检索结果-内蒙古大学图书馆

半导体技术 2010年第3期35卷 221-224页

作者：霍玉柱商庆杰杨霏潘宏菽专用集成电路国家级重点实验室河北半导体研究所石家庄050051

SiC金属-半导体场效应晶体管的工艺研制中,通常需要有源区之间的隔离。现常用刻蚀隔离的方法,但这一方法存在细栅条跨越隔离台阶的问题,若隔离台阶太陡,则栅金属在台阶处连续性较差,易产生电迁徙,器件工作时首先在此处烧毁,使器件失效... 详细信息

SiC金属-半导体场效应晶体管的工艺研制中,通常需要有源区之间的隔离。现常用刻蚀隔离的方法,但这一方法存在细栅条跨越隔离台阶的问题,若隔离台阶太陡,则栅金属在台阶处连续性较差,易产生电迁徙,器件工作时首先在此处烧毁,使器件失效。设计了几种提高栅金属平坦性的方法:通过优化台上掩模层台阶倾斜角以及调整刻蚀ICP,RIE功率可以实现18°左右倾斜台阶;通过"类平坦化"技术可以将绝缘介质淀积到台下区,基本实现无台阶;利用"离子注入隔离"取代"刻蚀隔离"则可以真正实现无台阶。实验验证以上方法可以有效提高栅金属的平坦性。

关键词：金属-半导体场效应晶体管栅金属:平坦性隔离台阶电迁徙离子注入隔离

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基于复合磁电材料的新型磁传感器高CMRR前端放大器设计

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磁性材料及器件 2010年第6期41卷 41-45页

作者：陈帅景为平陈弘达鲁华祥李言谨南通大学江苏省专用集成电路设计重点实验室江苏南通226019 中国科学院传感技术联合国家重点实验室上海200050 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室北京100083

由于弛豫铁电材料磁电传感器是微弱的高阻抗信号源,很容易给系统引入50Hz的强干扰信号,基于这一特点,设计了一款高共模抑制比(CMRR)的前端放大器集成电路。电路采用了适用于低电压工作的高输出阻抗CMOS电流镜结构以保证电路中电流镜的... 详细信息

由于弛豫铁电材料磁电传感器是微弱的高阻抗信号源,很容易给系统引入50Hz的强干扰信号,基于这一特点,设计了一款高共模抑制比(CMRR)的前端放大器集成电路。电路采用了适用于低电压工作的高输出阻抗CMOS电流镜结构以保证电路中电流镜的大输出摆幅和高输出阻抗;采用电流反馈放大器结构以获得高CMRR。仿真研究表明,该电路基本满足设计要求,性能优良。

关键词：弛豫铁电材料磁电传感器前端放大器 CMOS电流镜电流反馈

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用于WLAN接收机的流水线A/D转换器设计

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微电子学 2010年第5期40卷 627-630页

作者：边程浩石寅倪卫宁景为平南通大学江苏省专用集成电路设计重点实验室江苏南通226019 中国科学院半导体研究所北京100083 中国科学院传感技术联合国家重点实验室北京100083

为一款支持802.11a/b/g协议的WLAN芯片设计了接收机内部的流水线A/D转换器。采用运放共享技术,减少了一半的运算放大器,节省了芯片面积,并降低了功耗。该A/D转换器采样速率为40 MHz,设计精度为10位,使用HJTC 0.18μm 1P6M CMOS工艺流片... 详细信息

为一款支持802.11a/b/g协议的WLAN芯片设计了接收机内部的流水线A/D转换器。采用运放共享技术,减少了一半的运算放大器,节省了芯片面积,并降低了功耗。该A/D转换器采样速率为40 MHz,设计精度为10位,使用HJTC 0.18μm 1P6M CMOS工艺流片并测试成功,当输入频率为1 MHz、无杂散动态范围为61.43 dB的正弦信号时,测得输出数字信号的无杂散动态范围为58.6 dB,信号与噪声谐波失真比为52.87 dB,有效位数为8.49位。

关键词： A/D转换器运放共享 WLAN接收机

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SiC MESFET伽马电离总剂量辐照特性研究

SiC MESFET伽马电离总剂量辐照特性研究

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第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会

作者：默江辉王勇李亮潘宏菽冯震蔡树军河北半导体研究所专用集成电路国家级重点实验室

成功制作了5mm栅宽SiC MESFET,初步研究了γ电离总剂量辐照对器件直流特性的影响。γ电离总剂量辐照源为钴60γ射线,γ射线剂量率为300rad(Si)/s,辐照总剂量为3.2×10～6rad(Si)。辐照前后测量器件直流特性表明,辐照后器件饱和电流... 详细信息

成功制作了5mm栅宽SiC MESFET,初步研究了γ电离总剂量辐照对器件直流特性的影响。γ电离总剂量辐照源为钴60γ射线,γ射线剂量率为300rad(Si)/s,辐照总剂量为3.2×10～6rad(Si)。辐照前后测量器件直流特性表明,辐照后器件饱和电流变化量为3.9%,夹断电压变化量为0.6%,n值变化量为3.2%,栅漏泄漏电流基本不变。

关键词： SiC MESFET γ电离总剂量辐照

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大直径InP单晶生长研究

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半导体技术 2009年第4期34卷 311-314页

作者：周晓龙杨克武杨瑞霞孙同年孙聂枫河北工业大学信息工程学院天津300130 专用集成电路国家重点实验室中国电子科技集团公司第十三研究所石家庄050051

生长高质量、大直径的单晶是当前InP晶体生长的发展方向,减少孪晶的产生一直是InP单晶生长技术的研究重点。通过对高压液封直拉法InP单晶生长过程中的几个重要因素包括加热器和保温系统、掺杂剂、坩埚和生长参数等的分析,设计了合适的... 详细信息

生长高质量、大直径的单晶是当前InP晶体生长的发展方向,减少孪晶的产生一直是InP单晶生长技术的研究重点。通过对高压液封直拉法InP单晶生长过程中的几个重要因素包括加热器和保温系统、掺杂剂、坩埚和生长参数等的分析,设计了合适的热场系统和生长条件,有效地降低了孪晶产生的几率。在自己设计并制造的高压单晶炉内首先将In和P进行合成,然后采用后加热器加热、坩埚随动等技术重复生长了直径为100～142 mm的大直径InP单晶。讨论了关于避免孪晶产生的关键技术,所提到的条件都得到优化后,单晶率就会大幅上升。

关键词：磷化铟直径孪晶热场液封直拉坩埚单晶

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Al在生长InGaN材料中的表面活化效应

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半导体技术 2008年第2期33卷 126-128页

作者：袁凤坡尹甲运刘波梁栋冯志宏河北半导体研究所专用集成电路国家级重点实验室石家庄050051

为了解决材料的界面平整度,改善材料的晶体质量,在Ⅲ-Ⅴ族氮化物(InGaN)材料的生长过程中,加入了Al掺杂剂。实验发现,InGaN材料的双晶衍射半宽从533 arcsec(非掺Al)下降到399 arcsec(轻掺Al),PL光谱半宽变窄,从21.4 nm(非掺Al)降为20.9 ... 详细信息

为了解决材料的界面平整度,改善材料的晶体质量,在Ⅲ-Ⅴ族氮化物(InGaN)材料的生长过程中,加入了Al掺杂剂。实验发现,InGaN材料的双晶衍射半宽从533 arcsec(非掺Al)下降到399 arcsec(轻掺Al),PL光谱半宽变窄,从21.4 nm(非掺Al)降为20.9 nm(轻掺Al)。研究结果表明,Al作为活性剂明显提高了InGaN材料质量,这将对改善LED和LD多量子阱材料和器件质量带来积极影响,目前还没有相关的文献报道。

关键词：金属有机物化学汽相淀积氮化镓铟镓氮铝活性剂

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InP中的深能级杂质与缺陷

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微纳电子技术 2008年第10期45卷 559-567页

作者：孙聂枫赵有文孙同年中国电子科技集团公司第十三研究所专用集成电路国家重点实验室石家庄050051 中国科学院半导体研究所北京100083

综述了近年来关于InP中深能级缺陷和杂质的研究工作。讨论了深能级杂质及缺陷对InP材料性能的重要影响;介绍了深能级瞬态谱(DLTS)、光致发光谱(PL)、热激电流谱(TSC)、正电子寿命谱(PAS)、正电子深能级瞬态谱(PDLTS)等几种研究深中心的... 详细信息

综述了近年来关于InP中深能级缺陷和杂质的研究工作。讨论了深能级杂质及缺陷对InP材料性能的重要影响;介绍了深能级瞬态谱(DLTS)、光致发光谱(PL)、热激电流谱(TSC)、正电子寿命谱(PAS)、正电子深能级瞬态谱(PDLTS)等几种研究深中心的方法在研究InP时的某些特点;综合深能级缺陷和电学性质的测试结果,证明了半绝缘InP单晶材料的电学性能、热稳定性、均匀性等与材料中一些深能级缺陷的含量密切相关;分析了对掺铁和非掺退火两种半绝缘InP材料中深能级缺陷对电学补偿的影响;评述了对InP中的一些深中心所取得的研究成果和半绝缘InP的形成机理。

关键词：磷化铟深能级杂质缺陷退火电学补偿半绝缘晶体

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InP中的深能级杂质与缺陷(续)

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微纳电子技术 2008年第11期45卷 621-626页

作者：孙聂枫赵有文孙同年中国电子科技集团公司第十三研究所专用集成电路国家重点实验室石家庄050051 中国科学院半导体研究所北京100083

4 SI-InP形成机理4.1掺Fe SI-InP形成机理通常SI-InP是通过在晶体生长过程中掺入一定量的Fe来制备的.

关键词： GeSi/Si共振隧穿二极管

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大直径InP单晶生长研究

大直径InP单晶生长研究

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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

作者：孙聂枫杨瑞霞周晓龙孙同年专用集成电路国家重点实验室中国电子科技集团公司第十三研究所石家庄 050051 河北工业大学信息工程学院天津 050051

本文通过对高压液封直拉法InP单晶生长过程的几个重要因素的分析,设计了合适的热场系统,有效地降低了孪晶产生的几率。在自己设计制造的高压单晶炉内首先将铟和磷进行合成,然后采用坩埚随动技术等重复生长了直径为100-142mm的大直径磷... 详细信息

本文通过对高压液封直拉法InP单晶生长过程的几个重要因素的分析,设计了合适的热场系统,有效地降低了孪晶产生的几率。在自己设计制造的高压单晶炉内首先将铟和磷进行合成,然后采用坩埚随动技术等重复生长了直径为100-142mm的大直径磷化铟单晶。本文讨论了关于避免孪晶产生的关键技术。

关键词：磷化铟液封直拉单晶生长热场系统孪晶

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显微光谱研究半绝缘GaAs带边以上E_0+Δ_0光学性质

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物理学报 2007年第7期56卷 4213-4217页

作者：包志华景为平罗向东谭平恒南通大学江苏省专用集成电路设计重点实验室南通226007 中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室北京100083

通过显微光致发光技术和显微拉曼(Raman)技术研究了半绝缘GaAs(SI-GaAs)晶体的带边附近的发光.在光荧光谱中,观察到在高于GaAs带边0.348eV处有一个新的荧光峰.结合Raman谱指认此发光峰来源于GaAs的E0+Δ0能级的非平衡荧光发射.同时,通... 详细信息

通过显微光致发光技术和显微拉曼(Raman)技术研究了半绝缘GaAs(SI-GaAs)晶体的带边附近的发光.在光荧光谱中,观察到在高于GaAs带边0.348eV处有一个新的荧光峰.结合Raman谱指认此发光峰来源于GaAs的E0+Δ0能级的非平衡荧光发射.同时,通过研究E0+Δ0能级的偏振、激发光强度依赖关系,以及温度依赖关系说明E0+Δ0能级与带边E0共享了共同的导带位置Γ6,同时这也说明在GaAs中主要是导带的性质决定了材料的光学行为.同时,通过与n-GaAs和δ掺杂GaAs相比较,半绝缘GaAs晶体的E0+Δ0能级的发光峰更能反映GaAs电子能级高临界点E0+Δ0的能量位置和物理性质.研究结果说明显微光致发光技术是研究半导体材料带边以上能级光学性质的一种非常有力的研究工具.

关键词：半绝缘GaAs 显微光致发光自旋轨道分裂

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