检索结果-内蒙古大学图书馆

物理学报 2006年第12期55卷 6701-6707页

作者：林子扬付哲刘立新胡涛屈军乐郭宝平牛憨笨深圳大学光电子学研究所光电子器件与系统教育部重点实验室广东省光电子器件与系统重点实验室深圳518060

五维同时荧光信息显微成像方法是一种新的荧光信息获取技术,它采用了双光子阵列点激发方式.这一方法可同时获取激发阵列点每点荧光的位置信息、荧光光谱信息和荧光寿命信息,弥补了现有荧光检测技术的不同功能信息不具有同时性的缺陷.给... 详细信息

五维同时荧光信息显微成像方法是一种新的荧光信息获取技术,它采用了双光子阵列点激发方式.这一方法可同时获取激发阵列点每点荧光的位置信息、荧光光谱信息和荧光寿命信息,弥补了现有荧光检测技术的不同功能信息不具有同时性的缺陷.给出了从这种技术的复合信息中提取复合光谱几何强度结构图像、不同光谱几何强度结构图像、不同光谱寿命图像的方法.提出了一种激发荧光强度修正系数矩阵方法,消除阵列点激发光强不均匀对激发荧光强弱产生的不利影响,取得明显效果.实验对实际样品做了数据采集和处理,给出图像结果,表明处理的效果良好.对存在的问题也作了讨论.

关键词：荧光信息处理双光子荧光光谱荧光寿命

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

氮化铝晶须的形态与生长条件的关系

引用

人工晶体学报 2006年第2期35卷 381-384,403页

作者：鲁枫郑瑞生刘文敬守勇武红磊孙秀明深圳大学光电子学研究所深圳518060 光电子器件与系统教育部重点实验室深圳518060 广东省光电子器件与系统重点实验室深圳518060

实验以氮化铝粉料为原料,在高纯氮气气氛下用物理气相法在密闭式和半开式钨坩锅内高温生长出氮化铝晶须;并对氮化铝晶须的结晶形态与生长条件的关系进行了分析和探讨。

关键词：氮化铝晶须物理气相法

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

低温AlN插入层降低硅基GaN膜微裂

引用

人工晶体学报 2006年第4期35卷 772-776页

作者：冯玉春刘晓峰王文欣彭冬生郭宝平深圳大学光电子学研究所广东省光电子器件与系统重点实验室光电子器件与系统教育部重点实验室深圳518060

为了降低MOCVD外延硅基GaN膜层中的应力、减少硅基厚GaN层的微裂;在高温GaN层中插入低温A lN。低温A lN插入层可平衡HT-GaN生长和降温过程引起的张应力,降低厚膜外延层的微裂,已研制出厚度超过1.8微米无微裂GaN外延层。本文重点研究了低... 详细信息

为了降低MOCVD外延硅基GaN膜层中的应力、减少硅基厚GaN层的微裂;在高温GaN层中插入低温A lN。低温A lN插入层可平衡HT-GaN生长和降温过程引起的张应力,降低厚膜外延层的微裂,已研制出厚度超过1.8微米无微裂GaN外延层。本文重点研究了低温A lN生长温度对HT-GaN材料的影响,给出了较佳的LT-A lN生长温度。采用扫描电子显微镜(SEM),原子力显微镜(AFM)和高分辨率双晶X射线衍射(DCXRD),对样品进行了测试分析。试验和测试结果表明低温A lN的生长温度至关重要,生长温度过低影响GaN晶体质量,甚至不能形成晶体;生长温度过高同样会影响GaN结晶质量,同时降低插入层的应力平衡作用;实验结果表明最佳的LT-A lN插入层的生长温度为680℃左右。

关键词： Si(111) GaN AIN

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

高重复频率触发模式皮秒扫描相机

引用

光子学报 2005年第3期34卷 442-444页

作者：郭宝平 B.Cunin 牛憨笨深圳大学光电子学研究所广东省光电子器件与系统重点实验室光电子器件与系统教育部重点实验室

讨论了高重复频率扫描电路的研制,利用此扫描电路研制了扫描相机,使用掺钛兰宝石激光器进行了时间分辨率的标定,使用半导体激光器作为光源进行了脉冲宽度的测试最高工作频率为1MHz,时间分辨率为1.

关键词：高重复频率扫描相机 MOS晶体管扫描电路

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

过渡层结构和生长工艺条件对S i基G aN的影响

引用

人工晶体学报 2005年第5期34卷 907-910,897页

作者：冯玉春胡加辉张建宝王文欣朱军山杨建文郭宝平深圳大学光电子学研究所广东省光电子器件与系统重点实验室光电子器件与系统教育部重点实验室深圳518060

为了提高MOCVD外延硅基GaN材料的质量,在硅(111)衬底上以HT-A lN为缓冲层,在缓冲层上再生长变组份过渡层后外延生长GaN。过渡层为多层复合结构,分为高温变组分A lGaN、GaN、低温A lN、高温变组分A lGaN。在高温生长A lGaN和GaN层中插入... 详细信息

为了提高MOCVD外延硅基GaN材料的质量,在硅(111)衬底上以HT-A lN为缓冲层,在缓冲层上再生长变组份过渡层后外延生长GaN。过渡层为多层复合结构,分为高温变组分A lGaN、GaN、低温A lN、高温变组分A lGaN。在高温生长A lGaN和GaN层中插入一层低温生长A lN以缓解降温过程中应力对厚GaN层的影响,为了缓慢释放热应力、采用合适的慢降温工艺。当外延层的厚度小于1.7微米时GaN外延层无龟裂,而厚度不断增加时,GaN外延层产生龟裂。本文研究了A lN缓冲层生长温度、高温变组分A lGaN生长过程中生长时间的变化对所生长GaN材料的影响。采用三维视频显微镜、高分辨率双晶X射线衍射(DCXRD)、扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和室温光致荧光光谱(RT-PL)对样品进行了测试分析。测试结果表明所研制的硅基GaN表面光亮、平整,过渡层的引入有利于降低外延层中应力,提高GaN结晶质量。

关键词： Si(111) CaN AlN AlGaN

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

Ni/ITO与p型GaN的欧姆接触

引用

发光学报 2005年第6期26卷 757-760页

作者：冯玉春张建宝朱军山杨建文胡加辉王文欣深圳大学光电子学研究所广东省光电子器件与系统重点实验室光电子器件与系统教育部重点实验室广东深圳518060

通过环形传输线方法(CTLM),电流-电压(I-V)曲线、光学透过率、表面形貌等手段,研究了N i层厚度和N i层的高温退火对N i/ITO与p型氮化镓接触特性的影响,探讨了N i/ITO-p-GaN欧姆接触的形成机制,提出了低温氧化N i金属层的方法。获得接触... 详细信息

通过环形传输线方法(CTLM),电流-电压(I-V)曲线、光学透过率、表面形貌等手段,研究了N i层厚度和N i层的高温退火对N i/ITO与p型氮化镓接触特性的影响,探讨了N i/ITO-p-GaN欧姆接触的形成机制,提出了低温氧化N i金属层的方法。获得接触电阻率(cρ)小于9.5×10-5Ω.cm2,透过率达到74%(470 nm)的N i/ITO-p-GaN电极。

关键词： p型氮化镓 Ni-铟锡氧化物(Ni/ITO) 欧姆接触

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

双缓冲层法在硅上外延生长GaN研究

引用

稀有金属 2005年第2期29卷 236-238页

作者：朱军山胡加辉徐岳生刘彩池冯玉春郭宝平河北工业大学材料学院天津300130 深圳大学光电子学研究所广东省光电子器件与系统重点实验室光电子器件与系统教育部重点实验室广东深圳518060

利用金属有机物化学金相沉积MOCVD在Si(111)衬底上,以高温AlN和低温GaN为缓冲层生长的GaN薄膜,得到GaN(0 0 0 2 )和(10-12 )的双晶X射线衍射(DCXRD)半高宽(FWHM )分别为72 1和840s。采用高分辨率DCXRD ,扫描电子显微镜(SEM )分析。结果... 详细信息

利用金属有机物化学金相沉积MOCVD在Si(111)衬底上,以高温AlN和低温GaN为缓冲层生长的GaN薄膜,得到GaN(0 0 0 2 )和(10-12 )的双晶X射线衍射(DCXRD)半高宽(FWHM )分别为72 1和840s。采用高分辨率DCXRD ,扫描电子显微镜(SEM )分析。结果表明,以10 40℃生长的AlN缓冲层能防止Ga与Si反应形成无定形的Si Ga结构,是后续生长的“模板”。低温的GaN缓冲层可有效减低外延层的缺陷。DCXRD测得的FWHM为0 .2 1,GaN峰强达7K。

关键词： Si(111) GaN 金属有机物化学气相沉积(MOCVD) 双晶X射线衍射(DCXRD)

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

大尺寸LCD-TV用冷阴极管的最新技术动向

引用

真空电子技术 2005年第6期18卷 17-20页

作者：周忠伟偰正才牛憨笨深圳大学光电子学研究所光电子器件与系统教育部重点实验室广东深圳518060

背光源的成本和性能指标的优劣是决定大尺寸液晶电视竞争力的关键因素,本文对目前大尺寸液晶电视用冷阴极管背光源技术的最新动向作简要介绍,并将之与其它新型背光源技术如平面光源以及发光二极管背光源技术相比较,从而得出目前以冷... 详细信息

背光源的成本和性能指标的优劣是决定大尺寸液晶电视竞争力的关键因素,本文对目前大尺寸液晶电视用冷阴极管背光源技术的最新动向作简要介绍,并将之与其它新型背光源技术如平面光源以及发光二极管背光源技术相比较,从而得出目前以冷阴极管作为大尺寸液晶电视背光源仍为主要趋势的结论。

关键词：背光源液晶电视冷阴极管发光二极管平面光源

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：