验证。最后,分析了芯片的排列形式对封装翘曲的影响。

关键词：细间距球栅阵列封装有限元方法翘曲变形热膨胀组装工艺温度变化

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基于C＊Core的SoC设计与验证

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微电子学与计算机 2004年第7期21卷 124-126,131页

作者：徐晨袁红林李智江苏省专用集成电路设计重点实验室江苏南通226007 桂林电子工业学院广西桂林541000

介绍了基于C*Core的SoC及相应的协同验证平台,提出了一种基于C*Core的SoC软硬件协同设计流程及验证方法,具有降低设计风险和缩短产品开发周期的优点,并给出了一个设计实例。

关键词： C*Core 协同验证 SoC设计

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太赫兹量子阱光探测器电子输运特性的MC模拟

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微电子学 2009年第2期39卷 267-271页

作者：徐琳景为平茅惠兵华东师范大学电子科学与技术系上海200062 南通大学江苏省专用集成电路设计重点实验室江苏南通226007

半导体器件的MC(蒙特卡罗)模拟是深入研究小尺寸器件的物理过程中必不可少的工具。设计了一种基于三能带近似模型的MC平台,用来研究太赫兹场作用下GaAs/Al0.03Ga0.97As量子阱光探测器内部电子的输运特性。在这个平台的基础上,很好地研... 详细信息

半导体器件的MC(蒙特卡罗)模拟是深入研究小尺寸器件的物理过程中必不可少的工具。设计了一种基于三能带近似模型的MC平台,用来研究太赫兹场作用下GaAs/Al0.03Ga0.97As量子阱光探测器内部电子的输运特性。在这个平台的基础上,很好地研究了太赫兹作用下量子阱光探测器在低温和低电场时的电子输运特性。

关键词：蒙特卡罗模拟太赫兹器件量子阱探测器

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精简热模型在集成电路封装中的应用研究

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电子元件与材料 2013年第5期32卷 48-51页

作者：刘培生仝良玉陶玉娟王金兰黄金鑫卢颖南通大学江苏省专用集成电路设计重点实验室江苏南通226019 南通富士通微电子股份有限公司江苏南通226006

探讨了为一款FBGA封装产品建立DELPHI型热阻网络的新方法。首先利用恒温法为芯片封装建立星型网络,在此基础之上求解支路耦合热阻值,构成DELPHI型热阻网络。经过仿真验证显示,所建立的两种DELPHI型热阻网络模型与详细热模型(DTM)的结温... 详细信息

探讨了为一款FBGA封装产品建立DELPHI型热阻网络的新方法。首先利用恒温法为芯片封装建立星型网络,在此基础之上求解支路耦合热阻值,构成DELPHI型热阻网络。经过仿真验证显示,所建立的两种DELPHI型热阻网络模型与详细热模型(DTM)的结温误差均在10%以内,从而具备较好的边界条件独立性。

关键词：精简热模型 FBGA封装 DELPHI型热阻网络边界条件独立性温度仿真

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塑封集成电路分层的研究

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电子元件与材料 2013年第11期32卷 1-5页

作者：刘培生卢颖王金兰陶玉娟南通大学江苏省专用集成电路设计重点实验室江苏南通226019 南通富士通微电子股份有限公司江苏南通226006

在封装行业内,塑封集成电路已广泛应用,但塑封器件极易发生分层,严重影响器件的可靠性。介绍了发生塑封器件分层的主要界面,同时介绍了一种快速定位分层部位的检测方法——SAM。最后通过热应力和湿气的分析,提出了预防分层的有效措施。... 详细信息

在封装行业内,塑封集成电路已广泛应用,但塑封器件极易发生分层,严重影响器件的可靠性。介绍了发生塑封器件分层的主要界面,同时介绍了一种快速定位分层部位的检测方法——SAM。最后通过热应力和湿气的分析,提出了预防分层的有效措施。处理好分层将提高塑封集成电路可靠性,也将进一步推进塑封集成电路的发展。

关键词：塑封器件分层综述 SAM 热应力湿气可靠性

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