检索结果-内蒙古大学图书馆

第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议

作者：冯志红专用集成电路国家级重点实验室河北半导体研究所石家庄050051

作为Ⅲ族氮化物材料最鲜明的特点之一,极化效应在Ⅲ族氮化物微电子和光电子器件中扮演了十分重要的角色.在AlGaN/GaN突变结界面处由于极化效应产生的二维电子气是GaN HFET的工作基础.基于AlGaN/GaN缓变异质结的极化掺杂场效应晶体管器... 详细信息

作为Ⅲ族氮化物材料最鲜明的特点之一,极化效应在Ⅲ族氮化物微电子和光电子器件中扮演了十分重要的角色.在AlGaN/GaN突变结界面处由于极化效应产生的二维电子气是GaN HFET的工作基础.基于AlGaN/GaN缓变异质结的极化掺杂场效应晶体管器件表现出迥然不同的器件特性.本工作从AlGaN/GaN缓变异质结材料出发,开展极化掺杂场效应晶体管器件基础科学问题研究,实现了高线性和高效率的AlGaN/GaN极化掺杂场效应晶体管器件.结合缓变结材料独特的载流子分布和输运行为,研究了掺杂场效应晶体管的器件特性.

关键词：场效应晶体管氮化铝镓氮化镓变异质结载流子分布输运行为

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双层准自由态外延石墨烯和晶体管

双层准自由态外延石墨烯和晶体管

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2015中国国际石墨烯创新大会

作者：冯志红蔚翠何泽召李佳刘庆彬河北半导体研究所专用集成电路国家级重点实验室石家庄中国

由于石墨烯材料优越的电学特性，在高速高频电子领域已经显露出极大的潜能.准自由态外延石墨烯因其良好的晶体质量、高的载流子迁移率和无需转移等特点，是未来高频器件应用的候选材料.本文我们报道了碳化硅衬底外延的单层石墨烯在氢气...

由于石墨烯材料优越的电学特性，在高速高频电子领域已经显露出极大的潜能.准自由态外延石墨烯因其良好的晶体质量、高的载流子迁移率和无需转移等特点，是未来高频器件应用的候选材料.本文我们报道了碳化硅衬底外延的单层石墨烯在氢气环境下退火可实现双层准自由态石墨烯，并可以大幅度提高其电学特性.采用我们曾经报道的自对准石墨烯场效应晶体管工艺，制备的双层准自由态石墨烯器件展示了优良的直流和射频特性.100nm栅长的外延石墨烯晶体管实现创纪录的407GHz本征电流截止频率.我们的工作表明，双层准自由态外延石墨烯在未来高速射频领域具有潜在的应用价值.

关键词：

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双层石墨烯位于1800—2150cm^(-1)频率范围内的和频拉曼模

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物理学报 2014年第14期63卷 343-349页

作者：厉巧巧张昕吴江滨鲁妍谭平恒冯志红李佳蔚翠刘庆斌中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室北京100083 河北半导体研究所专用集成电路重点实验室石家庄050051

文章利用拉曼光谱研究了双层石墨烯在1800—2150 cm-1范围内的和频拉曼模.基于双共振拉曼散射理论,利用多波长激光拉曼散射结合声子色散曲线分别从实验上和理论上分析发现,双层石墨烯在此频率范围内主要存在4个拉曼模,它们主要由LO和LA... 详细信息

文章利用拉曼光谱研究了双层石墨烯在1800—2150 cm-1范围内的和频拉曼模.基于双共振拉曼散射理论,利用多波长激光拉曼散射结合声子色散曲线分别从实验上和理论上分析发现,双层石墨烯在此频率范围内主要存在4个拉曼模,它们主要由LO和LA或iTA按不同共振散射方式所组成的4个和频模,而iTO和oTO参与和频的可能性很小.文章澄清了学术界在1800—2150 cm-1频率范围内和频模的解释,有助于进一步深入理解多层石墨烯在此范围内的和频模.

关键词：石墨烯拉曼光谱双共振能量色散关系

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关于InGaN/GaN多量子阱结构内量子效率的研究

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物理学报 2014年第12期63卷 343-349页

作者：王雪松冀子武王绘凝徐明升徐现刚吕元杰冯志红山东大学物理学院济南250100 山东大学晶体材料国家重点实验室济南250100 河北半导体研究所专用集成电路国家级重点实验室石家庄050051

利用金属有机物化学气相沉积技术在蓝宝石衬底(0001)面生长了InGaN/GaN多量子阱结构,并测量了其荧光(PL)光谱的峰位能量和发光效率对温度和注入载流子密度的依赖性.结果显示,该样品PL的峰位能量对温度的依赖性是"S形"的(降低... 详细信息

利用金属有机物化学气相沉积技术在蓝宝石衬底(0001)面生长了InGaN/GaN多量子阱结构,并测量了其荧光(PL)光谱的峰位能量和发光效率对温度和注入载流子密度的依赖性.结果显示,该样品PL的峰位能量对温度的依赖性是"S形"的(降低-增加-降低),并且最大发光效率出现在50 K左右.前者反映了InGaN阱层中势能的非均一性和载流子复合的局域特征,后者则表明了将极低温度下的内量子效率设定为100%的传统界定方法应当被修正.进一步的研究结果显示,发光效率不仅是温度的函数,同时也是注入载流子密度的函数.为此我们对传统的基于PL光谱测量来确定某结构(或器件)内量子效率的方法进行了修正:在不同温度下测量发光效率对注入载流子密度的依赖性,并将发光效率的最大值设为内量子效率是100%,这样,其他温度点和注入载流子密度点所对应的内量子效率也就随之确定.

关键词： InGaN/GaN 发光效率荧光峰位能量内量子效率

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铌酸锂波导对光整流相位匹配的增强作用研究

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光学学报 2014年第B12期34卷 331-335页

作者：吴斌刘红博赵发财冯志红王俊龙应承平王恒飞电子测试技术重点实验室山东青岛266555 中国电子科技集团公司第四十一研究所山东青岛266555 河北半导体研究所专用集成电路国家重点实验室河北石家庄050051

为提高太赫兹（THz）波的产生效率，研究了飞秒激光与铌酸锂晶体的相互作用。分析了块状铌酸锂晶体中抽运光与THz波间的相位匹配，结果显示抽运光的群折射率曲线与THz波的折射率曲线不存在交点，表明了块状晶体结构中相位失配问题的存... 详细信息

为提高太赫兹（THz）波的产生效率，研究了飞秒激光与铌酸锂晶体的相互作用。分析了块状铌酸锂晶体中抽运光与THz波间的相位匹配，结果显示抽运光的群折射率曲线与THz波的折射率曲线不存在交点，表明了块状晶体结构中相位失配问题的存在。设计了4种不同尺寸的波导结构，根据波导理论计算了波导结构在0.1～6 THz波段的折射率。研究结果表明，铌酸锂波导结构能够有效增大飞秒激光与THz波的相位匹配程度，甚至实现二者间的完全相位匹配，从而提高飞秒激光与晶体耦合过程中THz波的产生效率。另外，还对晶体中THz波的传输距离进行了分析。研究对飞秒激光与非线性晶体耦合过程中的相位匹配增强作用提供了理论依据。

关键词：非线性光学相位匹配铌酸锂折射率波导结构

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旋转双层石墨烯的电子结构

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物理学报 2013年第15期62卷 402-409页

作者：吴江滨张昕谭平恒冯志红李佳中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室北京100083 河北半导体研究所专用集成电路重点实验室石家庄050051

本文将第一性原理和紧束缚方法结合起来,研究了层间不同旋转角度对双层石墨烯的电子能带结构和态密度的影响.分析发现,旋转双层石墨烯具有线性的电子能量色散关系,但其费米速度随着旋转角度的减小而降低.进一步研究其电子能带结构发现,... 详细信息

本文将第一性原理和紧束缚方法结合起来,研究了层间不同旋转角度对双层石墨烯的电子能带结构和态密度的影响.分析发现,旋转双层石墨烯具有线性的电子能量色散关系,但其费米速度随着旋转角度的减小而降低.进一步研究其电子能带结构发现,不同旋转角度的双层石墨烯在M点可能会出现大小不同的的带隙,而这些能隙会增强双层石墨烯的拉曼模强度,并由拉曼光谱实验所证实.通过对比双层石墨烯的晶体结构和电子态密度,发现M点处带隙来自于晶体结构中的"类AB堆垛区".

关键词：旋转双层石墨烯第一性原理紧束缚电子结构

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缺陷单层和双层石墨烯的拉曼光谱及其激发光能量色散关系

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物理学报 2013年第13期62卷 476-482页

作者：厉巧巧韩文鹏赵伟杰鲁妍张昕谭平恒冯志红李佳中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室北京100083 河北半导体研究所专用集成电路重点实验室石家庄050051

拉曼光谱作为一种无破坏性、快速且敏锐的测试技术已经成为表征石墨烯样品和研究其缺陷的最重要的实验手段之一.本论文用离子注入在单层和双层石墨烯中产生缺陷,并利用拉曼光谱研究了存在缺陷时单层和双层石墨烯的一阶和二阶拉曼模,单... 详细信息

拉曼光谱作为一种无破坏性、快速且敏锐的测试技术已经成为表征石墨烯样品和研究其缺陷的最重要的实验手段之一.本论文用离子注入在单层和双层石墨烯中产生缺陷,并利用拉曼光谱研究了存在缺陷时单层和双层石墨烯的一阶和二阶拉曼模,单层石墨烯的D模为双峰结构,而双层石墨烯的D模具有四峰结构.同时,利用四条激光线系统地研究了本征和缺陷单层和双层石墨烯的拉曼峰频率的激发光能量依赖关系,并基于石墨材料的双共振拉曼散射机理指认了离子注入后样品各拉曼峰的物理根源.

关键词：石墨烯缺陷拉曼光谱能量色散关系

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AlN/GaN异质结材料与器件中的散射机理研究

AlN/GaN异质结材料与器件中的散射机理研究

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2013‘全国半导体器件技术、产业发展研讨会暨第六届中国微纳电子技术交流与学术研讨会

作者：吕元杰冯志红敦少博尹甲运韩婷婷顾国栋专用集成电路国家级重点实验室河北半导体研究所石家庄 050051

本文首先利用变温霍尔测试研究了A1N/GaN异质结材料中影响2DEG迁移率的的主要散射机制，而后，在A1N/GaN异质结材料上制备得到了不同肖特基面积的方形A1N/GaN HFETs。基于实验测试和理论计算，发现：在完成器件工艺后极化梯度库仑场散射... 详细信息

本文首先利用变温霍尔测试研究了A1N/GaN异质结材料中影响2DEG迁移率的的主要散射机制，而后，在A1N/GaN异质结材料上制备得到了不同肖特基面积的方形A1N/GaN HFETs。基于实验测试和理论计算，发现：在完成器件工艺后极化梯度库仑场散射对A1N/GaN HFET中的2DEG迁移率有着重要的影响，成为一种不可忽略的散射机理。

关键词：异质结材料氮化铝氮化镓散射机理

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缺陷单层和双层石墨烯的拉曼光谱及其激发光能量色散关系

缺陷单层和双层石墨烯的拉曼光谱及其激发光能量色散关系

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第十七届全国光散射学术会议

作者：厉巧巧韩文鹏赵伟杰鲁妍张昕谭平恒冯志红李佳中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室河北半导体研究所专用集成电路重点实验室

石墨烯具有许多优异的物理特性,使其成为当今物理学研究的热点之一。同时,石墨烯具有高度对称性,这使得其性质对缺陷的存在很敏感。自从石墨烯发现以来,拉曼光谱作为一种无破坏性、快速且敏锐的测试技术已经成为表征石墨烯样品和研究其... 详细信息

石墨烯具有许多优异的物理特性,使其成为当今物理学研究的热点之一。同时,石墨烯具有高度对称性,这使得其性质对缺陷的存在很敏感。自从石墨烯发现以来,拉曼光谱作为一种无破坏性、快速且敏锐的测试技术已经成为表征石墨烯样品和研究其缺陷的最重要的实验手段之一。我们用离子注入在单层和双层石墨烯中产生缺陷,并利用拉曼光谱研究了存在缺陷时单层和双层石

关键词：双层石墨烯拉曼光谱离子注入

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毫米波AlGaN/GaN HEMT交流特性研究

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微波学报 2012年第6期28卷 12-15页

作者：程知群靳立伟冯志红杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室杭州310018 河北半导体研究所专用集成电路国家重点实验室石家庄050051

毫米波频段已经成为AlGaN/GaN HEMT研究的一个发展趋势。利用器件仿真软件TCAD,对AlGaN/GaN HEMT交流特性进行了研究。从势垒层的Al组分和厚度两个参数分析了器件特征频率变化趋势。用TCAD仿真得到的AlGaN/GaN HEMT器件本征S参数,在ADS... 详细信息

毫米波频段已经成为AlGaN/GaN HEMT研究的一个发展趋势。利用器件仿真软件TCAD,对AlGaN/GaN HEMT交流特性进行了研究。从势垒层的Al组分和厚度两个参数分析了器件特征频率变化趋势。用TCAD仿真得到的AlGaN/GaN HEMT器件本征S参数,在ADS中添加器件的非本征参数,得到器件仿真的频率特性。在器件设计的基础上,进行了器件版图设计和流片,并测量了器件频率特性。测试和仿真结果的对比表明两者较为一致,表明器件仿真的有效性和指导意义。

关键词：势垒层 AlGaN GaN高电子迁移率晶体管频率特性

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