检索结果-内蒙古大学图书馆

红外与毫米波学报 2022年第2期41卷 443-447页

作者：刘军宋瑞良刘宁梁士雄中国电子科技集团公司第五十四研究所北京研发中心北京100070 河北半导体技术研究所专用集成电路国家重点实验室河北石家庄050051

利用InP基共振隧穿二极管(RTD)和加载硅透镜的片上天线设计实现了超过1 THz的振荡器。采用Silvaco软件对RTD模型进行仿真研究,分析了不同发射区掺杂浓度、势垒层厚度、隔离层厚度以及势阱层厚度等对器件直流特性的影响规律。对研制的RT... 详细信息

利用InP基共振隧穿二极管(RTD)和加载硅透镜的片上天线设计实现了超过1 THz的振荡器。采用Silvaco软件对RTD模型进行仿真研究,分析了不同发射区掺杂浓度、势垒层厚度、隔离层厚度以及势阱层厚度等对器件直流特性的影响规律。对研制的RTD器件直流特性测试显示:峰值电流密度J_(p)为359.2 kA/cm^(2),谷值电流密度J_(v)为135.8 kA/cm^(2),峰谷电流比PVCR为2.64,理论计算得到的器件最大射频输出功率和振荡频率(f_(max))分别为1.71 mW和1.49 THz。利用透镜封装的形式对采用Bow-tie片上天线和RTD设计的太赫兹振荡器进行封装,测试得到振荡频率超过1 THz,输出功率为2.57μW,直流功耗为8.33 mW,是国内首次报道超过1 THz的振荡器。

关键词：太赫兹共振隧穿二极管振荡器

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包含Kink效应的改进型GaN HEMTs模型

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北京理工大学学报 2020年第11期40卷 1253-1258页

作者：侯彦飞刘祎静李灏何伟吕元杰刘军杨宋源王伯武于伟华北京理工大学毫米波与太赫兹技术北京市重点实验室北京100081 河北半导体研究所专用集成电路国家重点实验室河北石家庄050051

提出了一种GaN高电子迁移率晶体管(HEMTs)建模方法.该模型以ADS(advanced design system)中的符号定义器件SDD(symbolically defined device)为基础,结合宽带S-参数与脉冲直流测试数据,对GaN器件进行精确建模.本文所用晶体管为双指AlGaN... 详细信息

提出了一种GaN高电子迁移率晶体管(HEMTs)建模方法.该模型以ADS(advanced design system)中的符号定义器件SDD(symbolically defined device)为基础,结合宽带S-参数与脉冲直流测试数据,对GaN器件进行精确建模.本文所用晶体管为双指AlGaN/GaN HEMT器件,其栅长为90 nm,单指栅宽为40μm.数据测试采用在片测试方法,在常规S参数测试和直流测试基础上,增加了脉冲直流测试,并针对测试数据体现的Kink效应和阈值电压漂移现象进行建模.研究结果表明,该模型可以准确拟合器件0~110 GHz S参数及直流特性,谐波平衡仿真显示该模型具有良好的收敛特性,可用于GaN HEMTs器件电路仿真.

关键词： AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管(HEMT) 大信号模型 Kink效应

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氢终结金刚石表面P型导电沟道稳定性研究

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材料热处理学报 2016年第7期37卷 156-161页

作者：刘金龙李成明陈良贤刘青王晶晶冯志红北京科技大学新材料技术研究院北京100083 北京科技大学钢铁冶金新技术国家重点实验室北京100083 河北省半导体所专用集成电路重点实验室河北石家庄050051

原位测试了氢终结金刚石膜在氮气保护和大气气氛中加热时的表面导电特征,分析并讨论了该导电沟道的高温稳定性。结果表明,室温下氢终结金刚石表面电导率均在10^(-5)S量级。随着温度的升高,N_2气氛下的金刚石膜表面电导率呈现逐渐下降的... 详细信息

原位测试了氢终结金刚石膜在氮气保护和大气气氛中加热时的表面导电特征,分析并讨论了该导电沟道的高温稳定性。结果表明,室温下氢终结金刚石表面电导率均在10^(-5)S量级。随着温度的升高,N_2气氛下的金刚石膜表面电导率呈现逐渐下降的趋势,而大气中加热的金刚石膜表面电导率则出现了明显的台阶式降低。对于后者而言,金刚石表面在120℃发生的第二层水分子脱附和230℃下CH基团的分解,是其电导率发生阶梯式下降的主要原因。而在氮气(N_2)气氛下氢终结金刚石膜表面导电沟道表现出更高的分子水脱附温度(300℃)和氢分解温度(400℃),表明气氛保护可有效提高氢终结金刚石表面导电沟道的稳定性。

关键词：氢终结金刚石膜表面导电性稳定性

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铌酸锂波导对光整流相位匹配的增强作用研究

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光学学报 2014年第B12期34卷 331-335页

作者：吴斌刘红博赵发财冯志红王俊龙应承平王恒飞电子测试技术重点实验室山东青岛266555 中国电子科技集团公司第四十一研究所山东青岛266555 河北半导体研究所专用集成电路国家重点实验室河北石家庄050051

为提高太赫兹（THz）波的产生效率，研究了飞秒激光与铌酸锂晶体的相互作用。分析了块状铌酸锂晶体中抽运光与THz波间的相位匹配，结果显示抽运光的群折射率曲线与THz波的折射率曲线不存在交点，表明了块状晶体结构中相位失配问题的存... 详细信息

为提高太赫兹（THz）波的产生效率，研究了飞秒激光与铌酸锂晶体的相互作用。分析了块状铌酸锂晶体中抽运光与THz波间的相位匹配，结果显示抽运光的群折射率曲线与THz波的折射率曲线不存在交点，表明了块状晶体结构中相位失配问题的存在。设计了4种不同尺寸的波导结构，根据波导理论计算了波导结构在0.1～6 THz波段的折射率。研究结果表明，铌酸锂波导结构能够有效增大飞秒激光与THz波的相位匹配程度，甚至实现二者间的完全相位匹配，从而提高飞秒激光与晶体耦合过程中THz波的产生效率。另外，还对晶体中THz波的传输距离进行了分析。研究对飞秒激光与非线性晶体耦合过程中的相位匹配增强作用提供了理论依据。

关键词：非线性光学相位匹配铌酸锂折射率波导结构

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