检索结果-内蒙古大学图书馆

中国激光 2025年第5期 221-235页

作者：曹文彧孟令海雷孟铼李曙琨于果陈焕卿陈伟华胡晓东湖北文理学院物理与电子工程学院低维光电材料与器件湖北省重点实验室广西飓芯科技有限责任公司北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室

氮化镓（GaN）基激光二极管（LD）在激光显示、激光制造、可见光通信和量子信息技术等领域中具有广阔的应用前景，是第三代半导体光电子器件研究的前沿方向和产业发展的热点。然而，其性能和可靠性的提升仍面临科学和技术上的挑战。介绍... 详细信息

氮化镓（GaN）基激光二极管（LD）在激光显示、激光制造、可见光通信和量子信息技术等领域中具有广阔的应用前景，是第三代半导体光电子器件研究的前沿方向和产业发展的热点。然而，其性能和可靠性的提升仍面临科学和技术上的挑战。介绍了GaN基LD的发展现状，讨论了制约其性能提升的主要瓶颈问题，总结了研究团队在器件设计和材料外延方面的最新研究进展。研究团队提出了三维六角叠层掩模方法，实现了高位错密度区域的降维；建立了漏电流解析模型，揭示了电子阻挡层的作用机制；利用结晶恢复层提高了超厚多量子阱结构的外延质量，并阐明了其对发光性能的影响机理。这些研究为发展高性能GaN基LD提供了物理依据和技术支撑。最后对未来的研究重点进行了展望。

关键词：氮化镓激光二极管位错降低漏电流多量子阱

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一种新型的α-氨基酸荧光传感器及其在酶活性检测中的应用

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材料导报 2018年第14期32卷 2486-2490页

作者：程晓红屈少华钟志成湖北文理学院低维光电材料与器件湖北省重点实验室襄阳441053 湖北文理学院物理与电子工程学院襄阳441053

利用香豆素衍生物与铜离子形成配合物C1-Cu(Ⅱ),其可通过置换法检测α-氨基酸。在配合物C1-Cu(Ⅱ)的溶液中加入α-氨基酸后,表现出明显的荧光增强响应。其中,配合物C1-Cu(Ⅱ)对组氨酸的响应最灵敏,加入过量的组氨酸之后,体系在490nm处... 详细信息

利用香豆素衍生物与铜离子形成配合物C1-Cu(Ⅱ),其可通过置换法检测α-氨基酸。在配合物C1-Cu(Ⅱ)的溶液中加入α-氨基酸后,表现出明显的荧光增强响应。其中,配合物C1-Cu(Ⅱ)对组氨酸的响应最灵敏,加入过量的组氨酸之后,体系在490nm处的荧光强度增强了约135倍,而且荧光强度的变化与组氨酸浓度在一定范围内呈现较好的线性关系,通过计算可知,该配合物可实现对组氨酸的定量检测。由于胰蛋白酶可催化牛血清白蛋白水解生成α-氨基酸,因此,以牛血清白蛋白为酶基底,配合物C1-Cu(Ⅱ)亦可作为胰蛋白酶的荧光传感器,从而实现无需标记即可对胰蛋白酶进行特异性检测。

关键词：置换法荧光增强 α-氨基酸蛋白酶水溶性

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基于Ⅰ型核壳量子点的宽光谱响应的高效能量转移体系

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化学学报 2016年第4期74卷 330-334页

作者：陈美华潘峥尹月锋刘洁刘梦媛贾紫君梁桂杰低维光电材料与器件湖北省重点实验室湖北文理学院物理与电子工程学院襄阳441053 Department of Chemistry Emory University

针对常规F?rster共振能量转移(FRET)体系中能量转移效率低的问题,合成了可见光吸收的Ⅰ型CIS@Zn S核-壳量子点作为能量供体,近红外方酸(SQ)染料作为能量受体,采用超声自组装的方式首次制备了光谱匹配、间距可调的高效FRET能量转移体系.... 详细信息

针对常规F?rster共振能量转移(FRET)体系中能量转移效率低的问题,合成了可见光吸收的Ⅰ型CIS@Zn S核-壳量子点作为能量供体,近红外方酸(SQ)染料作为能量受体,采用超声自组装的方式首次制备了光谱匹配、间距可调的高效FRET能量转移体系.超快/时间分辨光谱证明了CIS和SQ之间的FRET能量转移机制:CIS*+SQ→CIS+SQ*.荧光猝灭动力学数据显示,CIS@Zn S与SQ之间的能量转移对量子点的尺寸存在依赖性,由CIS@Zn S尺寸增加引起的荧光量子产率和供体-受体间距的增加使得体系的FRET能量转移效率(ηFRET)先增大后减小,并且在壳层反应时间为20min时体系的ηFRET值达到最佳值62.8%.该研究对于开发新型、高效、全谱响应的太阳能电池将具有一定的理论及实际应用价值.

关键词： Ⅰ型量子点近红外染料宽光谱响应能量转移激子猝灭

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Fe_(2)O_(3)/C锂离子电池负极材料的制备及电化学性能研究

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功能材料 2023年第10期54卷 10175-10179,10230页

作者：刘科钟志成低维光电材料与器件湖北省重点实验室湖北襄阳441000 湖北文理学院物理与电子工程学院湖北襄阳441000

以纳米Fe_(2)O_(3)和乙炔炭黑为原料,通过加入不同质量分数(25%,35%,45%,55%)的乙炔炭黑制备出了Fe_(2)O_(3)/C负极材料,研究了乙炔炭黑占比对Fe_(2)O_(3)/C负极材料的晶体结构、微观形貌及电化学性能的影响。结果表明,Fe_(2)O_(3)/C负... 详细信息

以纳米Fe_(2)O_(3)和乙炔炭黑为原料,通过加入不同质量分数(25%,35%,45%,55%)的乙炔炭黑制备出了Fe_(2)O_(3)/C负极材料,研究了乙炔炭黑占比对Fe_(2)O_(3)/C负极材料的晶体结构、微观形貌及电化学性能的影响。结果表明,Fe_(2)O_(3)/C负极材料具有较高的结晶度,属于六方晶系结构,呈现出微球状颗粒,掺入适量的乙炔炭黑后改善了Fe_(2)O_(3)颗粒分布的均匀性,Fe_(2)O_(3)纳米颗粒被乙炔炭黑连接起来,形成了致密均匀的网格结构。以Fe_(2)O_(3)/C为负极材料制备了CR2025型纽扣电池,随着乙炔炭黑掺杂量的增大,Fe_(2)O_(3)/C负极材料的首次放电容量表现出先增大后降低的趋势,当乙炔炭黑的掺杂量为45%(质量分数)时,Fe_(2)O_(3)/C负极材料的首次放电容量达到最大值483.6 mAh/g。随着循环次数的增加,电池放电比容量衰减逐渐增大,放电过程中电压在0.15 V附近出现了较宽的放电平台,在达到30次充放电循环时,当乙炔炭黑的掺杂量为45%(质量分数)时,Fe_(2)O_(3)/C负极材料的放电比容量降低至115.6 mAh/g,保持率最高为23.91%,经过0.5,1.0,2.0和3.0 C的电流密度放电后,再将电流密度给定到0.5 C时,电池的放电容量变化较小,具有优异的倍率性能。

关键词： Fe_(2)O_(3)/C 锂离子电池负极材料乙炔炭黑电化学性能

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稀土上转换发光纳米晶的发光调控及传感应用

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稀土 2017年第1期38卷 114-125页

作者：王松程晓红梁桂杰钟志成湖北文理学院物理与电子工程学院低维光电材料与器件湖北省重点实验室湖北襄阳441053

对稀土上转换发光纳米晶的发光调控以及其在传感器方面的研究进行了简要综述,主要包括发光机制、发光性质的优化、颜色调控及其在DNA检测、p H值检测、金属离子、小分子和温度传感等方面的应用研究。但是如何更加有效地提高上转换发光... 详细信息

对稀土上转换发光纳米晶的发光调控以及其在传感器方面的研究进行了简要综述,主要包括发光机制、发光性质的优化、颜色调控及其在DNA检测、p H值检测、金属离子、小分子和温度传感等方面的应用研究。但是如何更加有效地提高上转换发光效率仍然是一个挑战。

关键词：稀土上转换发光纳米晶发光机制发光调控传感

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TiO_(2)/石墨烯纳米复合材料的制备及催化降解VOCs研究

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功能材料 2021年第10期52卷 10207-10211页

作者：刘科低维光电材料与器件湖北省重点实验室湖北襄阳441053 湖北文理学院物理与电子工程学院湖北襄阳441053

采用水热法制备了不同石墨烯含量(1%,2%,3%和4%)(质量分数)的TiO_(2)/石墨烯纳米复合材料。通过XRD、SEM、UV-Vis、拉曼光谱和降解效率测试等,对复合材料的物相结构、微观形貌、光学活性、分子结构和催化降解性能等进行了表征。结果表... 详细信息

采用水热法制备了不同石墨烯含量(1%,2%,3%和4%)(质量分数)的TiO_(2)/石墨烯纳米复合材料。通过XRD、SEM、UV-Vis、拉曼光谱和降解效率测试等,对复合材料的物相结构、微观形貌、光学活性、分子结构和催化降解性能等进行了表征。结果表明,4种TiO_(2)/石墨烯纳米复合材料的衍射峰均为标准的锐钛矿型TiO_(2)衍射峰,整体峰值较为尖锐,结晶度较高,随着石墨烯含量的增加,衍射峰的强度降低,峰面积减小,且TiO_(2)的晶相含量减少;随着石墨烯含量的增加,复合材料中石墨烯的片层明显增多,附着在石墨烯表面上的TiO_(2)颗粒显得分散,继续增加墨烯的含量,出现了部分团聚现象,TiO_(2)的颗粒较少;掺入石墨烯后,所有复合材料在可见光区域的吸收强度都得到了明显的增强,从区域面积来看,石墨烯含量越多,复合材料的吸收强度增加得越多,并且在320 nm以上的吸收有红移现象;随着石墨烯含量的增加,复合材料中锐钛矿相TiO_(2)的特征峰呈现出逐渐减弱的趋势;石墨烯的掺入可以显著提高复合材料的催化降解效率,当石墨烯的含量为3%(质量分数)时,复合材料在100 min时催化降解已经达到了平衡状态,降解效率最高达到91%,但当石墨烯的含量再升高时,复合材料对VOCs的催化降解效率出现了降低。

关键词： TiO_(2) 石墨烯复合材料催化降解 VOCs

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球形无规键无规场模型研究弛豫铁电体极化效应

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物理学报 2014年第4期63卷 305-310页

作者：屈少华曹万强湖北文理学院物理与电子工程学院低维光电材料与器件湖北省重点实验室襄阳441053 湖北大学材料科学与工程学院有机化工新材料湖北省协同创新中心武汉430062

基于球形无规键无规场模型和电场作用下弛豫铁电体微畴-宏畴机理,利用模糊畴界观点以及电场对极化的分数维效应,分析了电场对畴的作用机理.研究结果表明:电场对畴的诱导偶极子增量的极化效应导致了电滞回线的不饱和及相关的大的电致伸... 详细信息

基于球形无规键无规场模型和电场作用下弛豫铁电体微畴-宏畴机理,利用模糊畴界观点以及电场对极化的分数维效应,分析了电场对畴的作用机理.研究结果表明:电场对畴的诱导偶极子增量的极化效应导致了电滞回线的不饱和及相关的大的电致伸缩效应;而畴的偶极子增量耦合时结合能的变化对低电场的电滞回线略有影响,但基本不会改变高电场时的极化状态.初始微畴大小对电滞回线非常重要,细小的微畴会导致细长的电滞回线及电场与电致伸缩良好的线性关系.

关键词：弛豫铁电体极化电致伸缩

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脱硫化反应在汞离子传感器中的应用进展

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化工进展 2015年第8期34卷 2925-2931页

作者：程晓红王松湖北文理学院低维光电材料与器件湖北省重点实验室湖北襄阳441053 湖北文理学院物理与电子工程学院湖北襄阳441053

汞离子具有独特的嗜硫性,因此脱硫化反应被广泛地应用于汞离子传感器的设计之中,并表现出超高的选择性。本文在前期研究工作的基础上,结合相关文献报道,综述了脱硫化反应在汞离子化学传感器中的应用,包括汞离子与硫代羰基化合物发生脱... 详细信息

汞离子具有独特的嗜硫性,因此脱硫化反应被广泛地应用于汞离子传感器的设计之中,并表现出超高的选择性。本文在前期研究工作的基础上,结合相关文献报道,综述了脱硫化反应在汞离子化学传感器中的应用,包括汞离子与硫代羰基化合物发生脱硫反应、汞诱导硫脲衍生物脱硫化氢生成胍类化合物的反应、汞诱导的方酸化合物脱硫醇反应、汞促进氨基硫脲转化为二唑反应以及缩硫醛化合物的脱保护反应。分析文献表明,该领域的研究目前仍存在一些尚未解决的问题:有些化学反应的反应条件较苛刻;有些化学反应在室温下反应速率较慢;一些传感体系对汞离子检测的灵敏度较低。因此,需要更好地利用化学反应,探索并优化传感条件,为反应型汞离子传感器的发展提供更多契机。

关键词：有机化合物传感器选择性化学反应汞离子

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激发态分子内质子转移:一种新型的传感机制及其在荧光传感器中的应用

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材料导报 2015年第13期29卷 49-57页

作者：程晓红钟志成王松湖北文理学院低维光电材料与器件湖北省重点实验室襄阳441053 湖北文理学院物理与电子工程学院襄阳441053

荧光传感器具有灵敏度高、专一性强、样品处理简易及操作过程方便、响应速度快、可用于体内和体外成像研究等优点,颇受人们的青睐。在新型荧光传感器的设计中,传感器识别单元与信号报告单元之间的传感机制一直受到人们的广泛关注。随着... 详细信息

荧光传感器具有灵敏度高、专一性强、样品处理简易及操作过程方便、响应速度快、可用于体内和体外成像研究等优点,颇受人们的青睐。在新型荧光传感器的设计中,传感器识别单元与信号报告单元之间的传感机制一直受到人们的广泛关注。随着超分子科学的发展,一些新型的传感机制被应用于传感器的设计中。其中,基于激发态分子内质子转移(ESIPT)机理的荧光传感器通常具有发光强、斯托克斯位移较大、光稳定性好等优异特性,表现出良好的传感性能。综述了ESIPT这种新型的荧光传感机制的研究进展,包括此传感机制的基本原理,其在荧光传感器设计中的应用,并展望了该领域的发展趋势。

关键词：传感机制激发态分子内质子转移化学传感器比率荧光

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超晶格插入层对InGaN/GaN多量子阱的应变调制作用

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物理学报 2024年第7期73卷 292-299页

作者：曹文彧张雅婷魏彦锋朱丽娟徐可颜家圣周书星胡晓东湖北文理学院物理与电子工程学院低维光电材料与器件湖北省重点实验室襄阳441053 湖北台基半导体股份有限公司大功率半导体技术湖北省重点实验室襄阳441021 武汉大学电子制造与封装集成湖北省重点实验室武汉430072 北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室北京100871

在InGaN/GaN异质结构量子阱内存在巨大的压电极化场,这严重地削弱了量子阱的发光效率.为了减弱量子阱内的压电极化场,通常引入应变调制插入层提升器件的发光性能.为了研究InGaN/GaN超晶格的应变调制效果和机理,实验设计制备了具有n型InG... 详细信息

在InGaN/GaN异质结构量子阱内存在巨大的压电极化场,这严重地削弱了量子阱的发光效率.为了减弱量子阱内的压电极化场,通常引入应变调制插入层提升器件的发光性能.为了研究InGaN/GaN超晶格的应变调制效果和机理,实验设计制备了具有n型InGaN/GaN超晶格插入层的外延结构及其对照样品.变温光致发光谱测试表明引入n型InGaN/GaN超晶格插入层的样品发光波长更短且内量子效率提升,相应的电致发光谱积分强度也显著增加且半宽减小,说明引入超晶格应变插入层可以在一定程度上抑制影响发光效率的量子限制Stark效应.理论计算结果表明:在生长有源区量子阱前引入超晶格应变层,可以削弱有源区量子阱内极化内建电场,减弱有源区量子阱能带倾斜,增加电子空穴波函数交叠,提高发射几率,缩短辐射复合寿命,有利于辐射复合与非辐射复合的竞争,实现更高的复合效率,从而提高发光强度.本文从实验和理论两方面验证了超晶格应变调制插入层可以有效改善器件性能,为器件的结构设计优化指明方向.

关键词： GaN 多量子阱超晶格应变调制

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