检索结果-内蒙古大学图书馆

注入晶体管的电磁脉冲可能会导致晶体管烧毁.本文借助2维数值仿真和理论分析研究了基极注入短电磁脉冲对双极型晶体管的作用,得出结论:晶体管的热斑位于基极边缘,由于该点既是电场峰所在又是电流最密集之处,热量产生相当集中,因此基极注入脉冲烧毁所需能量比其它两电极注入要少;在基极注入短脉冲作用下,晶体管烧毁所需能量几乎不随脉冲宽度变化;烧毁所需脉冲功率近似与脉冲宽度成反比.

关键词：二维器件数值仿真电磁脉冲双极型晶体管基极注入

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基于PETSc的半导体有源器件的仿真

基于PETSc的半导体有源器件的仿真

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全国第十二届微波集成电路与移动通信学术会议

作者：向凯杜正伟清华大学电子工程系微波与数字通信技术国家重点实验室北京 100084

电磁脉冲影响着电子设备的正常工作,而研究电磁脉冲对电子设备的影响可以通过研究电磁脉冲对构成电子系统的基本单元即半导体PN结的影响来进行.本文利用PETSc求解通过漂移、扩散理论所建立的半导体方程组所得结果与文献[1]的仿真结果是... 详细信息

电磁脉冲影响着电子设备的正常工作,而研究电磁脉冲对电子设备的影响可以通过研究电磁脉冲对构成电子系统的基本单元即半导体PN结的影响来进行.本文利用PETSc求解通过漂移、扩散理论所建立的半导体方程组所得结果与文献[1]的仿真结果是一致的,而且缩短了计算的时间.

关键词：电磁脉冲 PIN二极管半导体有源器件电子系统

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微波脉冲诱发闩锁效应的器件物理仿真研究

微波脉冲诱发闩锁效应的器件物理仿真研究

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2012全国第十四届微波集成电路与移动通信学术年会

作者：陈杰杜正伟清华大学电子工程系微波与数字通信技术国家重点实验室北京 100084

本文主要报道了由单个微波脉冲诱发CMOS反相器产生闩锁效应的研究成果.利用器件物理仿真,研究了闩锁效应与微波脉冲参数,如脉冲宽度、脉冲频率等的关系.仿真结果表明,在所研究的脉冲宽度范围内,引起闩锁效应的功率阈值与脉冲宽度基本成... 详细信息

本文主要报道了由单个微波脉冲诱发CMOS反相器产生闩锁效应的研究成果.利用器件物理仿真,研究了闩锁效应与微波脉冲参数,如脉冲宽度、脉冲频率等的关系.仿真结果表明,在所研究的脉冲宽度范围内,引起闩锁效应的功率阈值与脉冲宽度基本成反比,同时能量阈值基本保持相同.另外通过仿真结果观察到,微波脉冲对于引起闩锁效应的影响在较高的频率受到一定的抑制,这主要是由于半导体材料中的载流子的性质所决定的.此外,本文基于仿真结果以及文献中的实验结果,首次提出一个半经验理论模型.采用该理论模型,可以定量地评估脉冲宽度和脉冲频率对于引起闩锁效应的影响.

关键词：集成电路微波脉冲闩锁效应器件物理仿真

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唯象理论研究高温超导传输线的非线性特性

唯象理论研究高温超导传输线的非线性特性

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2000全国第八届微波集成电路与移动通信学术年会

作者：赵纲洪兴楠清华大学电子工程系微波与数字通信技术国家重点实验室北京100084

本文给出了唯象理论研究高温超导传输线非线性问题的理论和方法,仿真结果与实验结果十分吻合,并进一步对传输线的功率压缩和三阶交调等非线性特性进行了理论分析.

关键词：高温超导传输线唯象理论非线性特性功率压缩

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超导Fresne1公式及表面阻抗Zs的研究

超导Fresne1公式及表面阻抗Zs的研究

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1995年全国微波会议

作者：余铁军张雪霞高葆新吴培亨清华大学电子工程系微波与数字通信国重点实验室南京大学电子科学系

本文首次利用超导电动力学方程组推导和扩充了Fresncl's公式的内容,使之成为研究超导体界面的电磁特性的有力的数学工具;在此基础上对SIS结构和ISI结构进行了讨论;对常规金属在高低温下的表面阻抗及超导体的表面阻抗进行了研究.

关键词：伦敦穿透深度波阻抗 Fresne1 平面电磁波二流体模型反射系数金属片

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全金属无切缝腔体天线的技术研究

全金属无切缝腔体天线的技术研究

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2011年全国微波毫米波会议

作者：赵阳张志军冯正和李展清华大学电子工程系微波与数字通信国家重点实验室富士康科技集团

本文研究了采用全金属无切缝腔体作为手机天线辐射的可形性。其思路是将谐振腔一端口开路来向外辐射能量,从而实现在腔体内部无介质材料、在腔体外表面不切缝的情况下的无线通信功能。文中分析了天线终端短路和开路两种情况下天线的谐... 详细信息

本文研究了采用全金属无切缝腔体作为手机天线辐射的可形性。其思路是将谐振腔一端口开路来向外辐射能量,从而实现在腔体内部无介质材料、在腔体外表面不切缝的情况下的无线通信功能。文中分析了天线终端短路和开路两种情况下天线的谐振模式、工作带宽与增益方向图。考虑到手机空间限制,本文研究了1mm间隙的腔体天线结构,终端开路腔体天线可实现20MHz带宽和3.5dBi左右增益。

关键词：全金属腔体天线谐振模式终端开路终端短路

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功率放大器数字基带自适应预失真技术研究进展

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电讯技术 2007年第6期47卷 1-6页

作者：刘军艾渤武警工程学院通信工程系电子技术实验中心西安710086 清华大学电子工程系微波与数字通信国家重点实验室北京100084

阐述了目前国内外功率放大器(PA)线性化技术的研究状况,重点研究了其中最有应用前景的数字基带自适应预失真技术及其最新研究进展,分析并指出了相关方法的优缺点,并对其发展前景进行了展望。

关键词：功率放大器线性化技术数字基带自适应预失真

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基于TDMA卫星通信的上下行带宽分配策略分析

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移动通信 2011年第14期35卷 38-42页

作者：刘鑫马正新石荣清华大学微波与数字通信技术国家重点实验室中国电子科技集团公司第二十九研究所

在宽带卫星通信网中,MAC子层的接入协议起到关键的作用。文章从研究MAC层功能出发,设计了一种TDMA接入协议实现方案CRDAMA协议,对其关键技术进行了探讨和分析,通过仿真估算了该协议下的信道效率,给出了带宽分配优化策略分析。仿真结果... 详细信息

在宽带卫星通信网中,MAC子层的接入协议起到关键的作用。文章从研究MAC层功能出发,设计了一种TDMA接入协议实现方案CRDAMA协议,对其关键技术进行了探讨和分析,通过仿真估算了该协议下的信道效率,给出了带宽分配优化策略分析。仿真结果证明这种带宽分配策略能有效提高带宽利用率,实现宽带卫星通信网基于用户的QoS保证。

关键词： TDMA MAC CRDAMA 带宽分配策略帧效率丢包率

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片上网络近期热点研究综述

片上网络近期热点研究综述

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2008年中国计算机学会体系结构专委会学术年会(ACA'08)

作者：王鹏郏栋苏厉王飙江南计算技术研究所江苏无锡 214083 清华大学电子工程系国家微波与数字通信重点实验室北京 100084

随着多核/众核片上系统(SoC)时代的到来,片上网络(NOC)已经成为解决芯片内核间、模块间通信的关键技术,并受到业界及学术界的广泛关注.本文回顾了近年来片上网络研究的四个主要方向的最新成果,包括拓扑路由、深亚微米设计、性能评估优... 详细信息

随着多核/众核片上系统(SoC)时代的到来,片上网络(NOC)已经成为解决芯片内核间、模块间通信的关键技术,并受到业界及学术界的广泛关注.本文回顾了近年来片上网络研究的四个主要方向的最新成果,包括拓扑路由、深亚微米设计、性能评估优化和低功耗管理设计,并根据研究和应用需求提出我们的需求和展望.

关键词：片上网络拓扑路由深亚微米设计性能评估

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