检索结果-内蒙古大学图书馆

半导体技术 2010年第7期35卷 691-694,698页

作者：周斌邱宝军电子元器件可靠性物理及其应用技术国防科技重点实验室广州510610

采用显微形貌、微观结构和元素成分分析等物理分析方法,以不同类型的化镍浸金(electroless nickel/immersion gold,ENIG)基板为对象,分析了其焊点在不同情形下的失效模式和失效机理,阐述了"黑盘"缺陷的主要失效特征,研究了具... 详细信息

采用显微形貌、微观结构和元素成分分析等物理分析方法,以不同类型的化镍浸金(electroless nickel/immersion gold,ENIG)基板为对象,分析了其焊点在不同情形下的失效模式和失效机理,阐述了"黑盘"缺陷的主要失效特征,研究了具有黑盘缺陷的化镍浸金基板的重工工艺。研究结果显示,Ni层断裂表面单一的高P含量或轻微Ni层腐蚀不能作为黑盘缺陷的唯一依据,已形成良好金属间化合物(intermetallic compound,IMC)层的Ni层腐蚀位置的焊接界面仍具有良好的机械结合强度,采用喷锡工艺(hot air solder level,HASL)对具有黑盘缺陷的化镍浸金基板进行重新处理切实可行。

关键词：化镍浸金焊点失效机理黑焊盘重工金属间化合物

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ENIG黑焊盘的原因分析及其对焊点质量的影响

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电子显微学报 2014年第5期33卷 436-440页

作者：李晓倩施明哲邹雅冰可靠性研究与分析中心中国赛宝实验室广东广州510610 电子元器件可靠性物理及其应用技术国防科技重点实验室广东广州510610

本文利用扫描电子显微镜(SEM)和X射线能谱分析仪(EDS)以及金相切片等物理分析手段,研究了化镍浸金(ENIG)焊盘润湿不良及焊后发黑的根本原因,即镍层由于遭受浸金药水的过度攻击而产生了严重的氧化腐蚀。镍层的腐蚀不仅会降低焊盘可焊性,... 详细信息

本文利用扫描电子显微镜(SEM)和X射线能谱分析仪(EDS)以及金相切片等物理分析手段,研究了化镍浸金(ENIG)焊盘润湿不良及焊后发黑的根本原因,即镍层由于遭受浸金药水的过度攻击而产生了严重的氧化腐蚀。镍层的腐蚀不仅会降低焊盘可焊性,也会极大减弱焊点界面的结合强度,造成焊盘润湿不良或焊点开裂失效。

关键词： ENIG焊盘焊盘发黑氧化腐蚀焊点质量

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阱接触面积对PMOS单粒子瞬态脉冲宽度的影响

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计算机工程与科学 2015年第6期37卷 1053-1057页

作者：刘蓉容池雅庆何益百窦强国防科学技术大学计算机学院湖南长沙410073 电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室广东广州510610

使用TCAD模拟工具分析了纳米工艺下阱接触面积对PMOS SET脉冲宽度的影响。结果表明,纳米工艺下,当存在脉冲窄化效应时,增加阱接触面积会导致SET脉冲变宽,这与传统的通过增加阱接触面积可抑制SET脉冲的观点正好相反。同时,还分析了不同... 详细信息

使用TCAD模拟工具分析了纳米工艺下阱接触面积对PMOS SET脉冲宽度的影响。结果表明,纳米工艺下,当存在脉冲窄化效应时,增加阱接触面积会导致SET脉冲变宽,这与传统的通过增加阱接触面积可抑制SET脉冲的观点正好相反。同时,还分析了不同入射粒子LET值以及晶体管间距条件对该现象的作用趋势。

关键词：阱接触面积单粒子瞬态 PMOS 脉冲宽度

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宽度和长度缩减对体硅和SOI nMOSFETs热载流子效应的影响

引用

计算机工程与科学 2014年第5期36卷 786-789页

作者：池雅庆刘蓉容陈建军国防科学技术大学计算机学院湖南长沙410073 电子元器件可靠性物理及其应用技术国家重点实验室广东广州510610

针对标准体硅在CMOS和PD SOI CMOS两种工艺下的nMOSFETs,研究了沟道长度和宽度缩减对热载流子效应的影响。实验结果表明,在两种工艺下,热载流子的退化均随着沟道长度的减小而增强;然而,宽度的减小对两种工艺热载流子退化的影响却截然不... 详细信息

针对标准体硅在CMOS和PD SOI CMOS两种工艺下的nMOSFETs,研究了沟道长度和宽度缩减对热载流子效应的影响。实验结果表明,在两种工艺下,热载流子的退化均随着沟道长度的减小而增强;然而,宽度的减小对两种工艺热载流子退化的影响却截然不同:体硅工艺的热载流子退化随宽度的减小而增强,SOI工艺的热载流子退化随宽度的减小而减小。基于界面态对热载流子效应的影响深入分析了长度减小导致两种工艺下热载流子退化均加重的原因;同时基于边缘电场分布对热载流子效应的影响解释了宽度减小导致两种工艺下热载流子退化规律截然相反的现象。研究结果对于实际深亚微米工艺下,集成电路设计中器件工艺尺寸和版图结构的选择具有一定指导意义。

关键词：热载流子效应碰撞电离界面态垂直电场强度

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热载流子注入效应的可靠性评价技术研究

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微电子学 2013年第6期43卷 876-880页

作者：章晓文陈鹏恩云飞张晓雯工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室广州510640 国防科技信息中心北京100010

研究了热载流子注入效应的可靠性评价方法,利用对数正态拟合的中位失效时间,提取加速寿命试验的模型参数。利用这些模型参数,分别评价了0.18μm CMOS工艺薄栅和厚栅器件的可靠性。结果表明,HCI效应仍然制约着0.18μm CMOS工艺的可靠性... 详细信息

研究了热载流子注入效应的可靠性评价方法,利用对数正态拟合的中位失效时间,提取加速寿命试验的模型参数。利用这些模型参数,分别评价了0.18μm CMOS工艺薄栅和厚栅器件的可靠性。结果表明,HCI效应仍然制约着0.18μm CMOS工艺的可靠性水平。鉴于热载流子注入效应仍对深亚微米CMOS工艺的可靠性构成威胁,因此,要使产品的使用可靠性得到保证,必须对工艺线失效机理的可靠性进行有效的监测和评价,以保证生产出的产品满足使用方的要求。

关键词： CMOS工艺加速寿命试验热载流子注入效应可靠性评价

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基于马氏距离的硬件木马检测方法

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微电子学 2013年第6期43卷 817-820页

作者：王力纬贾鲲鹏方文啸董倩工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室广州510610 国防科技信息中心北京100036

集成电路芯片在不受控的制造过程中可能会被嵌入恶意电路结构,形成硬件木马,给集成电路芯片的可信度带来极大的安全隐患。传统的测试技术很难发现这些硬件木马。针对这一问题,提出一种基于马氏距离的非破坏性硬件木马检测方法。通过对12... 详细信息

集成电路芯片在不受控的制造过程中可能会被嵌入恶意电路结构,形成硬件木马,给集成电路芯片的可信度带来极大的安全隐患。传统的测试技术很难发现这些硬件木马。针对这一问题,提出一种基于马氏距离的非破坏性硬件木马检测方法。通过对128位AES(Advanced Encryption Standard)加密电路的功耗仿真实验,对该方法进行验证。实验结果表明,基于马氏距离的硬件木马检测方法能够检测出面积比AES电路小2个数量级的硬件木马。

关键词：硬件木马集成电路芯片安全木马检测

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栅长对SOI NMOS器件ESD特性的影响

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固体电子学研究与进展 2010年第3期30卷 350-352,452页

作者：恩云飞何玉娟罗宏伟潘金辉肖庆中西安电子科技大学微电子学院西安710071 电子元器件可靠性物理及其应用技术国防科技重点实验室广州510610 信息功能材料国家重点实验室(中国科学院上海微系统与信息技术研究所) 上海200050

采用TLP测试的方式,研究了不同栅长对栅接地SOI NMOS器件ESD(Electrostatic discharge,静电放电)特性的影响,结果发现栅长越大,维持电压VH越大,ESD二次击穿电流It2越大;其原因可能与薄硅层中的热分布有关。

关键词：静电保护绝缘层上硅传输线脉冲测试栅接地n型金属-氧化物-半导体

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nMOSFET X射线辐射影响研究

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核电子学与探测技术 2004年第3期24卷 246-248,245页

作者：罗宏伟杨银堂恩云飞朱樟明西安电子科技大学微电子所陕西西安710071 信息产业部电子五所分析中心电子元器件可靠性物理及其应用技术国防科技重点实验室广东广州510610

介绍了在强电流作用下的ggnMOS作用机理,分析了ggnMOS抗ESD能力的主要表征参数,利用X射线辐射系统和TLP测试系统研究了辐射总剂量对ggnMOS抗ESD能力的影响。试验结果表明,随辐射总剂量的增加,ggnMOS的开启电压、维持电压都将下降,这有... 详细信息

介绍了在强电流作用下的ggnMOS作用机理,分析了ggnMOS抗ESD能力的主要表征参数,利用X射线辐射系统和TLP测试系统研究了辐射总剂量对ggnMOS抗ESD能力的影响。试验结果表明,随辐射总剂量的增加,ggnMOS的开启电压、维持电压都将下降,这有利于提高ggnMOS的抗ESD能力,而表征其抗ESD能力的参数(二次击穿电流It2)开始随辐射总剂量的增加而减少,到达一定剂量后将随总剂量的增加而增加。

关键词：栅接地nMOS ESD 辐射总剂量开启电压二次击穿电流 X射线辐射

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栅长L对GGNMOS抗静电能力的影响

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电路与系统学报 2005年第5期10卷 93-96页

作者：李若瑜李斌罗宏伟华南理工大学微电子学系广东广州510640 信息产业部电子第五研究所分析中心电子元器件可靠性物理及其应用技术国防科技重点实验室广东广州510610

本文讨论了ESD保护器件GGNMOS(Gate Grounded NMOS)的栅长对其抗静电能力的影响,并用MEDICI进行仿真验证。基于仿真结果首次讨论了GGNMOS的栅长对其一次击穿电压、二次击穿电压和电流、导通电阻、耗散功率等的作用。

关键词： ESD GGNMOS MEDICI 器件仿真

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GaAs器件和MMIC的失效分析

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失效分析与预防 2010年第3期5卷 187-192页

作者：崔晓英黄云恩云飞工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术国防科技重点实验室广州510610

从可靠性物理的角度,分析引起砷化镓(GaAs)器件和单片微波集成电路(MMIC)退化或失效的主要失效模式及其失效机理,明确了GaAsMMIC的可靠性问题主要表现为有源器件、无源器件和环境因素等引入了损伤退化,并针对几种常见的失效原因:过电烧... 详细信息

从可靠性物理的角度,分析引起砷化镓(GaAs)器件和单片微波集成电路(MMIC)退化或失效的主要失效模式及其失效机理,明确了GaAsMMIC的可靠性问题主要表现为有源器件、无源器件和环境因素等引入了损伤退化,并针对几种常见的失效原因:过电烧毁、静电损伤、器件分层、设计和工艺缺陷等进行举例分析,为生产和使用过程中控制其主要的失效模式及失效机理提供参考和依据。

关键词：砷化镓器件单片微波集成电路失效模式和机理失效分析

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