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T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

检索规则说明：

AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

检索范例：

范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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文献类型

85 篇 专利
5 件 标准

馆藏范围

90 篇 电子文献
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机构

64 篇 湖南启泰传感科技...
12 篇 湖南亿泰启智能电...
6 篇 湖南泰启信息科技...
4 篇 广东启泰传感科技...
1 篇 中国食品药品检定...
1 篇 宁波中车时代传感...
1 篇 上海科信检测科技...
1 篇 天津新智感知科技...
1 篇 上海映矽传感技术...
1 篇 南京沃天科技股份...
1 篇 河南芯睿电子科技...
1 篇 中国船舶集团有限...
1 篇 唐钢威立雅水务有...
1 篇 江苏普诺威电子股...
1 篇 湖北开特启泰传感...
1 篇 东南大学
1 篇 东莞市科信新能源...
1 篇 中电投工程研究检...
1 篇 华景传感科技有限...
1 篇 山东中科思尔科技...

作者

64 篇 王国秋
28 篇 魏小林
27 篇 黄坚
24 篇 陈璀
13 篇 马国红
12 篇 陈雄武
10 篇 王维忠
10 篇 唐先林
8 篇 肖育军
8 篇 黎少飞
6 篇 李彬清
4 篇 谢珍
4 篇 胡泽迁
4 篇 肖杰
4 篇 王洪业
3 篇 陈建波
3 篇 彭卓
3 篇 张育民
2 篇 杨艳
2 篇 黄梓鑫

语言

90 篇 中文

检索条件"机构=湖南启泰传感科技有限公司"

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排序：

一种光刻胶及其光刻工艺

一种光刻胶及其光刻工艺

引用

作者：王国秋黄坚陈璀 410323 湖南省长沙市浏阳高新技术开发区鼎盛路22号

本发明提供一种光刻胶，包括含酚树脂、溶剂和感光剂，其中溶剂为丙二醇甲醚醋酸脂与碳酸丙烯脂的混合溶剂。本发明还提供一种光刻胶的光刻工艺，包括：在基片衬底上喷涂本发明的光刻胶；将喷涂完光刻胶的基底进行真空干燥、烘烤、曝光... 详细信息

标准号: CN111983890B

本发明提供一种光刻胶，包括含酚树脂、溶剂和感光剂，其中溶剂为丙二醇甲醚醋酸脂与碳酸丙烯脂的混合溶剂。本发明还提供一种光刻胶的光刻工艺，包括：在基片衬底上喷涂本发明的光刻胶；将喷涂完光刻胶的基底进行真空干燥、烘烤、曝光和显影。本发明的光刻胶可以显著提升光刻胶的流平性，有效减轻光刻胶涂布后边缘堆积，解决基片衬底边缘光刻胶堆积导致的显影残留问题；本发明的光刻工艺能够改善光刻胶内部无规则的溢流，从而解决干燥后基底中间区域光刻胶膜厚均匀性差的问题，从而提升光刻胶的膜厚均匀性，提升芯片产品的性能。

关键词：光刻胶光刻工艺溶剂喷涂显影堆积基底中间区域丙二醇甲醚光刻胶涂布膜厚均匀性碳酸丙烯脂衬底边缘光刻胶膜含酚树脂混合溶剂均匀性差芯片产品醋酸脂感光剂后边缘流平性无规则烘烤衬底基底溢流残留曝光

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一种压力变送器、压力检测装置以及工程机械

一种压力变送器、压力检测装置以及工程机械

引用

作者：王国秋魏小林陈雄武马国红唐先林 410300 湖南省长沙市浏阳高新技术开发区鼎盛路22号

本发明公开了一种压力变送器、压力检测装置以及工程机械，压力变送器包括相互连接成为一体的电连接器和引压嘴，引压嘴中设有压力检测通路和用于检测压力检测通路中压力的压力敏感元件，电连接器内设有信号调理电路板，压力敏感元件、... 详细信息

标准号: CN110411648B

本发明公开了一种压力变送器、压力检测装置以及工程机械，压力变送器包括相互连接成为一体的电连接器和引压嘴，引压嘴中设有压力检测通路和用于检测压力检测通路中压力的压力敏感元件，电连接器内设有信号调理电路板，压力敏感元件、信号调理电路板、电连接器依次电连接；此外，压力变送器还包括为信号调理电路板兼具屏蔽和散热功能的金属屏蔽罩、用于缓冲被检测高压介质冲击的压力缓冲通道；压力检测装置以及工程机械则均包含前述压力变送器。本发明结构小巧紧凑，能够防止振动造成电路板松动，解决电路板长时间工作发热的问题且屏蔽外界的电磁干扰信号，电路板连接组装方便快捷，能有效缓冲高压介质对压力敏感元件的冲击。

关键词：压力变送器信号调理电路板压力敏感元件电连接器压力检测装置电路板工程机械压力检测引压嘴屏蔽电磁干扰信号电路板连接金属屏蔽罩防止振动高压介质缓冲高压散热功能压力缓冲组装方便电连接检测缓冲发热紧凑松动

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一种温度压力一体化传感器

一种温度压力一体化传感器

引用

作者：王国秋王维忠黄坚 410306 湖南省长沙市浏阳市浏阳高新技术产业开发区鼎盛路22号

本发明属于传感器结构技术领域，以解决现有技术中压敏元件和温敏元件最佳工作温度并不一致的技术问题，基于此，提供了一种温度压力一体化传感器，包括相焊接的上壳体和下壳体、支撑架、电路板和塑胶外壳，所述支撑架设置在上壳体内部... 详细信息

标准号: CN114659561B

本发明属于传感器结构技术领域，以解决现有技术中压敏元件和温敏元件最佳工作温度并不一致的技术问题，基于此，提供了一种温度压力一体化传感器，包括相焊接的上壳体和下壳体、支撑架、电路板和塑胶外壳，所述支撑架设置在上壳体内部，所述电路板设置在支撑架上，所述塑胶外壳设置在支撑架上方并与上壳体顶部连接，所述下壳体下端由上至下依次成型有螺纹连接头和第一凸台，所述第一凸台呈圆柱状结构且第一凸台的直径小于螺纹连接头的直径；所述第一凸台下端向下成型有测温探针。本发明所述的温度压力传感器一体化封装结构增大了温敏元件与被测介质的接触面和热传递效率，减小压敏元件与被测介质的接触面和热传递效率。

关键词：支撑架凸台电路板热传递效率被测介质塑胶外壳温敏元件下壳体成型温度压力传感器一体化封装结构一体化传感器直径小于螺纹传感器结构螺纹连接头上壳体顶部圆柱状结构测温探针温度压力压敏元件连接头上壳体体内部减小上壳下端中压焊接

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一种用于金属基底压敏芯片的曝光装置及其应用方法

一种用于金属基底压敏芯片的曝光装置及其应用方法

引用

作者：王国秋彭卓黄梓鑫曾祥玥 410323 湖南省长沙市浏阳高新技术开发区鼎盛路22号

本发明公开了一种用于金属基底压敏芯片的曝光装置及其应用方法，本发明用于金属基底压敏芯片的曝光装置包括底座和设于底座上的曝光组件，曝光组件的下侧设有用于放置多个被曝光金属基底压敏芯片的治具，底座上设有用于调节切换治具上... 详细信息

标准号: CN117434797A

本发明公开了一种用于金属基底压敏芯片的曝光装置及其应用方法，本发明用于金属基底压敏芯片的曝光装置包括底座和设于底座上的曝光组件，曝光组件的下侧设有用于放置多个被曝光金属基底压敏芯片的治具，底座上设有用于调节切换治具上的被曝光金属基底压敏芯片的位置的XY轴移动平台，XY轴移动平台上设有用于调节治具的转动方向的转台，治具布置在转台上，底座上在位于治具的上侧设有用于拍摄治具的相机；本发明用于金属基底压敏芯片的曝光装置的应用方法包括针对治具上的被曝光金属基底压敏芯片进行步进式曝光作业。本发明旨在实现被曝光金属基底压敏芯片的批量曝光作业，提升曝光效率、确保同批产品的曝光位置一致性和可靠性。

关键词：压敏芯片金属基治具底座曝光装置曝光曝光组件步进式曝光曝光位置曝光效率转台应用转动相机拍摄

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一种光刻胶及其光刻工艺

一种光刻胶及其光刻工艺

引用

作者：王国秋黄坚陈璀 410323 湖南省长沙市浏阳高新技术开发区鼎盛路22号

本发明提供一种光刻胶，包括含酚树脂、溶剂和感光剂，其中溶剂为丙二醇甲醚醋酸脂与碳酸丙烯脂的混合溶剂。本发明还提供一种光刻胶的光刻工艺，包括：在基片衬底上喷涂本发明的光刻胶;将喷涂完光刻胶的基底进行真空干燥、烘烤、曝光...

标准号: CN111983890B

本发明提供一种光刻胶，包括含酚树脂、溶剂和感光剂，其中溶剂为丙二醇甲醚醋酸脂与碳酸丙烯脂的混合溶剂。本发明还提供一种光刻胶的光刻工艺，包括：在基片衬底上喷涂本发明的光刻胶;将喷涂完光刻胶的基底进行真空干燥、烘烤、曝光和显影。本发明的光刻胶可以显著提升光刻胶的流平性，有效减轻光刻胶涂布后边缘堆积，解决基片衬底边缘光刻胶堆积导致的显影残留问题;本发明的光刻工艺能够改善光刻胶内部无规则的溢流，从而解决干燥后基底中间区域光刻胶膜厚均匀性差的问题，从而提升光刻胶的膜厚均匀性，提升芯片产品的性能。

关键词：

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用于金属基底压敏芯片的电阻应变膜加工控制方法及系统

用于金属基底压敏芯片的电阻应变膜加工控制方法及系统

引用

作者：王国秋彭卓王磊 410323 湖南省长沙市浏阳高新技术开发区鼎盛路22号

本发明公开了一种用于金属基底压敏芯片的电阻应变膜加工控制方法及系统，本发明用于金属基底压敏芯片的电阻应变膜加工控制方法包括：获取已加工好的电阻应变膜的电阻值；将电阻值转换为电阻应变膜的实测厚度；计算实测厚度、参考厚度... 详细信息

标准号: CN117606342A

本发明公开了一种用于金属基底压敏芯片的电阻应变膜加工控制方法及系统，本发明用于金属基底压敏芯片的电阻应变膜加工控制方法包括：获取已加工好的电阻应变膜的电阻值；将电阻值转换为电阻应变膜的实测厚度；计算实测厚度、参考厚度之间的厚度差值；根据厚度差值调整电阻应变膜的加工参数以使得实测厚度接近参考厚度。本发明旨在实现对电阻应变膜的厚度的精确控制，降低为了实现纳米级别的电阻应变膜的厚度检测所需的设备和方法成本，降低金属基底压敏芯片的电阻应变膜加工控制设备的成本。

关键词：电阻应变压敏芯片金属基膜加工实测电阻差值调整厚度检测加工参数控制设备纳米级别参考转换加工

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一种智能室外消火栓远程水压监测终端及智能室外消火栓

一种智能室外消火栓远程水压监测终端及智能室外消火栓

引用

作者：王国秋魏小林陈雄武马国红唐先林 410300 湖南省长沙市浏阳高新技术开发区鼎盛路22号

本发明公开了一种智能室外消火栓远程水压监测终端及消火栓，监测终端包括依次相连的监测终端本体、护线套管和水压检测探头，监测终端本体内设有控制单元，监测终端本体中部设有通孔且底部设有用于插入安装在消火栓顶端开孔内的安装座... 详细信息

标准号: CN110398312B

本发明公开了一种智能室外消火栓远程水压监测终端及消火栓，监测终端包括依次相连的监测终端本体、护线套管和水压检测探头，监测终端本体内设有控制单元，监测终端本体中部设有通孔且底部设有用于插入安装在消火栓顶端开孔内的安装座，水压检测探头的顶部设有用于安装在消火栓阀芯上的贯穿孔的安装柱，水压检测探头上设有压力传感器单元，压力传感器单元的电缆穿过安装柱的内孔后经密封的护线套管与控制单元电连接；消火栓包括前述监测终端。本发明安装方便快捷，采用低功耗设计，使用寿命长，可适应于超低温下系统正常工作，具备准确及时感应消防水压、水温变化，对消火栓位置，盗取、撞击、倾斜、取水/漏水状态的准确实时监测功能。

关键词：消火栓监测终端水压检测探头压力传感器单元护线套管安装柱低功耗设计室外消火栓超低温安装方便插入安装电缆穿过顶端开孔实时监测使用寿命水温变化水压监测消防水压依次相连安装座电连接贯穿孔漏水阀芯内孔取水通孔密封终端智能

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一种户外消防栓水压实时监测装置

一种户外消防栓水压实时监测装置

引用

作者：王国秋魏小林黎少飞 410300 湖南省长沙市浏阳高新技术开发区鼎盛路22号

本发明公开了一种户外消防栓水压实时监测装置，包括中部带有内孔的连接法兰盒体，所述连接法兰盒体在内孔内壁上安装有压力传感器，所述连接法兰盒体内安装有电源组件和水压监测电路组件，所述压力传感器和电源组件分别与水压监测电路... 详细信息

标准号: CN109238549B

本发明公开了一种户外消防栓水压实时监测装置，包括中部带有内孔的连接法兰盒体，所述连接法兰盒体在内孔内壁上安装有压力传感器，所述连接法兰盒体内安装有电源组件和水压监测电路组件，所述压力传感器和电源组件分别与水压监测电路组件相连。本发明能够实现对户外消防栓水压实时监测以及装置信息的采集，安装在室外消防栓与消防管道供水口之间的法兰连接处，外形和大小正好匹配等同安装一个较厚的法兰密封垫，无需对消防栓进行任何结构改造，具有可靠性好、安全性高、使用寿命长的优点。

关键词：连接法兰水压监测电路水压实时监测户外消防栓电源组件盒体法兰连接处法兰密封垫室外消防栓压力传感器消防栓结构改造使用寿命消防管道装置信息供水口孔内壁有压力传感器内孔匹配体内采集

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一种用于金属基底压敏芯片的曝光装置

一种用于金属基底压敏芯片的曝光装置

引用

作者：王国秋彭卓黄梓鑫曾祥玥 410323 湖南省长沙市浏阳高新技术开发区鼎盛路22号

本实用新型公开了一种用于金属基底压敏芯片的曝光装置包括底座和设于底座上的曝光组件，曝光组件的下侧设有用于放置多个被曝光金属基底压敏芯片的治具，底座上设有用于调节切换治具上的被曝光金属基底压敏芯片的位置的XY轴移动平台，X...

标准号: CN221551067U

本实用新型公开了一种用于金属基底压敏芯片的曝光装置包括底座和设于底座上的曝光组件，曝光组件的下侧设有用于放置多个被曝光金属基底压敏芯片的治具，底座上设有用于调节切换治具上的被曝光金属基底压敏芯片的位置的XY轴移动平台，XY轴移动平台上设有用于调节治具的转动方向的转台，治具布置在转台上，底座上在位于治具的上侧设有用于拍摄治具的相机;本实用新型用于金属基底压敏芯片的曝光装置的应用方法包括针对治具上的被曝光金属基底压敏芯片进行步进式曝光作业。本实用新型旨在实现被曝光金属基底压敏芯片的批量曝光作业，提升曝光效率、确保同批产品的曝光位置一致性和可靠性。

关键词：

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一种金属基薄膜压敏芯片研磨抛光工艺

一种金属基薄膜压敏芯片研磨抛光工艺

引用

作者：王国秋 410323 湖南省长沙市浏阳市浏阳高新技术产业开发区鼎盛路22号

本发明公布了一种金属基薄膜压敏芯片研磨抛光工艺，涉及半导体和传感器加工技术领域，包括下料、成型、研磨减薄、填充合金液、单面研磨、单面抛光、清洗、测试变形量和粗糙度、二次清洗、微电子电路加工的加工步骤。本发明的目的是提... 详细信息

标准号: CN112720082B

本发明公布了一种金属基薄膜压敏芯片研磨抛光工艺，涉及半导体和传感器加工技术领域，包括下料、成型、研磨减薄、填充合金液、单面研磨、单面抛光、清洗、测试变形量和粗糙度、二次清洗、微电子电路加工的加工步骤。本发明的目的是提供一种金属基薄膜压敏芯片研磨抛光工艺，设计科学，工艺完善，能够解决低量程芯片基底在研磨抛光过程中，金属基薄膜压敏芯片的敏感膜片容易变形的问题，能够避免敏感膜片在单面研磨和单面研磨的过程中发生变形，从而减少金属基薄膜压敏芯片的敏感膜片粗糙度和变形量。

关键词：金属基薄膜压敏芯片单面研磨敏感膜片研磨抛光工艺变形量粗糙度研磨抛光过程传感器加工微电子电路单面抛光二次清洗工艺完善加工步骤研磨变形的低量程合金液基底减薄下料填充半导体成型清洗变形芯片测试加工

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