检索结果-内蒙古大学图书馆

无机材料学报 2018年第9期33卷 976-980页

作者：吕元杰宋旭波何泽召谭鑫周幸叶王元刚顾国栋冯志红河北半导体研究所专用集成电路国家级重点实验室石家庄050051

采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法在Fe掺杂半绝缘(010)Ga_2O_3同质衬底上外延得到n型β-Ga_2O_3薄膜材料,材料结构包括600 nm未掺杂的Ga_2O_3缓冲层和200 nmSi掺杂沟道层。对掺杂浓度为3.0×10^(17)和1.0×10^(18) cm^(–3... 详细信息

采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法在Fe掺杂半绝缘(010)Ga_2O_3同质衬底上外延得到n型β-Ga_2O_3薄膜材料,材料结构包括600 nm未掺杂的Ga_2O_3缓冲层和200 nmSi掺杂沟道层。对掺杂浓度为3.0×10^(17)和1.0×10^(18) cm^(–3)的样品进行了高温合金欧姆接触实验,在掺杂浓度为3.0×10^(17) cm^(–3)的样品上难以实现良好的欧姆接触,掺杂浓度为1.0×10^(18) cm^(–3)的样品实现了欧姆接触最低值(9.8W×mm)。基于掺杂浓度为1.0×10^(18) cm^(–3)的n型β-Ga_2O_3薄膜材料,采用原子层沉积的Al_2O_3作为栅下绝缘介质层,研制出Ga_2O_3金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。栅压为2 V时,器件漏源饱和电流达到108 mA/mm,器件峰值跨导达到17 mS/mm。由于栅漏电特性较差,器件的三端击穿电压仅为23 V@V_(gs)=–12 V。采用高介电常数的HfO_2或者Al_2O_3/HfO_2复合结构作为栅下介质能够改善栅漏电特性,提升器件的击穿性能。

关键词：氧化镓金属氧化物半导体场效应晶体管漏源饱和电流栅漏电

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

两步氧化法制备β-Ga2O3薄膜

引用

发光学报 2019年第10期40卷 1247-1253页

作者：李赜明余烨焦腾胡大强董鑫李万程张源涛吕元杰冯志红张宝林吉林大学电子科学与工程学院集成光电子学国家重点联合实验室吉林长春130012 河北半导体研究所专用集成电路国家重点实验室河北石家庄050051

为获得高质量的β-Ga 2O 3薄膜,对传统的GaN薄膜高温氧化方法进行了优化。我们通过对GaN薄膜分别进行一步或两步高温氧化的方法制备了β-Ga 2O 3薄膜,并通过X射线衍射、场发射扫描电子显微镜、拉曼光谱等对制备的样品进行了测试、对比... 详细信息

为获得高质量的β-Ga 2O 3薄膜,对传统的GaN薄膜高温氧化方法进行了优化。我们通过对GaN薄膜分别进行一步或两步高温氧化的方法制备了β-Ga 2O 3薄膜,并通过X射线衍射、场发射扫描电子显微镜、拉曼光谱等对制备的样品进行了测试、对比与分析。结果表明,950℃下GaN薄膜无法完全氧化,而直接1 150℃氧化得到的样品并没有明显的晶向。相比之下,通过两步氧化法,GaN薄膜被完全氧化,且得到的β-Ga 2O 3薄膜具有明显的沿<2 01>方向的晶向,样品表面显示出明显的纳米线结构。最佳的氧化时间为在950℃下氧化3 h之后在1 150℃下氧化1 h,此时得到样品的纳米线结构最明显,其纳米线的直径约为30~40 nm。拉曼光谱测试证实了该条件下获得的样品具有较高的晶体质量。通过分析不同样品结构以及形貌特性,我们发现不同温度下的不同氧化模式是导致该结果的主要原因。

关键词：氧化镓宽禁带半导体高温氧化工艺

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

基于氮化镓肖特基二极管的高性能太赫兹倍频器

基于氮化镓肖特基二极管的高性能太赫兹倍频器

引用

7th International Forum on Wide Bandgap Semiconductors&18th China International Forum on Solid State Lighting (第七届国际第三代半导体论坛暨第十八届中国国际半导体照明论坛)

作者：冯志红中国电子科技集团公司第十三研究所专用集成电路国家级重点实验室河北省石家庄市合作路113号

因具备高击穿电压和低介电常数的优势,GaN肖特基二极管(SBD)在一些新兴高功率太赫兹倍频器上显示出巨大的应用前景。本工作采用金属-有机物化学气相沉积(MOCVD)法在SiC衬底上外延生长N-/N+结构的GaN肖特基二极管材料。通过增加阳极结数...

因具备高击穿电压和低介电常数的优势,GaN肖特基二极管(SBD)在一些新兴高功率太赫兹倍频器上显示出巨大的应用前景。本工作采用金属-有机物化学气相沉积(MOCVD)法在SiC衬底上外延生长N-/N+结构的GaN肖特基二极管材料。通过增加阳极结数量,优化阳极结尺寸,提高单个GaN肖特基二极管芯片的耐受功率。

关键词：

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

无压低温烧结纳米银封装电力电子器件的进展与思考

引用

电源学报 2020年第4期18卷 15-23页

作者：闫海东梁陪阶梅云辉冯志红桂林电子科技大学机电工程学院桂林541004 天津大学材料科学与工程学院天津300072 河北半导体研究所专用集成电路国家级重点实验室石家庄050051 广西制造系统与先进制造技术重点实验室桂林541004

无压低温银烧结技术是高功率密度SiC器件的无铅化关键互连技术,对SiC功率模块的可靠性提升具有重要的意义。针对典型Si基功率模块封装连接工艺及其可靠性,阐述了当前无压低温纳米银烧封装技术的进展与思考:(1)讨论了电力电子器件封装连... 详细信息

无压低温银烧结技术是高功率密度SiC器件的无铅化关键互连技术,对SiC功率模块的可靠性提升具有重要的意义。针对典型Si基功率模块封装连接工艺及其可靠性,阐述了当前无压低温纳米银烧封装技术的进展与思考:(1)讨论了电力电子器件封装连接可靠性的典型风险和原因;(2)介绍了无压低温连接技术的最新发展;(3)基于Si基典型功率模块封装向高可靠SiC功率模块转变过程中在封装结构和材料方面的需求,阐述了无压低温银烧结技术在引线型、平面型和双面冷却功率模块封装方面的进展;(4)提出无压低温银烧结技术当前有待解决的技术难题。

关键词：纳米银焊膏无压低温银烧结技术双面冷却 SiC器件可靠性

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

基于平面肖特基二极管的300 GHz平衡式二倍频器

引用

电子技术应用 2019年第7期45卷 14-18页

作者：张立森梁士雄杨大宝徐鹏宋旭波吕元杰冯志红河北半导体研究所专用集成电路国家级重点实验室

设计了肖特基二极管的结构和尺寸,采用点支撑空气桥结构降低器件在高频下的损耗,根据二极管测试结果和实际结构,分别建立了肖特基结的非线性模型和三维电磁场模型。依据此模型,采用平衡式电路设计,将二极管放置在波导内,利用模式正交性... 详细信息

设计了肖特基二极管的结构和尺寸,采用点支撑空气桥结构降低器件在高频下的损耗,根据二极管测试结果和实际结构,分别建立了肖特基结的非线性模型和三维电磁场模型。依据此模型,采用平衡式电路设计,将二极管放置在波导内,利用模式正交性很好地实现输入与输出信号的隔离,简化了电路结构,降低了损耗,成功设计并制作出300GHz二倍频器,在312~319GHz的倍频效率大于5%,最大倍频效率为10.1%@316GHz,在307GHz^318GHz的输出功率大于4mW,最大输出功率为8.7mW@316GHz。采用较高掺杂浓度材料二极管的倍频器最大效率为13.7%,最大输出功率为11.8mW。该倍频器的输出功率与已报道水平相当,验证了国产肖特基二极管的设计、工艺以及高频工作等方面的能力。

关键词：二倍频肖特基二极管反向串联平衡式太赫兹

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

基于GaN同质衬底的高迁移率AlGaN/GaNHEMT材料

引用

物理学报 2018年第7期67卷 211-218页

作者：张志荣房玉龙尹甲运郭艳敏王波王元刚李佳芦伟立高楠刘沛冯志红专用集成电路国家级重点实验室河北半导体研究所石家庄050051 中国航天标准化与产品保证研究所北京100071

研究了表面预处理对GaN同质外延的影响,获得了高电子迁移率AlGaN/GaN异质结材料.通过NH_3/H_2混合气体与H_2交替通入反应室的方法对GaN模板和GaN半绝缘衬底进行高温预处理.研究结果表明,NH_3/H_2能够抑制GaN的分解,避免粗糙表面,但不利... 详细信息

研究了表面预处理对GaN同质外延的影响,获得了高电子迁移率AlGaN/GaN异质结材料.通过NH_3/H_2混合气体与H_2交替通入反应室的方法对GaN模板和GaN半绝缘衬底进行高温预处理.研究结果表明,NH_3/H_2能够抑制GaN的分解,避免粗糙表面,但不利于去除表面的杂质,黄光带峰相对强度较高;H_2促进GaN分解,随时间延长GaN分解加剧,导致模板表面粗糙不平,AlGaN/GaN HEMT材料二维电子气迁移率降低.采用NH_3/H_2混合气体与H_2交替气氛模式处理模板或衬底表面,能够清洁表面,去除表面杂质,获得平滑的生长表面和外延材料表面,有利于提高AlGaN/GaN HEMT材料电学性能.在GaN衬底上外延AlGaN/GaN HEMT材料,2DEG迁移率达到2113 cm^2/V·s,电学性能良好.

关键词：金属有机物化学气相沉积氮化镓热处理同质外延

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

f_T为350 GHz的InAlN/GaN HFET高频器件研究（英文）

引用

红外与毫米波学报 2018年第1期37卷 15-19页

作者：付兴昌吕元杰张力江张彤李献杰宋旭波张志荣房玉龙冯志红信息显示与可视化国际合作联合实验室电子科学与工程学院东南大学江苏南京210096 河北半导体研究所河北石家庄050051 专用集成电路国家级重点实验室河北石家庄050051

采用再生长n^+GaN非合金欧姆接触工艺研制了具有高电流增益截止频率(f_T)的InAlN/GaN异质结场效应晶体管(HFETs),器件尺寸得到有效缩小,源漏间距减小至600 nm.通过优化干法刻蚀和n^+GaN外延工艺,欧姆接触总电阻值达到0.16Ω·mm,该... 详细信息

采用再生长n^+GaN非合金欧姆接触工艺研制了具有高电流增益截止频率(f_T)的InAlN/GaN异质结场效应晶体管(HFETs),器件尺寸得到有效缩小,源漏间距减小至600 nm.通过优化干法刻蚀和n^+GaN外延工艺,欧姆接触总电阻值达到0.16Ω·mm,该值为目前金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法制备的最低值.采用自对准电子束曝光工艺实现34 nm直栅.器件尺寸的缩小以及欧姆接触的改善,器件电学特性,尤其是射频特性得到大幅提升.器件的开态电阻(R_(on))仅为0.41Ω·mm,栅压1 V下,漏源饱和电流达到2.14 A/mm.此外,器件的电流增益截止频率(f_T)达到350 GHz,该值为目前GaN基HFET器件国内报道最高值.

关键词：铟铝氮氮化镓异质结异质结场效应晶体管电流增益截止频率非合金欧姆接触工艺纳米栅

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

表面预处理对石墨烯上范德瓦耳斯外延生长GaN材料的影响

引用

物理学报 2017年第24期66卷 230-235页

作者：王波房玉龙尹甲运刘庆彬张志荣郭艳敏李佳芦伟立冯志红河北半导体研究所专用集成电路国家级重点实验室石家庄050051

基于范德瓦耳斯外延生长的氮化镓/石墨烯材料异质生长界面仅靠较弱的范德瓦耳斯力束缚,具有低位错、易剥离等优势,近年来引起了人们的广泛关注.采用NH_3/H_2混合气体对石墨烯表面进行预处理,研究了不同NH_3/H_2比对石墨烯表面形貌、拉... 详细信息

基于范德瓦耳斯外延生长的氮化镓/石墨烯材料异质生长界面仅靠较弱的范德瓦耳斯力束缚,具有低位错、易剥离等优势,近年来引起了人们的广泛关注.采用NH_3/H_2混合气体对石墨烯表面进行预处理,研究了不同NH_3/H_2比对石墨烯表面形貌、拉曼散射的影响,探讨了石墨烯在NH_3和H_2混合气氛下的表面预处理机制,最后在石墨烯上外延生长了1.6μm厚的GaN薄膜材料.实验结果表明:石墨烯中褶皱处的C原子更容易与气体发生刻蚀反应,刻蚀方向沿着褶皱进行;适当NH_3/H_2比的混合气体对石墨烯进行表面预处理可有效改善石墨烯上GaN材料的晶体质量.本研究提供了一种可有效提高GaN晶体质量的石墨烯表面预处理方法,可为进一步研究二维材料上高质量的GaN外延生长提供参考.

关键词：石墨烯氮化镓范德瓦耳斯外延表面预处理

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

基于再生长欧姆接触工艺的220 GHz InAlN/GaN场效应晶体管（英文）

引用

红外与毫米波学报 2017年第1期36卷 6-9,34页

作者：尹甲运吕元杰宋旭波谭鑫张志荣房玉龙冯志红蔡树军河北半导体研究所专用集成电路国家级重点实验室河北石家庄050051

在蓝宝石衬底上研制了具有高电流增益截止频率(f_T)的InAlN/GaN异质结场效应晶体管(HFETs).基于MOCVD外延n+-GaN欧姆接触工艺实现了器件尺寸的缩小,有效源漏间距(Lsd)缩小至600 nm.此外,采用自对准工艺制备了50 nm直栅.由于器件尺寸的缩... 详细信息

在蓝宝石衬底上研制了具有高电流增益截止频率(f_T)的InAlN/GaN异质结场效应晶体管(HFETs).基于MOCVD外延n+-GaN欧姆接触工艺实现了器件尺寸的缩小,有效源漏间距(Lsd)缩小至600 nm.此外,采用自对准工艺制备了50 nm直栅.由于器件尺寸的缩小,Vgs=1 V下器件最大饱和电流(I_(ds))达到2.11 A/mm,峰值跨导达到609 mS/mm.根据小信号测试结果,外推得到器件的fT和最大振荡频率(fmax)分别为220 GHz和48 GHz.据我们所知,该f_T值是目前国内InAlN/GaN HFETs器件报道的最高结果.

关键词： InA1N/GaN HFET fT 再生长n+-GaN欧姆接触

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

超宽禁带氧化镓功率器件研究进展

超宽禁带氧化镓功率器件研究进展

引用

2018中国材料大会

作者：吕元杰宋旭波谭鑫王元刚周幸叶梁士雄冯志红专用集成电路国家级重点实验室河北半导体研究所

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：