有机薄膜晶体管(organic thin film transistors,OTFTs)具有质量轻、价格便宜、低温工艺、与柔性兼容等优点,近十年来得到了迅速的发展。目前OTFTs器件中还存在的一些问题,譬如载流子迁移率较低、驱动电压较高及器件的稳定性较差等。因...
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有机薄膜晶体管(organic thin film transistors,OTFTs)具有质量轻、价格便宜、低温工艺、与柔性兼容等优点,近十年来得到了迅速的发展。目前OTFTs器件中还存在的一些问题,譬如载流子迁移率较低、驱动电压较高及器件的稳定性较差等。因此,研究高性能的栅介质薄膜应用于OTFTs具有重要的理论意义和实际应用价值。本文采用常规退火和高压退火两种不同的工艺制备了ZrO2薄膜和ZrTiOx(ZTO)薄膜,研究了薄膜微观结构及介电、漏电性能。研究发现,对ZrO2或者ZTO薄膜在200℃退火处理条件下,薄膜均匀平滑,
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