检索结果-内蒙古大学图书馆

物理学报 2006年第12期55卷 6701-6707页

作者：林子扬付哲刘立新胡涛屈军乐郭宝平牛憨笨深圳大学光电子学研究所光电子器件与系统教育部重点实验室广东省光电子器件与系统重点实验室深圳518060

五维同时荧光信息显微成像方法是一种新的荧光信息获取技术,它采用了双光子阵列点激发方式.这一方法可同时获取激发阵列点每点荧光的位置信息、荧光光谱信息和荧光寿命信息,弥补了现有荧光检测技术的不同功能信息不具有同时性的缺陷.给... 详细信息

五维同时荧光信息显微成像方法是一种新的荧光信息获取技术,它采用了双光子阵列点激发方式.这一方法可同时获取激发阵列点每点荧光的位置信息、荧光光谱信息和荧光寿命信息,弥补了现有荧光检测技术的不同功能信息不具有同时性的缺陷.给出了从这种技术的复合信息中提取复合光谱几何强度结构图像、不同光谱几何强度结构图像、不同光谱寿命图像的方法.提出了一种激发荧光强度修正系数矩阵方法,消除阵列点激发光强不均匀对激发荧光强弱产生的不利影响,取得明显效果.实验对实际样品做了数据采集和处理,给出图像结果,表明处理的效果良好.对存在的问题也作了讨论.

关键词：荧光信息处理双光子荧光光谱荧光寿命

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高重复频率触发模式皮秒扫描相机

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光子学报 2005年第3期34卷 442-444页

作者：郭宝平 B.Cunin 牛憨笨深圳大学光电子学研究所广东省光电子器件与系统重点实验室光电子器件与系统教育部重点实验室

讨论了高重复频率扫描电路的研制,利用此扫描电路研制了扫描相机,使用掺钛兰宝石激光器进行了时间分辨率的标定,使用半导体激光器作为光源进行了脉冲宽度的测试最高工作频率为1MHz,时间分辨率为1.

关键词：高重复频率扫描相机 MOS晶体管扫描电路

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铝基板上沉积氮化铝薄膜的制备及特性分析

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材料热处理学报 2008年第4期29卷 157-160页

作者：刘文杨清斗李华平王质武深圳大学光电子学研究所；广东省光电子器件与系统重点实验室；光电子器件与系统教育部重点实验室广东深圳518060

采用直流反应磁控溅射方法,在铝基板上制备了AlN薄膜。利用X射线衍射仪、带能量色散谱仪的扫描电子显微镜、阻抗特性测试仪、椭圆偏振光谱仪、大荷载划痕仪等对薄膜特性进行测试,分析了不同溅射工艺条件对生长薄膜的影响。结果表明,获... 详细信息

采用直流反应磁控溅射方法,在铝基板上制备了AlN薄膜。利用X射线衍射仪、带能量色散谱仪的扫描电子显微镜、阻抗特性测试仪、椭圆偏振光谱仪、大荷载划痕仪等对薄膜特性进行测试,分析了不同溅射工艺条件对生长薄膜的影响。结果表明,获得了化学计量比一致、结合力良好、击穿场强达112V/μm的(100)多晶择优取向AlN薄膜。

关键词：氮化铝反应磁控溅射 X射线衍射化学计量比击穿场强结合力

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硅基氮化铝薄膜的AFM和XPS分析

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压电与声光 2007年第6期29卷 723-725页

作者：刘文王质武杨清斗卫静婷深圳大学光电子学研究所广东省光电子器件与系统重点实验室光电子器件与系统教育部重点实验室广东深圳518060

在Si(111)基底上利用直流磁控溅射系统沉积氮化铝(AlN)薄膜,X-射线衍射分析薄膜结构和取向,原子力显微镜分析薄膜表面形貌,X-射线光电子能谱分析薄膜的元素化学价态和组分。结果表明,生长的AlN薄膜具有良好的(100)择优取向,其半峰宽为0.... 详细信息

在Si(111)基底上利用直流磁控溅射系统沉积氮化铝(AlN)薄膜,X-射线衍射分析薄膜结构和取向,原子力显微镜分析薄膜表面形貌,X-射线光电子能谱分析薄膜的元素化学价态和组分。结果表明,生长的AlN薄膜具有良好的(100)择优取向,其半峰宽为0.3°。薄膜表面粗糙度为0.23 nm,表面均方根粗糙度为0.30 nm,z轴方向最高突起约3.25 nm。薄膜表面组分为Al、N、O、C元素,其中C、O主要以物理吸附方式存在于薄膜表面,而Al、N元素的存在方式主要是Al—N化合物,深度剥蚀分析表明获得的AlN薄膜接近其化学计量比。

关键词：氮化铝直流磁控溅射原子力显微镜 X射线光电子能谱化学计量比

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过渡层结构和生长工艺条件对S i基G aN的影响

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人工晶体学报 2005年第5期34卷 907-910,897页

作者：冯玉春胡加辉张建宝王文欣朱军山杨建文郭宝平深圳大学光电子学研究所广东省光电子器件与系统重点实验室光电子器件与系统教育部重点实验室深圳518060

为了提高MOCVD外延硅基GaN材料的质量,在硅(111)衬底上以HT-A lN为缓冲层,在缓冲层上再生长变组份过渡层后外延生长GaN。过渡层为多层复合结构,分为高温变组分A lGaN、GaN、低温A lN、高温变组分A lGaN。在高温生长A lGaN和GaN层中插入... 详细信息

为了提高MOCVD外延硅基GaN材料的质量,在硅(111)衬底上以HT-A lN为缓冲层,在缓冲层上再生长变组份过渡层后外延生长GaN。过渡层为多层复合结构,分为高温变组分A lGaN、GaN、低温A lN、高温变组分A lGaN。在高温生长A lGaN和GaN层中插入一层低温生长A lN以缓解降温过程中应力对厚GaN层的影响,为了缓慢释放热应力、采用合适的慢降温工艺。当外延层的厚度小于1.7微米时GaN外延层无龟裂,而厚度不断增加时,GaN外延层产生龟裂。本文研究了A lN缓冲层生长温度、高温变组分A lGaN生长过程中生长时间的变化对所生长GaN材料的影响。采用三维视频显微镜、高分辨率双晶X射线衍射(DCXRD)、扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和室温光致荧光光谱(RT-PL)对样品进行了测试分析。测试结果表明所研制的硅基GaN表面光亮、平整,过渡层的引入有利于降低外延层中应力,提高GaN结晶质量。

关键词： Si(111) CaN AlN AlGaN

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氮化铝晶须的形态与生长条件的关系

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人工晶体学报 2006年第2期35卷 381-384,403页

作者：鲁枫郑瑞生刘文敬守勇武红磊孙秀明深圳大学光电子学研究所深圳518060 光电子器件与系统教育部重点实验室深圳518060 广东省光电子器件与系统重点实验室深圳518060

实验以氮化铝粉料为原料,在高纯氮气气氛下用物理气相法在密闭式和半开式钨坩锅内高温生长出氮化铝晶须;并对氮化铝晶须的结晶形态与生长条件的关系进行了分析和探讨。

关键词：氮化铝晶须物理气相法

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大功率GaN基发光二极管等效串联电阻的功率耗散及其对发光效率的影响

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物理学报 2008年第1期57卷 477-481页

作者：李炳乾刘玉华冯玉春佛山科学技术学院光电子与物理学系佛山528000 深圳大学光电子学研究所广东省光电子器件与系统重点实验室光电子器件与系统教育部重点实验室深圳518060

由于自加热效应的存在,大功率GaN基发光二极管(LED)的芯片温度有可能高出环境温度很多,实验中,芯片温度超出环境高达147K.从实验测量的大功率LED电流电压特性曲线中,将p-n结和等效串联电阻上的电压降落分离出来,得到了大功率LED等效串... 详细信息

由于自加热效应的存在,大功率GaN基发光二极管(LED)的芯片温度有可能高出环境温度很多,实验中,芯片温度超出环境高达147K.从实验测量的大功率LED电流电压特性曲线中,将p-n结和等效串联电阻上的电压降落分离出来,得到了大功率LED等效串联电阻随芯片温度的变化情况.在输入电功率自加热效应的影响下,大功率GaN基LED等效串联电阻呈现出剧烈的变化,其阻值由低输入功率时的1.2Ω降低到0.9Ω,然后再升高到1.9Ω,等效串联电阻的功率耗散在输入功率中所占的比例也随着输入功率的增加迅速增加,最高时接近50%,成为大功率输入时影响LED流明效率的主要因素.

关键词：自加热等效串联电阻发光二极管流明效率

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氮化铝薄膜的光学性质(英文)

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硅酸盐学报 2007年第5期35卷 616-618,623页

作者：刘文王质武杨清斗刘毅卫静婷唐伟群深圳大学光电子学研究所广东省光电子器件与系统重点实验室光电子器件与系统教育部重点实验室深圳大学师范学院深圳518060

采用直流磁控溅射法在石英衬底上制备了氮化铝(AlN)薄膜。用 X 射线衍射仪分析了薄膜结构。利用椭圆偏振仪和紫外/可见/近红外分光光度计对 AlN 薄膜进行了相关光学性能的研究,获得到了薄膜的折射率随波长的色散关系曲线。在波长为 250... 详细信息

采用直流磁控溅射法在石英衬底上制备了氮化铝(AlN)薄膜。用 X 射线衍射仪分析了薄膜结构。利用椭圆偏振仪和紫外/可见/近红外分光光度计对 AlN 薄膜进行了相关光学性能的研究,获得到了薄膜的折射率随波长的色散关系曲线。在波长为 250～1 000 nm,薄膜的折射率为 1.87～2.20。结合透射光谱图,分析了 AlN 薄膜的光学性质。结果表明:利用磁控溅射方法可以获得(100)择优取向 AlN 薄膜;AlN 薄膜在 200～300 nm 远紫外光范围内具有强烈的吸收,在 300～1000 nm 波长范围内具有良好的透过率。透射光谱图计算得到的薄膜厚度(427 nm)与椭圆偏振拟合得到的薄膜厚度(425 nm)一致。

关键词：氮化铝石英衬底折射率吸收系数透射光谱

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高辐射通量空间相干X射线管(英文)

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深圳大学学报（理工版） 2011年第4期28卷 311-315页

作者：郭金川周彬刘鑫任席奎牛憨笨深圳大学光电子学研究所光电子器件与系统教育部重点实验室广东省光电子器件与系统重点实验室深圳518060

针对光栅X射线相位衬度成像技术中如何获取高辐射通量和高空间相干的台式X射线源的问题,研制一种桌面X射线源.与传统X射线源不同,其阳极采用平行深沟道阵列的结构靶,灯丝发出的电子经加速聚焦后作用于结构靶,产生高辐射通量的一维相干X... 详细信息

针对光栅X射线相位衬度成像技术中如何获取高辐射通量和高空间相干的台式X射线源的问题,研制一种桌面X射线源.与传统X射线源不同,其阳极采用平行深沟道阵列的结构靶,灯丝发出的电子经加速聚焦后作用于结构靶,产生高辐射通量的一维相干X射线,其焦斑呈平行线阵列结构分布.将这种X射线管用于基于光栅的X射线相衬成像系统的光源,利用5步相移法得到了新鲜鸡翅的X射线相衬图像照片.

关键词： X射线产生 X射线管结构阳极焦斑相干性电子束

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中能X射线光栅相衬显微成像分析及模拟

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光学学报 2011年第10期31卷 286-291页

作者：黄建衡林丹樱刘振伟杨强郭金川牛憨笨深圳大学光电子学研究所教育部和广东省光电子器件与系统重点实验室广东深圳518060

理论分析了基于相位光栅分数塔尔博特效应的X射线相衬显微成像原理,采用菲涅耳衍射公式推导出相位光栅在两个不同距离处的成像结果公式。然后建立一个水合蛋白质细胞模型,对成像系统进行了参数设计,得出1～2keV的中能波段X射线是兼顾大... 详细信息

理论分析了基于相位光栅分数塔尔博特效应的X射线相衬显微成像原理,采用菲涅耳衍射公式推导出相位光栅在两个不同距离处的成像结果公式。然后建立一个水合蛋白质细胞模型,对成像系统进行了参数设计,得出1～2keV的中能波段X射线是兼顾大景深和高成像衬度的最优选择。针对10μm厚的细胞模型,选取1.5keV的中能X射线做模拟计算,采用多步相移法从模拟条纹图中恢复出了细胞模型的相位信息。模拟结果表明在相同信噪比下采用中能X射线得到的相衬图像比吸收图像具有更好的衬度和细节分辨率,为今后相关的实验奠定了基础。

关键词： X射线光学中能X射线显微术分数塔尔博特效应相位衬度

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