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第十五届全国容错计算学术会议(CFTC'13)

作者：刘炎华蒋斌孙海燕孙玲南通大学杏林学院南通226019 南通大学江苏省专用集成电路设计重点实验室南通226019 南通大学江苏省专用集成电路设计重点实验室南通226019

在大规模SoC芯片量产测试中,昂贵的自动测试设备导致了测试成本不断提升.对于单颗芯片而言,其测试成本主要由测试时间来决定,因此在保证测试质量的前提下缩短测试时间是降低测试成本的有效途径之一.SoC通常由众多IP核组成,每个IP核都有... 详细信息

在大规模SoC芯片量产测试中,昂贵的自动测试设备导致了测试成本不断提升.对于单颗芯片而言,其测试成本主要由测试时间来决定,因此在保证测试质量的前提下缩短测试时间是降低测试成本的有效途径之一.SoC通常由众多IP核组成,每个IP核都有其各自的测试矢量集.这些IP核的测试矢量集构成了整个SoC芯片测试矢量集.自动测试设备由于自身存储空间的限制,通常需要经过多次加载、卸载才能完成所有测试矢量集的测试施加.测试矢量集加载、卸载过程通常会消耗相当一部分时间,从而增加了测试成本.此外,优先施加规模较大的测试矢量集可以及早发现芯片故障,节约后续测试时间.本文基于以上两个问题,提出了一种基于蚁群算法的低成本测试矢量集组合与调度方法.实验结果表明,应用本方法进行测试矢量集组合与调度后,平均测试时间减少了8.7％.

关键词：大规模集成电路自动测试成本控制蚁群算法

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利用AutoTHERM进行MCM热设计研究

利用AutoTHERM进行MCM热设计研究

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第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会

作者：孙海燕孙玲景为平南通大学江苏省专用集成电路设计重点实验室江苏南通226007

本文从多芯片组件(MCM)热问题的角度出发,介绍了利用AutoTHERM软件进行MCM热建模方法及相关的理论基础,并给出了一个具体的六芯片MCM热设计的例子.实例表明:在MCM热设计的过程中,通过模型参数的选择和布局的优化,可以有效的降低结温,提... 详细信息

本文从多芯片组件(MCM)热问题的角度出发,介绍了利用AutoTHERM软件进行MCM热建模方法及相关的理论基础,并给出了一个具体的六芯片MCM热设计的例子.实例表明:在MCM热设计的过程中,通过模型参数的选择和布局的优化,可以有效的降低结温,提高MCM器件的可靠性.

关键词：多芯片组件芯片封装散热设计

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面向DSRC系统的5.8 GHz射频功率放大器设计

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微电子学 2013年第6期43卷 777-781,787页

作者：孙玲邢飞燕彭艳军南通大学江苏省专用集成电路设计重点实验室江苏南通226007 中国科学院计算技术研究所计算机体系结构国家重点实验室北京100190

基于SMIC 0.18μm RF CMOS工艺,设计了一种适用于DSRC系统的5.8GHz射频功率放大器。该电路采用两级差分的共源共栅结构,在共栅管处采用自偏置方法,提高了电路在大信号情况下的工作性能,在输出级采用有源电感补偿方法,提高了功率放大器... 详细信息

基于SMIC 0.18μm RF CMOS工艺,设计了一种适用于DSRC系统的5.8GHz射频功率放大器。该电路采用两级差分的共源共栅结构,在共栅管处采用自偏置方法,提高了电路在大信号情况下的工作性能,在输出级采用有源电感补偿方法,提高了功率放大器的线性度。版图后仿真结果表明,在3.3V电源电压下,该放大器在5.8GHz中心频率处的输出1dB压缩点达到18dBm,功率增益为20.8dB,最大功率附加效率PAE为17.3%,输出3阶互调点达到28.86dBm。

关键词： DSRC系统射频功率放大器线性度有源电感

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一种基于热阻网络的叠层芯片结温预测模型

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固体电子学研究与进展 2020年第1期40卷 66-70页

作者：张琦蔡志匡王子轩孙海燕郭宇锋南京邮电大学射频集成与微组装技术国家地方联合工程实验室南京邮电大学电子与光学工程学院、微电子学院南京210003 南通大学专用集成电路设计重点实验室江苏南通226019

提出了一种基于热阻网络的叠层芯片结温预测模型,该模型根据芯片内各组件的尺寸和热导率计算出对应的热阻,同时考虑了接触热阻和热量耦合效应,从而得到每层芯片在不同功耗情况下的结温预测值。在一个三芯片堆叠结构中,使用提出的方法对... 详细信息

提出了一种基于热阻网络的叠层芯片结温预测模型,该模型根据芯片内各组件的尺寸和热导率计算出对应的热阻,同时考虑了接触热阻和热量耦合效应,从而得到每层芯片在不同功耗情况下的结温预测值。在一个三芯片堆叠结构中,使用提出的方法对芯片结温进行预测,并与ANSYS仿真软件结果作比较,发现结温预测值的相对误差均小于4.5%。因此,该模型仅需根据芯片结构和材料参数,便可快速精确地估算出芯片在不同工作环境下的结温值。

关键词：叠层芯片有限元分析结温预测热阻网络

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Mg_xZn_(1-x)O纳米材料的研究进展

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电子元件与材料 2015年第10期34卷 1-5,13页

作者：王浩刘培生顾俊南通大学理学院江苏南通226007 南通大学江苏省专用集成电路设计重点实验室江苏南通226019

近年来,镁掺杂氧化锌半导体纳米材料在透明电子元件、气体传感、光催化等领域有着广泛的应用。主要总结概括了MgxZn1–xO纳米材料的制备方法,并探究了其制备过程中可能存在的问题和解决方法。最后展望了MgxZn1–xO纳米材料在紫外光电探... 详细信息

近年来,镁掺杂氧化锌半导体纳米材料在透明电子元件、气体传感、光催化等领域有着广泛的应用。主要总结概括了MgxZn1–xO纳米材料的制备方法,并探究了其制备过程中可能存在的问题和解决方法。最后展望了MgxZn1–xO纳米材料在紫外光电探测方面的应用前景。

关键词：镁掺杂制备方法综述紫外光电探测氧化锌纳米材料相分离激光液相烧蚀

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Fe掺杂BaTiO_3后铁电铁磁性质的第一性原理

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河南科技大学学报（自然科学版） 2013年第4期34卷 95-97,10页

作者：唐春红林长圣刘培生南京工程学院非线性物理研究所江苏南京211167 江苏省专用集成电路设计重点实验室江苏南通226019

采用第一性原理,计算了钙钛矿材料BaTiO3四方相掺Fe前后的晶体结构、电子能带结构及掺Fe后的磁性质。计算结果表明:部分Fe离子替代钙钛矿B位的Ti4+后,体系出现铁磁性。由于Fe离子形式化合价为+3,因此替代Ti4+后,这种空穴掺杂将在价带顶... 详细信息

采用第一性原理,计算了钙钛矿材料BaTiO3四方相掺Fe前后的晶体结构、电子能带结构及掺Fe后的磁性质。计算结果表明:部分Fe离子替代钙钛矿B位的Ti4+后,体系出现铁磁性。由于Fe离子形式化合价为+3,因此替代Ti4+后,这种空穴掺杂将在价带顶引入空的掺杂能级。态密度结果表明:该能级为Fe4+离子的部分空的d轨道,造成体系中Fe3+、Fe4+离子的出现,而它们之间的双交换耦合使得体系出现铁磁性。

关键词：电子能带结构铁电性铁磁性第一性原理

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基于Agent的分布式入侵检测系统的研究与实现

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微计算机信息 2006年第8X期22卷 90-92,307页

作者：朱浩金丽周莲英南通大学计算机科学与技术学院江苏省专用集成电路设计重点实验室江苏大学计算机科学与通信工程学院

本文通过借鉴智能代理(agent)技术,并结合XML和安全通信技术,提出了一种具有两层代理结构的分布式入侵检测系统模型,并设计实现了原型系统。该模型有多个域组成,域内采用分层结构,域间采用P2P(peertopeer)结构。域内的检测agent分布在... 详细信息

本文通过借鉴智能代理(agent)技术,并结合XML和安全通信技术,提出了一种具有两层代理结构的分布式入侵检测系统模型,并设计实现了原型系统。该模型有多个域组成,域内采用分层结构,域间采用P2P(peertopeer)结构。域内的检测agent分布在受保护各个主机上执行检测任务,检测结果向本域内的数据中心汇报。协作agent综合本域内数据中心的报警信息进行分析,产生本地报警,并通过XML向其他域中协作agent告警。作为冗余成分的协作agent的存在避免了系统结构上的单点失效。数字签名和加密技术确保了agent通信的安全。分布性、健壮性、智能性和协作性是该系统模型主要特点。

关键词：协作 Agent IDS XML 入侵检测系统

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加强素质教育中的科学教育

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文教资料 2008年第32期 102-103页

作者：刘培生袁从领南通大学江苏省专用集成电路设计重点实验室江苏南通226019 南京晓庄学院江苏南京210036

知识经济时代的科学教育应该注重它对现代人的思想及能力方面的熏陶和培养.培养具有更高科学素养的人,为社会的进步作出贡献.

关键词：科学教育人才培养创造力

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AES算法的C语言实现及测试向量生成

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南通工学院学报（自然科学版） 2004年第3期3卷 63-65,69页

作者：陈海进刘炎华南通工学院江苏省专用集成电路设计重点实验室江苏南通226007

在VC环境下 ,设计实现了高级加密标准 (AES)算法。密钥长度及加密/解密模式由用户控制 ,程序主要用于产生测试向量进行后期IC设计测试 ,也可应用于文件的加解密操作。

关键词：高级加密标准 VC++ 测试向量集成电路测试

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单区JTE终端结构4H-SiC PIN雪崩二极管击穿特性研究

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南通大学学报（自然科学版） 2022年第3期21卷 42-49页

作者：陈红富王奕锦俞彦伟陈志鹏何嘉诚高子建罗曼余晨辉南通大学信息科学技术学院江苏省专用集成电路设计重点实验室江苏南通226019

作为第三代宽禁带半导体材料的碳化硅(SiC)具有高临界电场、高热导率等特性,以此材料制作成的PIN功率二极管器件可以满足高速轨道交通、航空航天等领域的高压、高温、抗辐射等要求。目前传统的4H-SiC PIN雪崩二极管容易受到电场集边效... 详细信息

作为第三代宽禁带半导体材料的碳化硅(SiC)具有高临界电场、高热导率等特性,以此材料制作成的PIN功率二极管器件可以满足高速轨道交通、航空航天等领域的高压、高温、抗辐射等要求。目前传统的4H-SiC PIN雪崩二极管容易受到电场集边效应的影响,从而导致器件的提前击穿。为了降低这种效应,利用Sentaurus TCAD软件设计一种具有单区结终端扩展结构(junction termination extension,JTE)的4H-SiC PIN雪崩二极管,在此基础上重点分析了JTE层的横向长度与掺杂浓度水平对二极管击穿特性的影响。仿真结果表明:从单区JTE终端结构4H-SiC PIN二极管研究中得到的最大外击穿电压约为1 670 V,为理论击穿电压的87%;相较于传统器件所具有的267.5 V的击穿电压,单区JTE二极管的耐压性更好,可靠性更高。

关键词：碳化硅二极管结终端扩展击穿电压

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